用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数

前言

本文为我自己的学习笔记，是Cadence Virtuoso系列的第三篇文章，也是入门系列的文章，采用的软件版本是Cadence Virtuoso IC617。其他文章请点击上方，看我制作的Cadence Virtuoso专栏内容。

前文记录了用Cadence Virtuoso IC617仿真V-I特性曲线（可点击下方链接查看），本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。

用Cadence Virtuoso IC617仿真V-I特性曲线

N-MOS的测量

提取数据

上一篇文章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。

为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。

选择Marker菜单中的Create Marker，在图标中添加标记，软件会自动得出相交点的数据。

添加一个垂直的标记，为了简便我选的是1V的坐标，点击OK后，再添加一个1.5V的坐标，这样我们就有了两组数据。

添加垂直标记后的效果，点击标记，就能显示出数值。这里为了方便计算，我选择vgs对应0.8V和1V下的数据，此时vds选择的是1V和1.5V。

具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大。

	vgs = 0.8V	vgs = 1.0V
vds = 1V	28.62uA	53.72uA
vds = 1.5V	30.35uA	56.21uA

计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。

P-MOS的测量

P-MOS的参数也是通过上面的方法测得。

提取数据

上一篇文章已经得到了在不同的vsg下的vsd参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。

经评论区提醒，P-MOS的D和S反了，所以建议按下图构建原理图。由于原理图出错，后面结果和数据是错误的，大家自己计算一下吧。

为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vsd范围改为0-2V，vsg范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，添加1V和1.5V的Marker垂直标记线后，得出结果如下图。

具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大。其中IDS取的是绝对值。

	vsg = 0.8V	vsg = 1.0V
vsd = 1V	12.83uA	23.47uA
vsd = 1.5V	13.33uA	24.20uA

计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。