集成电路的发明是20世纪的伟大成就之一，每年有数十万种新的集成电路试验和生产。现在国际上主流的硅片直径为8英寸，如果在同一硅片上只试验一种集成电路，这样试验的成本极高。多项目晶片制造是把多种工艺上兼容的集成电路制造在同一晶片上，这样可使昂贵的制版和硅片加工费用由多家分担(如果同时加工30个项目,则成本仅为原有数的1/30), 从而极大地减少了实验制造成本, 如下图所示。美国把这种服务称为MOSIS（Metal-Oxide-Semiconductor-Implementation Service），法国称之为CMP（Circuit Multi-Projects）,加拿大的此种服务由CMC（Canadian Microelectronics Corporation）提供。
多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型（Prototype）设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5%-10%，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。
出于经济原因，Foundry更倾向于接受量大的晶圆加工服务，多项目晶圆则为小批量生产提供了有效的途径。
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