项目2：45nm——route

一、view

考虑减少运行时间，只用preCTS的两个view (setup  和  hold )

 二、opt setting

三、clock NDR

 本来没必要设置这个。但是考虑后期useful skill,可能通过某种开关动clock 绕线，保险起见设置clock NDR，以免返工。

四、route setting

 

Si??

DFM可制造方法学上的设置，在满足绕线设置和约束的前提下，加入一些可制造方面的余量，比如多打一些孔，防止孔失效导致信号线连接垮掉。

天线效应：现代工艺采用了一种叫离子刻蚀的方法，在制造每一层metal layer的时候，会先在这个layer上铺满金属，而后通过离子刻蚀去掉不要的部分，留下来的就是我们画的net走线了。然而离子刻蚀的时候空间中会出现大量的电荷，这些电荷就会附着在金属表面，电荷量的多少与金属面积正相关。现在金属的厚度一般都要大于金属的宽度，相应的金属线侧边会聚集更多电荷。这些net就如同天线一样吸收着空间中的电荷，如果这根net连接到MOS管的栅极，如果电荷过多就有可能击穿栅氧化层，造成MOS管损坏。 

这里工具定义的Antenna violation计算：和栅连接的金属层面积：栅面积，值太大就会报错

解决方法：

第一是叫跳层法，说的是把原本很长的一段net打断，在中间打via连到上层或下层，然后再打via连回来。这样在计算天线效应比率的时候就能少算金属层的面积，进而消除violation。第二种方法是在发生violation的net与地之间插入diode（二极管），这样聚集的电荷就会优先走diode这条路，就避免损坏MOS管。这两种方法都有一定缺点，第一种方法会产生更复杂的绕线，并且会影响原net的timing等，而第二种方法产生更复杂绕线的同时还要加入额外的器件，cell density比较高的情况下就更难摆放。

五、其他

 不一定用上。但是还是设置上吧。

六、routeDesign 

routeDesign -globalDetail

步骤

1.global route：把moudle分成小块，计算每块绕线情况

2.track assignment:小块里的track依次分布给需要绕线的net

3.detail route:实际绕线

七、报告