FPGA研究与实战—RAM学习与测试

该博客介绍了基于ISE14.7的双口RAM设计,通过Verilog程序实现。内容包括RAM基础知识,如何调用IP核,生成测试数据并存入RAM,以及读取RAM的完整流程。通过仿真验证了RAM的读写功能,最终解决了读取数据不完整的问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

FPGA研究与实战—RAM学习与测试

20181009-1010  William

前言:基于ISE14.7中的RAM模块IP核,进行Verilog程序设计。目的在于,完全掌握RAM的使用,实现基本的双端口读写。具体有以下几个部分。

1,实现双口RAM,完全掌握调用IP核的流程;

2,要深入了解RAM,那么进行测试,模拟1450字节数据,然后写入RAM看看分布情况;

3,然后在看看读出情况,是否仍是“顺序”;还有,同时读写时的问题,如读地址超过写地址时的情况。

 

(一)首先,进行RAM相关知识学习。

随机存取存储器(random access memoryRAM)又称作“随机存储器”。FPGA中,分为Distribute RAM(分布式,用于小量存储)和Block RAM(块ram,大容量存储区域,如FIFO,SRAM等)。

FPGA中设计RAM的一些总结,写的很好,如下图所示,详细参见博文:https://www.cnblogs.com/DdiAgnes/articles/4975240.html

标准是参考Xilinx的官方《Block Memory Generator v7.3》手册,但是英文的,恼火,所以在此,参见博文https://blog.csdn.net/skyplain1984/article/details/54971963 来进行RAM设计。

Xilinx的RAM可分为三种

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