拉扎维第二章笔记

NMOS、PMOS

空穴迁移率约为电子的1/2，所以PMOS具有较低的电流驱动能力

MOSFET的跨导

如果W/L保持恒定，则gm随着驱动电压增加而线性增大；
如果W/L保持恒定，则gm随着偏置电流的增加根号增大；
如果ID恒定，gm随着过驱动电压的增大而减小。

二级效应

1.体效应

体效应就是，源极电压相对于衬底电压发生变化，引起阈值电压的变化。
对于NMOS，默认源极衬底都接地，如果VS>VB,即衬底电压更负，对于NMOS而言，更多空穴会被吸引到衬底上，留下更多的不可移动的负电荷，耗尽层宽度变大，阈值电压变大；
对于PMOS，默认源极漏极都接VDD，如果Vs<Vb,即衬底电压更正，对于PMOS而言，更多的电子会被吸引到衬底上，留下更多的不可移动的正电荷，耗尽层宽度变大，阈值电压变大。
在电路中，常用衬底电压与源极电压短接，使得Vsb=0来防止体效应。

2.沟道长度调制效应

沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。
在三极管区，不存在沟道长度调制效应，沟道从源端到漏端是连续的，没有夹断，因此不存在沟道长度调制效应。
Vds对漏电流的影响非常弱，一般不用漏源电压来确定电流，总是把Vgs-Vth作为确定电流的参数，Vds对Id的影响通常被认为是缺陷。

3.亚阈值导电性

当Vgs小于Vth时，器件并不会完全关断；Vgs约等于Vth时，存在一个弱反型层，存在一些源漏电流。当Vgs小于Vth时，Id与Vgs呈指数关系

这里的亚阈值区还可以有另一个名字：弱反型区（weak inversion）。弱反型区和强反型区(strong inversion)的区别，也就是Vgs和Vth的大小区别，Vgs小于Vth，管子工作在弱反型区，也可以说是亚阈值区。Vgs>Vth，管子工作在强反型区。

器件版图

1、选择适当的W/L来确定跨导，L的最小值由工艺决定

NMOS与PMOS器件比较

空穴迁移率比NMOS器件差，在相同的尺寸下，PMOS的电流驱动能力与跨导更低。对于给定的器件尺寸和偏置电流，NMOS晶体管呈现出较高的输出电阻，为放大器提供更理想的电流源和更高增益。
原因：NMOS晶体管的沟道导通电阻要比PMOS小得多，沟道导通电阻的减小有助于降低开关导通损耗，提高器件的导通能力，从而使得NMOS在给定器件尺寸和偏置电流的条件下，能够展现出更高的输出电阻。