电路设计相关

KGback

已于 2024-04-17 21:49:47 修改

阅读量9.5k

点赞数 2

分类专栏：电子文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2018-08-08 00:01:24 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_39815222/article/details/81490551

版权

电子专栏收录该内容

8 篇文章

订阅专栏

本人才疏学浅，孤陋寡闻，下文若有不当之处，还请赐教

1、一些概念

施密特触发器

施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阈值电压。
对于标准施密特触发器，当输入电压高于正向阈值电压，输出为低；当输入电压低于负向阈值电压，输出为高；当输入在正负向阈值电压之间，输出不改变，

密勒效应

如果图a可以转化成图b，则 $Z_{1}=Z/(1-A_{v})$ ， $Z_{2}=Z/(1-A_{v}^{-1})$ ，其中 $A_{v}=V_{Y}/V_{X}$

拉普拉斯变换

将系统从时域分析转换到频域分析，不仅简化了计算，也可以通过分析H(s)中的零极点分析系统的特性

半导体的温度系数

半导体材料温度的上升将使载流子浓度提高，这将导致更多数量的载流子复合，从而提高半导体的电导率。电导率的提高使半导体材料的电阻随温度的上升而减小，形成电阻的负温度系数。若电阻随温度的上升而升高，则形成电阻的正温度系数。

时钟域

设计中不同功能模块如果被不同的时钟驱动，就会形成不同的时钟域。

2、电子元器件

1 有源器件

MOSFET

NMOS管的I/V特性

$V_{DSAT}$ = $V_{GS}$ - $V_{TH}$
$V_{G}=\sqrt{\frac{2I_{ss}}{\mu C_{ox}\frac{W}{L}}}$ $V_{DSAT}$ 最好设置在50-200mV之间，如果太小，会导致增益较低，如果太大，电压摆幅的裕量就会变小。
数字IC中，mos管有两种状态，栅极加零电压时为关态（y轴特性），加VDD时为通态（x轴特性）
模拟IC中，mos管的栅极可以给任意电压，有以下三种工作状态。
（a）截止区： $V_{GS}$ < $V_{TH}$
（b）三极管区（线性区）： $V_{DS}$ < $V_{GS}$ - $V_{TH}$
（c）饱和区（恒流源区）： $V_{GD}$ < $V_{TH}$ ----> $V_{DS}$ > $V_{GS}$ - $V_{TH}$
只有在该工作区，mos管才有放大作用

NMOS里面的寄生电容

C1：栅极与沟道间的氧化电容
C2：衬底和沟道间的耗尽层电容
C3/C4：栅源电容和栅漏电容
C5/C6：源/漏和衬底间的电容

沟道调制效应：当mos管处于饱和区时， $I_{D}$ 仍然受 $V_{DS}$ 影响，当 $V_{DS}$ 增加时，沟道夹断点左移，实际沟道长度减小，根据公式 $I_{D}=K \left ( V_{GS}-V_{TH} \right )^{2}$ ，K变大，则 $I_{D}$ 也变大，因此修正后的公式为： $I_{D}=K \left ( V_{GS}-V_{TH} \right )^{2}\left ( 1+\lambda V_{DS}\right )$ $\lambda$ ：沟道效应调制因子（ $=1/V_{A}$ 厄利电压）。
因此，当mos管做恒流源使用时，沟道长度L最好不要设置为工艺的最小尺寸，否则恒流源特性会变差，mos管在饱和区时电流变化仍然较大。一般L设置为最小尺寸的3-5倍。

衬底偏置效应：当两个Nmos管串联，导致源极不与地相连的mos管源极电压升高，从而引起 $V_{TH}$ 变大的现象；或者两个PMOS管串联也会引起衬偏效应。

MOS管的宽长比影响：
导通电阻：随宽长比增大而减小，经过mos管的 $I_{D}$ 也越大
寄生电容：随宽长比增大而增大
开关切换速度：宽长比由小变大时，先是导通电阻主要影响，后是寄生电容主要影响。导通随之增大后，也切换速度也越来越快；但宽长比达到一个阈值后，导通电阻不随之减小后，寄生电容占主要影响，寄生电容随之增大后，切换速度越来越慢。

MOSFET小信号模型

$g_{m}=\beta \left ( V_{GS}-V_{TH} \right )$
$I_{D}=K \left ( V_{GS}-V_{TH} \right )^{2}$
$K=\frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}$ (W：沟道宽度 L：沟道宽度)
$r_{0}=1/\gamma I_{D}$
（若考虑沟道长度调制，则 $r_{0}$ 参与计算；若考虑体效应，则 $g_{mb}$ $V_{BS}$ 参与计算）
根据增益的表达式，提高 $\frac{W}{L}$ ， $V_{RD}$ ，或减小 $I_{D}$ ，都可以提高 $A_{v}$ ；但是较大的器件尺寸会导致较大的器件电容，较大的 $V_{RD}$ 会限制电压摆幅，若 $V_{RD}$ 保持常数， $I_{D}$ 减小，则必须增大 $R_{D}$ ，则会导致更大的输出节点时间常数。

2 无源器件

电容

（1）电容的作用

半导体芯片只能集成电阻以及容量不是很大的电容，不能集成电感。
详见电容有哪些用途？常见的九大作用-电子发烧友网

隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。
旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。
耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。用电容做耦合的元件，是为了将前级信号传递到后一级，并且隔断前一级的直流对后一级的影响，使电路调试简单，性能稳定。如果不加电容交流信号放大不会改变，只是各级工作点需重新设计，由于前后级影响，调试工作点非常困难，在多级时几乎无法实现。
去耦电容需要满足两个要求，一个是容量需求，另一个是ESR需求。也就是说一个0.1uF的电容去耦效果也许不如两个0.01uF电容效果好。而且，0.01uF电容在较高频段有更低的阻抗，在这些频段内如果一个0.01uF电容能达到容量需求，那么它将比0.1uF电容拥有更好的退耦效果。
滤波：这个对电路而言很重要，CPU背后的电容基本都是这个作用，用于消除高频噪声。频率f越大，电容的阻抗Z越小。当低频时，电容C由于阻抗Z比较大，有用信号可以顺利通过；当高频时，电容C由于阻抗Z已经很小了，相当于把高频噪声短路到GND上去了。
对该电容要求是速度不要很快，电容值要求很大。在PCB设计中，电容要尽可能靠近芯片的电源引脚。
滤波电容的容量往往都可以从电源芯片的数据手册里找到计算公式。如果滤波电路同时使用电解电容、钽电容和瓷片电容的话，把电解电容放的离开关电源最近，这样能保护钽电容。瓷片电容放在钽电容后面。这样可以获得最好的滤波效果。
当电源滤波电路直接供给放大器工作时，其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻抗从 10KHz 附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容，在大电容旁以抑制高频阻抗的上升。
整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。
储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等
计时：电容与电阻配合使用，确定电路的时间常数。
调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。
温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。

（2）电容的高频特性

电容的阻抗和频率的关系：

在低频时，其阻抗时线性下降的，表现为容性特质；

当频率达到某值时，出现了一个谐振点，使电容的阻抗达到最低；当频率超过该点后，阻抗又继续上升。

3、LC振荡器

谐振发生条件

当R L C串联时，若 $\omega ^{^{2}}$ =LC，则发生串联谐振。

电容电压和电感电压大小相等、方向相反，电压源的电压全部降在电阻上，称为电压谐振。电感和电容之间周期性地进行能量交换，不从电源吸收无功功率，称为电磁振荡。

品质因数Q

Q值越小，电流频率曲线越平坦；Q值越大，曲线越陡峭。

注意：Q越大，谐振或接近谐振时，电感或电容上就会出现比输入电压高得多的输出电压，这往往会使电感或电容元件损坏。在电力传输系统中又要尽可能地避免产生谐振。

4、频谱

傅里叶变换

有关傅里叶变换：傅里叶变换交互式入门

复杂振荡分解为振幅不同和频率不同的谐振荡，这些谐振荡的幅值按频率排列的图形叫做频谱。频谱密度单位是幅度/频率。

设一个能量信号为s(t)，则它的频谱密度S(w), 可以由傅里叶变换求得：S(w)=F(s(t))。

谐波

谐波是指电流中所含的频率为基波频率整数倍的部分，一般指对周期性非正弦波进行傅里叶级数分解，出了基波频率部分，其余大于基波频率的电流产生的波成为谐波。

谐波次数是谐波频率与基波频率的比值。

谐波的产生：
在实际电路系统中，当施加的电源为正弦波时，由于非线性负荷的存在，当电流流过与所加电压不成线性关系的负荷时，就形成非正弦电流。

5、输入输出阻抗

1.输入阻抗
输入阻抗反映了对电流阻碍作用的大小。对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响；而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。因此，我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注：只适合于低频电路，在高频电路中要考虑阻抗匹配问题。）另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题。

2.输出阻抗
输出阻抗就是一个信号源的内阻。电压源的输出电阻应尽量小，带负载能力也更强；电流源的输出阻抗应尽量大大