MOS管参数μCox得到的一种方法

再世孟子

已于 2022-04-08 19:08:28 修改

阅读量3.1w

点赞数 122

分类专栏：笔记模拟IC学习文章标签：经验分享其他

于 2021-11-24 00:28:54 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_46579389/article/details/121505516

版权

模拟IC学习同时被 2 个专栏收录

9 篇文章

订阅专栏

笔记

6 篇文章

订阅专栏

有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算，然而工艺库中参数不是那么的好找，此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox，以及沟道长度调制效应系数。

我是新手，写的有问题欢迎各位大佬指出，别喷我，害怕ing。

一、MOS管平方关系模型

MOS管沟道饱和区电流I_D（不考虑非理想效应)
$I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{GS}-V_{TH})^2$

二、如何进行仿真得到手算参数

首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还有将对应器件电压也设置成变量，设成变量方面后面仿真条件下修改参数
在这里插入图片描述

三、进行仿真

进入ADEL（我用的是这个，后面的几个仿真环境还没研究）仿真环境下进行仿真
在这里插入图片描述
进入后设置变量值，漏级电压一般设置成器件能容忍的电压的一半，然后把工艺库model加载进仿真环境，有些工艺库好像不用手动添加，我用的库需要，然后选择的DC仿真就行，出结果后查看参数就行。

在这里插入图片描述
这里选择这个可以在原理图中看到器件对应输出电流等参数

然后下一步选择下图的东西，然后在原理图中点击你必须要查看的NMOS器件就会弹出其参数

关注的参数

这里我们需要关注的参数是beff和betaeff，其中beff就是平方率关系对应的理想参数（完全不考虑沟道调制效应等，是可以计算过后发现，用得到的阈值电压还有Id算出来完全符合平方率关系对应的理想值），betaeff是修正的跨导模型参数，毕竟现在模型不是以前的那种简单模型了。
MOS管沟道饱和区电流I_D
$I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{GS}-V_{TH})^2$
$μ_nC_{ox}\frac{W}{L}$

betaeff相关的解释

这有一个别人的实验报告提到了betaeff
https://www.renrendoc.com/paper/137437817.html
还查到cadence的网站有相关讨论
https://community.cadence.com/cadence_technology_forums/f/custom-ic-design/20939/make-it-clearly-beta-and-betaeff
eetop也有相关讨论
https://bbs.eetop.cn/thread-0326753-1-1.html
还有个JFET的专利，想着和MOS管原理差不多，也可以参考参考
专利名：具有尺寸可扩展性的JFET仿真方法

总结

这个手算的时候用着两个参数应该是都可以的，反正误差都比较大。
还有其他一些得到μnCox的方法附上链接：用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数
然后直接查看工艺库也行，只是参数太多了，我还不懂囊个看，有懂的朋友可以分享分享，我也想学习学习。
再附上gmId设计方法的学习视屏链接（这个方法确实非常有帮助）：运用gmId设计方法设计运放，从理论分析到ADE仿真+偏置电路的设计
上面那个链接的作者也有几篇博客讲了如何进行gmId设计的。

另外我用的是IC617。

增加内容1

这篇博客之后，学习之中发现何乐年的《模拟集成电路设计与仿真》的附录B中有results display window中相关参数的解释。附上参数名称解释截图，电子档自己在eetop论坛中下载吧。
在这里插入图片描述

增加内容2

如何查看模型参数得到手算参数

从华润中芯国际等fab拿到的PDK都会有Model文件夹，其中包括分别用于hspice和spectre的模型文件，可以通过查看该模型文件得到一级手算参数（两个模型文件没得太大的差别，我直接看的spectre仿真器使用的文件）。如下图（分别是csmc（很老了的一个库），smic的一个库）：
在这里插入图片描述

打开模型文件后查看文件头（.lib或者.scs文件）（这个csmc的库有点老，全部东西都在一个文件里，smic的库就分成多个文件）：在这里插入图片描述

这里可以看到文件头提示smic的库需要和其他文件一起使用，其他文件里面里面定义的是使用到的管子的bsim模型，而.lib或者.scs里面写有tt ff ss等参数的地方是用来定义不同工艺角下参数偏差的。

然后我们定位到MOSFET的bsim模型处（后面就只放csmc的库的图片）
在这里插入图片描述
然后我们需要的参数这些：
解释哈参数含义：
epsrox：相对真空介电常数
toxe：电学等效栅氧化层厚度，后面那个toxn5是不同工艺角下乘上的系数（tt工艺角下toxn5就是1），所以我们可以只管前面那部分
toxm：参数提取时用的TOX值
vth0:阈值电压，后面那个dvth0n5是不同工艺角下面的阈值电压偏差值
u0:弱场下面的载流子迁移率，后面参数同理
。。。