最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用

 

      Ga2O3材料是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，其禁带宽度高达4.9 eV，可定向检测日盲波段的紫外光，且不受太阳光背景辐射的影响，使得该材料有天然的日盲特性。日盲紫外光电探测器凭借其良好的抗干扰能力在紫外通信、火灾监测以及环境保护等领域有着广泛的应用。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了完善的Ga2O3材料数据库，并利用TCAD仿真设计平台搭建了如图1所示的基于金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN基日盲紫外探测器。

图1. (a) 具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构示意图；(a1)金属栅区域的TEM图像；(b) Ga2O3薄膜的高分辨率XRD摇摆曲线；(c) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构俯视图；(d) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器的能带分布图。