自控原理-利用根轨迹分析系统动态性能

ayuan0211

已于 2024-01-16 16:25:53 修改

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文章标签：算法

于 2024-01-16 16:24:19 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_38342580/article/details/135333594

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一、系统动态性能指标计算公式

动态性能指标计算公式
系统类型	系统闭环传递函数	单位阶跃响应	性能指标计算公式
一阶系统	$\phi (s)=\frac{K}{Ts+1}$	$h(t)=1-e^{-t/T}$ T:系统时间常数	$t_s=3T$
过阻尼二阶系统	$\phi(s)=\frac{\omega_n^2}{s^2+2\xi \omega_ns+\omega_n^2}$ $w{_{n}}$ :无阻尼自然频率 $\xi$ ：阻尼比	$\lambda_1=-\xi\omega_n+\sqrt{\xi^2-1}\omega_n=-1/T_1$ $\lambda_2=-\xi\omega_n-\sqrt{\xi^2-1}\omega_n=-1/T_2$ $\omega_n = 1/\sqrt{T_1T_2}$ $\xi = \frac{1}{2}\frac{1+T_1/T_2}{\sqrt{T_1/T_2}}$ $h(t)=1+\frac{1}{T_2/T_1-1}e^{-\frac{1}{T_1}t}+\frac{1}{T_1/T_2-1}e^{-\frac{1}{T_2}t}$	查图法：见图1，已知 $\frac{T_1}{T_2}$ ，查找图1得到： $t_s/T_1=x$ ，由此可知， $t_s=x*T_1$
欠阻尼二阶系统		$h(t)=1-\frac{e^{-\xi\omega_nt}}{\sqrt{1-\xi^2}}sin(\sqrt{1-\xi^2}\omega_nt+\beta)$	$t_p=\frac{\pi}{\sqrt{1-\xi^2}\omega_n}$
			$\sigma\%=e^{-\xi\pi/\sqrt{1-\xi^2}}$
			$t_s=\frac{3.5}{\xi\omega_n}$

注：ts均表示进入5%误差带。

图1：过阻尼系统，T1/T2与ts/T1的关系曲线

二、利用根轨迹分析系统动态性能

针对此控制结构：

（一）、绘制系统根轨迹

1.根轨迹方程

1+KG(s)H(s)=0-->KG(s)H(s)=-1

模值条件：|KG(s)H(s)|=1(闭环极点到所有开环零点距离之积/闭环极点到所有开环极点距离之积)

相角条件：

$\angle G(s)H(s)= \sum_{j=1}^{m}\angle (s-z_j)- \sum_{i=1}^{n}\angle (s-p_i)=(2k+1)\pi k=0,1...(n-m-1/m-n-1)$

（n-m-1/m-n-1）取决于系统分母阶次和分子阶次那个高。

2.根轨迹绘制步骤

（1）开环传递函数零极点确定：

a.求解根轨迹增益K从0 $\rightarrow \infty$ 的闭环根的变化：直接在复平面绘制 $G(s)H(s)$ 的开环传递函数的零极点；

b.求解除K以外的参数从0 $\rightarrow \infty$ 的闭环根的变化：首先需要根据开环传递函数，写出标准特征方程1+GH=0；其次，构造等效开环传递函数，含变参的放分子，不含变参的放在分母；若此时分子阶次高于分母阶次，则将变参取倒数。

举个栗子1：

单位反馈系统的传递函数为 $G(s)=\frac{615(s+16)}{s^2(Ts+1)},T=0\rightarrow \infty$ ，绘制根轨迹。

写出标准特征方程， $Ts^3+s^2+615s+15990=0$

$\Rightarrow s^3+\frac{1}{T}(s^2+615s+15990)=0$

$\Rightarrow 1+\frac{\frac{1}{T}(s^615s+15990)}{s^3}$

$\Rightarrow G^*(s)=\frac{\frac{1}{T}(s^2+615s+15990)}{s^3}$

将问题从 $T=0\rightarrow \infty$ 转化为 $\frac{1}{T}=0\rightarrow \infty$ ，此时根轨迹方向刚好相反。

（2）根据开环零极点，根轨迹绘制法则，绘制闭环根轨迹。

3.根轨迹绘制法则

1.根轨迹的起点和终点：根轨迹起始于开环极点，终止于开环零点；如果开环极点个数n>开环零点个数m，则有n-m条根轨迹终止于无穷远处。

2.根轨迹的分支数，对称性和连续性：根轨迹的分支数=系统阶次（一般分子阶数比分母阶数高，即一般情况下等于极点个数），根轨迹连续且对称于实轴。

3.实轴上的根轨迹：从实轴最右端的开环零、极点算起，奇数开环零、极点到偶数开环零、极点之间的区域必是根轨迹。

4.闭环根之和： $\sum_{i=1}^{n}\lambda _i = C(n-m\geq 2)$ ： $n-m\geq2$ 时，闭环根之和保持一个常值。推论-- $n-m\geq2$ 时，一部分根左移，另一部分根必右移，且移动总量为0。（可以粗略判断分离点的位置）

定理：若系统有2个开环极点，1个开环零点，且复平面存在根轨迹，则复平面的根轨迹一定是以零点为圆心的圆弧。

5.渐近线：与实轴交点： $\sigma_a=\frac{\sum_{i=1}^{n}p_i-\sum_{i=1}^{n}z_i}{n-m}$

渐进线与实轴夹角： $\varphi _a=\frac{(2k+1)\pi}{n-m}$ k=0,1…n-m-1（m-n-1）

n>m时，n-m条根轨迹趋于无穷远处。

6.分离点d: $d=\sum_{i=1}^{n}\frac{1}{d-p_i}=\sum_{i=1}^{n}\frac{1}{d-z_i}$ (对应实轴上重根)

多项式重根的充要条件：

7.与虚轴交点：a,系统临界稳定点；b,s=jw是根轨迹方程的根；

$Re[D(jw)]=0$

$Im[D(jw)]=0$

8.出射角/入射角（起始角/终止角）： $\sum_{j=1}^{m}\angle (s-z_j)-\sum_{n=1}^{m}\angle (s-p_i)=(2k+1)\pi$ (相角条件)

4.MATLAB绘制根轨迹

num=[num1,num2,num3,…];                  %开环传函分子多项式系数
den=[den1,den2,den3,den4,…];             %开环传函分母多项式系数
sys=tf(num,den);                         %系统传递函数模型
rlocus(sys);                             %绘制系统的根轨迹图
rlocfind(sys);                           %寻找根轨迹上特殊点的值
poles=rlocfind(sys,20)                   %当2根轨迹增益=20时根轨迹闭环特征根
k=rlocfind(sys,1.56i)                    %根轨迹闭环特征根=1.56i时，对应根轨迹增益

（二）、根据闭环根轨迹分析系统性能

绘制栗子1 $\Rightarrow G^*(s)=\frac{\frac{1}{T}(s^2+615s+15990)}{s^3}$ 的根轨迹如图：

由根轨迹结合系统动态性能分析，可大致判断，当根轨迹增益1/T>2410即T<0.000415时， $\xi>1$ ，过阻尼系统单调稳定，无超调量；

当根轨迹增益2410>1/T＞25.4即0.000415<T<0.0394时， $0<\xi<1$ ，欠阻尼系统震荡衰减稳定，有超调；

当1/T>0.0394时，系统震荡发散。

参考：卢京潮：第15节课4.3 广义根轨迹（上）_哔哩哔哩_bilibili

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自控原理-利用根轨迹分析系统动态性能

的闭环根的变化：首先需要根据开环传递函数，写出标准特征方程1+GH=0；其次，构造等效开环传递函数，含变参的放分子，不含变参的放在分母；定理：若系统有2个开环极点，1个开环零点，且复平面存在根轨迹，则复平面的根轨迹一定是以零点为圆心的圆弧。由根轨迹结合系统动态性能分析，可大致判断，当根轨迹增益1/T>2410即T开环零点个数m，则有n-m条根轨迹终止于无穷远处。3.实轴上的根轨迹：从实轴最右端的开环零、极点算起，
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