关于MOS管驱动的总结1

漏极-源极-栅极
D ---- S ----- G

N 沟道 MOS需要在其栅极上施加比源极上高的电压才能打开。
Vth：阈值电压（最低的打开电压 ）
NMOS常用来做低边（low-side）开关，
NMOS低边管 S接GND ,放置在负载和电路地之间
导通时D极相对于GND会有一个压差 ，因为存在Rdson(导通电阻)
Rdson和VGS电压有关系，栅极驱动电流影响Rdson，具体要参见规格书

P 沟道 MOS需要在其栅极上施加比源极上低的电压才能打开。
PMOS 高边管 S接VCC
PMOS rdson比较大

高边驱动MOS用NMOS 需要增加自举驱动电路 抬升 栅极 （G）电压 大于源极（S）电压，一般需要增加集成预驱（predriver）
PMOS电流一般不大

综上使用PMOS 费钱（贵）费力（设计上桥驱动）还不讨好（RDS大发热快），所以市面普遍还是双N结构，不过还是看应用。