12CM离子源工艺温度分布仿真项目

1.项目概述

本项目旨在通过仿真分析验证某款12CM溅射离子源工艺过程温度分布情况，观察其处工艺过程中的温度分布云图，具体要求如下：

1）输入量：12CM溅射离子源的腔室尺寸、工艺过程中各部件热耗率及其各项固有特性。

2）输出量：云室、屏蔽珊及加速珊在工艺过程中的温度分布。

1.1项目背景

在实际离子溅射、刻蚀作业中，离子源各部件温度直接影响着工艺过程是否稳定可靠。设计过程中，工艺温度还影响着珊网的结构及材料选择，然而，由于工作环境的特殊性，无法使用温度传感器直接测量各部件核心温度，因此，本项目旨在通过有限元分析软件将云气室内温度分布可视化，为后续结构优化提供数据支撑。

1.2仿真方法

项目采用COMSOL软件作为仿真工具，COMSOL“固体传热”物理场接口用于模拟工艺过程中各部件间的温度传递及辐射损失。

2.相关理论

2.1 射频离子源工艺过程

射频离子源主要原理是通过射频电源对缠绕在绝缘放电室外部的射频线圈施加一定频率的射频功率，在射频作用下，放电室内产生沿放电室轴向的磁场和角向的涡旋电场。通过对栅极施加点火电压，将中和器发出的电子吸引到放电室，这些电子在感应涡旋电场作用下运动，并且与放电室内的中性原子发生碰撞，同时释放出更多的自由电子，当吸收功率和损失功率平衡时，形成稳定放电的等离子体，最后通过栅极组件将离子聚焦、加速、引出。

2.2 能量损耗路径

射频离子推力器的总输入功率主要包括射频功率和直流功率两部分，其物理机理和功率沉积如图1所示，直流功率几乎全部用于栅极组件加速离子，即Pb。射频功率大部分被等离子体吸收，即Pabs，另一部分以欧姆发热的形式消耗于射频线圈，即Pc。等离子体吸收功率与消耗功率（包括放电室壁面能耗Pw、屏栅表面能耗Ps、电离能耗Piz、激发能耗Pex）实现动态平衡。

2.3能量损耗率

根据相关资料，获得各部分能量损耗大致占比，基于此比例换算工艺过程各部件热通量。

[1]李兴达,李建鹏,张兴民,等.射频离子推力器热特性仿真分析[J].推进技术,2020,41(03):707-714.DOI:10.13675/j.cnki.tjjs.190209.

下述数据均来自此篇文献,该文献线圈功率仅200W，可能导致各部件温度与实际相比更低,后续搭建实验平台后可进行实验验证该数据准确性。

类别	RF电源功率损耗占比