最新成果展示：具有1.1 kV级高击穿电压的GaN基肖特基二极管

       为实现具有高击穿电压和优异正向特性的第三代半导体功率器件，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台，优化设计了一种具有p-NiO插入终端的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid SBD）。近日，该团队又制备出击穿电压高达1.1 kV级的Hybrid SBD芯片，实验趋势复现了前期的仿真设计结果。

Hybrid SBD的结构

      如图1（a）所示，Hybrid SBD结构采用MOCVD技术生长在[0001]晶相的蓝宝石衬底上。Hybrid SBD结构主要包括2 μm厚的GaN电流扩展层、8 μm厚的漂移层、p-NiO场环和SiO2绝缘层，该结构的设计是为了利用p-NiO场环结合MIS场板结构形成混合式肖特基势垒二极管结构。图1（a1）是混合边缘终端的TEM图。

图1. GaN基混合式肖特基势垒二极管的（a）器件结构示意图和（a1）混合边缘终端的TEM图。