目标检测YOLO实战应用案例100讲-基于Yolo算法的单晶硅晶线检测系统（续）

目录

3.2.2等径生长过程图像预处理

3.2.3数据增广与统计

基于改进Yolov4-tiny算法的单晶硅晶线检测

4.1 Yolov4-tiny算法基本原理

4.2基于Yolov4-tiny算法的优化方法

4.2.1特征增强模块

4.2.2改进的PAnet

4.2.3深度可分离卷积

4.3实验结果对比分析

基于改进YoloX-tiny算法的单晶硅晶线检测

5.1 Yolo X-tiny算法原理

5.2基于Yolo X-tiny算法的优化方法

5.2.1轻量化主干网络

5.2.2注意力机制的应用

5.2.3 Neck特征增强网络的优化

5.3实验结果分析

算法性能验证及系统设计

6.1算法性能验证

6.2表面缺陷数据集的算法迁移

6.3基于Jetson Nano开发板的硬件检测系统

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本文篇幅较长，分为上下两篇，上篇详见基于Yolo算法的单晶硅晶线检测系统

3.2.2等径生长过程图像预处理

当扩肩生长过程中晶柱达到预设直径，保持晶体生长速度，控制晶体稳定生 长，即可调整单晶炉参数，进入等径生长过程。通过调整单晶炉转轴速度和炉内 温度，能够保证单晶硅柱保持直径在误差允许范围内生长。此阶段的单晶炉参数 控制非常重要，如果发生问题可能会导致单晶硅柱产生内部缺陷。
单晶硅无位错生长需要保证两个较为重要的因素，第一是单晶硅径向的热应 力，第二是单晶炉内部可能存在的微小颗粒。晶体生长过程，随着半径增大，温 度梯度呈现指数变化，当晶体逐渐生长离开固液交融界面，单晶硅柱的外部冷却 速度较快，而中心温度下降较慢，可能会加剧晶体内部结构热应力加剧，当应力 超过晶体内部的临界压力时，会导致晶体位错缺陷[43