MOS管参数μCox得到的一种方法

有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算,然而工艺库中参数不是那么的好找,此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox,以及沟道长度调制效应系数。

我是新手,写的有问题欢迎各位大佬指出,别喷我,害怕ing。

一、MOS管平方关系模型

MOS管沟道饱和区电流ID(不考虑非理想效应)
I d = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T H ) 2 I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{GS}-V_{TH})^2 Id=21μnCoxLW(VGSVTH)2

二、如何进行仿真得到手算参数

首先在原理图中放上器件,以NMOS为例子,同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度,还有将对应器件电压也设置成变量,设成变量方面后面仿真条件下修改参数
在这里插入图片描述
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三、进行仿真

进入ADEL(我用的是这个,后面的几个仿真环境还没研究)仿真环境下进行仿真
在这里插入图片描述
进入后设置变量值,漏级电压一般设置成器件能容忍的电压的一半,然后把工艺库model加载进仿真环境,有些工艺库好像不用手动添加,我用的库需要,然后选择的DC仿真就行,出结果后查看参数就行。在这里插入图片描述

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这里选择这个可以在原理图中看到器件对应输出电流等参数
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然后下一步选择下图的东西,然后在原理图中点击你必须要查看的NMOS器件就会弹出其参数
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关注的参数

这里我们需要关注的参数是beff和betaeff,其中beff就是平方率关系对应的理想参数(完全不考虑沟道调制效应等,是可以计算过后发现,用得到的阈值电压还有Id算出来完全符合平方率关系对应的理想值),betaeff是修正的跨导模型参数,毕竟现在模型不是以前的那种简单模型了。
MOS管沟道饱和区电流ID
I d = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T H ) 2 I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{GS}-V_{TH})^2 Id=21μnCoxLW(VGSVTH)2
b e f f = μ n C o x W L beff= μ_nC_{ox}\frac{W}{L} beff=μnCoxLW

betaeff相关的解释

这有一个别人的实验报告提到了betaeff
https://www.renrendoc.com/paper/137437817.html
还查到cadence的网站有相关讨论
https://community.cadence.com/cadence_technology_forums/f/custom-ic-design/20939/make-it-clearly-beta-and-betaeff
eetop也有相关讨论
https://bbs.eetop.cn/thread-0326753-1-1.html
还有个JFET的专利,想着和MOS管原理差不多,也可以参考参考
专利名:具有尺寸可扩展性的JFET仿真方法

总结

这个手算的时候用着两个参数应该是都可以的,反正误差都比较大。
还有其他一些得到μnCox的方法附上链接:用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数
然后直接查看工艺库也行,只是参数太多了,我还不懂囊个看,有懂的朋友可以分享分享,我也想学习学习。
再附上gmId设计方法的学习视屏链接(这个方法确实非常有帮助):运用gmId设计方法设计运放,从理论分析到ADE仿真+偏置电路的设计
上面那个链接的作者也有几篇博客讲了如何进行gmId设计的。

另外我用的是IC617。

增加内容1

这篇博客之后,学习之中发现何乐年的《模拟集成电路设计与仿真》的附录B中有results display window中相关参数的解释。附上参数名称解释截图,电子档自己在eetop论坛中下载吧。
在这里插入图片描述
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增加内容2

如何查看模型参数得到手算参数

从华润中芯国际等fab拿到的PDK都会有Model文件夹,其中包括分别用于hspice和spectre的模型文件,可以通过查看该模型文件得到一级手算参数(两个模型文件没得太大的差别,我直接看的spectre仿真器使用的文件)。如下图(分别是csmc(很老了的一个库),smic的一个库):
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打开模型文件后查看文件头(.lib或者.scs文件)(这个csmc的库有点老,全部东西都在一个文件里,smic的库就分成多个文件):在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
这里可以看到文件头提示smic的库需要和其他文件一起使用,其他文件里面里面定义的是使用到的管子的bsim模型,而.lib或者.scs里面写有tt ff ss等参数的地方是用来定义不同工艺角下参数偏差的。
在这里插入图片描述
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然后我们定位到MOSFET的bsim模型处(后面就只放csmc的库的图片)
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然后我们需要的参数这些:在这里插入图片描述
解释哈参数含义:
epsrox:相对真空介电常数
toxe:电学等效栅氧化层厚度,后面那个toxn5是不同工艺角下乘上的系数(tt工艺角下toxn5就是1),所以我们可以只管前面那部分
toxm:参数提取时用的TOX值
vth0:阈值电压,后面那个dvth0n5是不同工艺角下面的阈值电压偏差值
u0:弱场下面的载流子迁移率,后面参数同理
。。。

之后根据公式计算参数就行(这点有个例子,bsim里面的参数单位应该都是国际标准单位,计算的时候注意单位就行)
在这里插入图片描述

弱反型下参数需要自己算一哈,比强反型区的麻烦些,特别是那个n,下面是bsim4.5里面的公式
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或者我在有篇论文中看到的公式
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csmc库中模型是bsim4.5 ,查看MOSFET模型使用手册参数含义直接在附录A中查看就行

在这里插入图片描述
然后我分享哈bsim模型用户手册和一个关于PDK介绍的pdf,有需要的话可以下载看看,eetop上都找得到的。还有篇上面我提到的论文。

链接:https://pan.baidu.com/s/1QN7S8VbL4jX7op-ebx0MOg
提取码:m232

不晓得有没得那种小程序,就直接把bsim模型导进去直接能计算出手算参数,自己慢慢查看文档太烦了。

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