【Vds、Vod、Vdssat、亚阈值区】

长沟道器件

Vdsat是表征沟道pinch-off现象出现、电流饱和时的漏源电压
Vod是过驱动电压=Vgs-Vth≈Vdsat.
在长沟道器件中，过驱动电压Vod等于Vdsat，即当Vds=Vod=Vdssat时，电流饱和，沟道夹断。

短沟道器件（<0.5um）

短沟道中 Vdsat小于Vod是因为沟道中电场强度很大，载流子速度饱和，在沟道夹断之前电流已经饱和，在实际中常用Vds与Vdsat来判断管子是否进入饱和状态。

需要考虑二阶效应， Vdsat是表征沟道pinch-off现象出现、电流饱和时的drain-source voltage, 此时有Vdsat<Vod， 当然Vod关系不变，还是Vod=Vgs-Vth。
Vdsat是各软件用来判断管子工作状态是否在饱和区的参数，饱和时关系为Vds>Vdsat。不过实际设计时一般要保证Vds-Vdsat>50mV，因为一是防止工艺误差或信号扰动导致管子状态偏移，二是饱和区边缘的rds小，本征增益差。合适余量在200mV，差分管因为共模抑制性好，余量可以放宽在100mV。
在仿真时一般只用管Vdsat，hand-calculation时一般只考虑Vod(也没有Vdsat).

对于一个二极管连接的MOS Vgs = Vds= Vth + Vod
个人理解：
1、漏端栅端需要共同满足开启和饱和的要求
2、Vod是电流的函数，随着电流增加而增加

亚阈值：
亚阈值
管子工作在深三极管区主要是Vds小，Vgs的值还是可以满足沟道开启的，也就是Vgs>Vth。而亚阈值区是Vgs<Vth，对于Vds来说，此时Vgs-Vth都小于0了，按理说Vds只要大于0就可以了管子就可以工作了，不过还是有要求的，要在亚阈值区正常工作，Vds要大于一定值，Razavi书里是100mV。