最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究

VIP文章 于 2022-10-08 09:49:18 发布
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       在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中，特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管（TMBS）而言，ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面，产生大量的缺陷，最终牺牲器件的击穿电压、导通电阻等性能，同时影响器件的可靠性。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了完备的缺陷信息数据库，并对GaN基TMBS的界面特性进行了系统性研究，深入剖析了界面缺陷对GaN基TMBS器件性能的影响，并完善了图1所展示的肖特基接触界面附近存在的载流子传输机制模型。

图1. 肖特基接触界面附近存在的载流子传输机制：① 热辐射过程，② 镜像力模型（虚线），③ 直接隧穿过程，④ 陷阱辅助隧穿过程，⑤ SRH非辐射复合过程。

      同时，本司技术团队还系统地研究了施主型缺陷（Donor-type traps）和受主型缺陷（Acceptor-type traps）

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Simucal
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最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用
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为解决该问题，我司技术团队提出通过调控空穴的注入路径来控制不同模式的增益，最终提升GaN基VCSEL的基模输出功率。如图2所示，当减小GaN基VCSEL的电流注入的孔径尺寸时，VCSEL B2依然能够保持高斯形态的单模激光输出。此外，VCSEL B2有源区内的增益覆盖范围与基模分布重叠率上升，与表面浮雕结构所在范围的重叠率下降，器件基模增益上升，激光器输出功率相应提高。图2. VCSEL B1至B3以及VCSEL A2的（a）一维横向光场分布，（b）远场发散角和（c）光输出功率对比图。
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新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用
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除此之外，台面的倾斜角度也会对器件的电学性能产生影响，如图2所示，这主要体现在两个方面：一是倾斜的台面会造成侧壁区域的电场增加，导致边缘区域的量子阱中量子限制斯塔克响应增强，从而降低器件的有效辐射复合效率；图2 （a）各器件内部横向的电场分布，（b）Device 1和（c）Device 5边缘区域量子阱中的能带图，（d）各器件的非辐射复合电流随外加电流密度的变化曲线。其中Device 1/Ⅰ, 2/Ⅱ, 3/Ⅲ, 4/Ⅳ和5/Ⅴ的台面倾斜角度分别为45°，53°，63°，79°和90°。
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最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用
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所示，技术团队将上述器件结构的实验测试结果与仿真计算结果进行了对比：由于测试设备精度的限制，实验测试的暗电流无法达到理论计算值的量级，但获得的实验测试光电流与仿真计算的光电流在同一数量级水平，验证Ga2O3材料信息数据库的可行性。所示，在光照条件下，Ga2O3吸收层产生的光生电子在电场作用下输运至2DEG沟道，补充了金属栅下方被耗尽的电子，2DEG沟道重新导通，促进光生电子的快速输运。所示，在黑暗条件下，金属栅对AlGaN层的耗尽作用有效地抑制了器件的暗电流，即表现为对2DEG沟道的“夹断”作用。
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最新成果展示：具有1.1 kV级高击穿电压的GaN基肖特基二极管
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AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）中具有高Al组分的p-AlGaN空穴注入层的掺杂效率较低，导致器件中空穴浓度以及材料的电导率降低，同时DUV LED中还存在电流拥挤效应，严重影响了器件光电性能。此外，蓝宝石衬底上的异质外延生长所产生的高缺陷密度还会引起漏电流的产生，而较高的空间电荷复合电流也会增大器件的理想因子。 为解决上述问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结的发光波长为280nm的DUV LED，如图1所示。由于1 nm厚的...
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新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD
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