模拟CMOS集成电路设计入门学习(7)

折叠式共源共栅

Cascode结构的设计思路是:将输入电压转化为电流,然后将它作为共栅级的输入。

然而,输入器件和共源共栅器件不一定是同一种类型。例如下图(a)中,PMOS和NMOS组合也可以完成相同的功能。

 为了对M1和M2进行偏置,需要像(b)那样增加一个电流源。

(b)和(c)都是“折叠式共源共栅”级,这是因为小信号电流分别向上折叠{如(b)}或者向下折叠{如(c)}

(1)小信号工作原理

(b)中,如果V_{in}变大,\left | I_{D1} \right |减小,使得I_{D2}增加,所以V_{out}下降。

(2)大信号特性{假设V_{in}V_{DD}减小到0}

①如果V_{in}> V_{DD}-\left | V_{TH1} \right |,此时M1截止。电流I_{1}全部流过M2,可得V_{out}=V_{DD}-I_{1}R_{D}

②如果V_{in}< V_{DD}-\left | V_{TH1} \right |M1开启并且处于饱和状态,可得:

I_{D2}=I_{1}-\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{DD}-V_{in}-\left | V_{TH1} \right |)^{2}

随着V_{in}下降,I_{D2}进一步减小,当I_{D1}=I_{1}时,I_{D2}最终变为0。这时:

I_{1}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{DD}-V_{in}-\left | V_{TH1} \right |)^{2}

因此:V_{in1}=V_{DD}-\sqrt{\frac{2I_{1}}{u_{p}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}}}-\left | V_{TH1} \right |

如果,V_{in}下降到V_{in1}以下,I_{D1}趋向于大于I_{1},因此M1进入线性区以使I_{D1}=I_{1}。变化过程见下图:

(3)计算输出阻抗

利用公式,可以容易得出: R_{out}=[1+(g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}](r_{o1}\left | \right |r_{o3})+r_{o2}

可以看出电路表现出的输出阻抗比非折叠的共源共栅的要小

为了实现高电压增益,折叠式共源共栅的负载可以用共源共栅本身来实现,如下图:

 回顾:

我们设法增大了电压放大器的输出电阻来得到高增益。或许看起来会使电路的速度容易受负载电容的影响,但如果放大器工作在一个适当的反馈环路里,高输出阻抗本身并不会造成严重的问题

 

 

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