最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用

于 2022-10-25 10:34:38 发布
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天津赛米卡尔科技有限公司技术团队成功开发了Ga2O3材料数据库，并应用于日盲紫外光电探测器设计。这种探测器具有天然的日盲特性，不受太阳光干扰，适用于紫外通信、火灾监测等场景。通过TCAD仿真，他们构建了基于金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN探测器，研究了金属栅对2DEG沟道的影响，并通过实验与仿真结果对比验证了数据库的准确性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 

      Ga2O3材料是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，其禁带宽度高达4.9 eV，可定向检测日盲波段的紫外光，且不受太阳光背景辐射的影响，使得该材料有天然的日盲特性。日盲紫外光电探测器凭借其良好的抗干扰能力在紫外通信、火灾监测以及环境保护等领域有着广泛的应用。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了完善的Ga2O3材料数据库，并利用TCAD仿真设计平台搭建了如图1所示的基于金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN基日盲紫外探测器。

图1. (a) 具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构示意图；(a1)金属栅区域的TEM图像；(b) Ga2O3薄膜的高分辨率XRD摇摆曲线；(c) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构俯视图；(d) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器的能带分布图。

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最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用
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最新成果展示：多结VCSEL模型数据库的开发及应用
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新成果展示：载流子输运与复合模型数据库在台面二次刻蚀的Micro-LED中的应用
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为了揭示具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构中载流子的输运与复合机制以及对器件的发光效率影响的物理机制，技术团队利用载流子输运与复合模型数据库系统地研究了器件结构内部电场对载流子输运的影响以及载流子的分布与复合情况。另外，我司技术团队也对上述器件结构进行了对比实验制备，并将测试结果与仿真结果进行了比较：如图3所示，利用极化效应和二次刻蚀台面的载流子限制作用可以有效地提高器件B的外量子效率（EQE）和光功率密度。图3（a）器件A和（b）器件B在不同注入电流密度下的外量子效率和光功率密度。
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最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用
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新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用
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新成果展示：基于Metal/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器的设计与制备
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最新成果展示：p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结模型的开发与应用
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