在做STA Signoff时,对于Setup来说选择Slow Corner,也就是慢工艺(SS)、低压(Low Voltage)、高温(High Temperature);对于Hold来说选择Fast Corner,也就是说快工艺(FF)、高压(High Voltage)、低温(Low Temperature)。可是到了小尺寸工艺(65nm以下)发生一些变化,如下图。低温相对于高温延迟会变大,也就是出现了所谓的温度反转效应(Temperature Inversion)。
Corner介绍
- wc(worst case slow):低电压,高温度,慢工艺。一般delay最大,setup差。
- wcl(worst case low-temperature):低电压,低温度,慢工艺。温度反转效应时delay最大,setup差。
- lt(low-temperature):也叫bc,高电压,低温度,快工艺。一般delay最小,hold差。
- ml(max-leakage):高电压,高温度,快工艺。温度反转效应时delay最小,hold差。
WNS与TNS介绍
WNS:报告中最差时序裕量。
TNS:报告中代表总的负时序裕量,也就是负时序裕量路径之和。
set_max_transition
在设计约束文件中,set_max_transition的数值越小设计越严苛。数值越大,插入的cell越少;数值越小,插入的cell越多,会增大了芯片的面积,同时也带来更大的设计成本。fix transition的最主要目的还是为了保证timing的可靠, 减小功耗。以下有几种减少max_transition违例的办法。
1.换用更大尺寸的标准器件作为驱动 ,原则上不会使用BUFF32以上的cell,因为EM的存在,buffer太大会导致电流太大(增加驱动能力)。
2.换用更小尺寸的标准器件作为负载(减小负担载荷)。
3.当插入的buffer延迟远小于线延迟时,可以在时序路径上添加缓冲器或反向器以减小绕线延迟(缩短绕线长度)。
4.利用高金属层RC 较小的特性改变绕线方式在高金属层布线。
在max_transition的fix中,比较经常使用的就是方法1和3。就比如说一个驱动单元,就是因为它的fanout太多,驱动明显不够,这时我们换一个大点驱动的单元,就可以解决掉max_transition的问题。