芯片制造中的软力量（下）

作者：李剑

首发于公众号：常垒资本（ID：conswall_cap）

前文回顾：

6

TCAD（工艺和器件仿真）

• 1. TCAD简介

1.1. 什么是TCAD

随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。

TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验；也可以对不同器件结构进行优化，获得理想的特性；还可以对电路性能及电缺陷等进行模拟。

技术进步伴随着设计复杂性的增加，导致了TCAD软件功能及其使用越来越复杂。

1.2. 典型IDM中的半导体工程组

专门研究半导体但没有任何行业经验的大学生可能想知道如何组织典型的半导体公司中的研发团队。确实，各个公司的确切名称和功能有所不同，但基本的组功能是相似的。典型的IDM有几组人专注于器件和IC设计的不同方面。

图 典型IDM中的器件工程组4典型IDM中的器件工程组

 

上图举例说明了一个公司的器件研发小组：带有“（T）”的小组广泛使用TCAD工具。箭头指示组之间的支撑方向。

例如，器件设计小组将支持IC设计小组，同时与紧凑型建模和ESD小组密切协调。但是，箭头方向并不一定意味着一个方向的支持：大多数工作是在公司内部合作完成的，即使这些小组在不同的地点甚至在其他国家/地区开展业务也是如此。

请注意，不同的公司根据其独特的市场状况和公司策略而具有非常不同的组定义。例如，一些较小的公司可能没有单独的TCAD支持小组。器件工程师倾向于能够同时执行TCAD仿真，器件设计和工艺集成，而一些大型企业可能会雇用特定的TCAD工程师来进行仿真工作。

一些最大的公司甚至开发自己的TCAD软件并对其进行校准以适合他们自己的工艺。对于高级CMOS技术开发而言尤其如此，需要做大量工作才能使TCAD工具准确地适应先进工艺，而这通常涉及量子效应。

• 2. 概况介绍

2.1. 需求

根据国际半导体技术路线图（ITRS），技术计算机辅助设计（TCAD）可以通过减少实验批量和缩短开发时间来将技术开发成本降低多达40％。考虑到产品开发和新晶圆制造设施的成本不断上升，这一点意义重大。重要的是要更好地理解工艺变量与电子器件参数之间的相关性。

TCAD工具可洞悉影响可制造性和良率的许多物理效应。通过对原型晶圆进行适当的校准，TCAD可以准确预测新技术节点的器件性能。

基于TCAD的晶体管设计可在技术开发的早期阶段使用，以在工艺设计套件（PDK）中引入准确的统计可变性和可靠性信息。这些信息对于设计人员而言非常重要，可以缩短产品上市时间，避免过度设计，提高良率并减少昂贵的芯片设计工艺成本。前端和后端制造工艺之间差距的缩小是电子市场和设计工具面临新挑战的典型例子。

近年来，随着制造设计（DFM）和可靠性设计（DFR）方法的发展，设计和工艺工程师之间的交互作用范围已扩展到各个方面。结合晶圆数据，TCAD的优势在于对器件的预测，以及由于布局以及制造过程中的随机变化而导致的互连可变性。

通过TCAD获得的知识可以封装到适当的模型中，并有效地用于工艺优化，最终导致设计更可靠。可变性信息也可以通过统计紧凑模型整合到设计工具中。最终，这导致了改进的设计流程，可以全面解决参数良率和可制造性问题。

2.2. TCAD的作用

要了解先进器件设计所面临的挑战，必须首先了解器件设计人员可用的设计参数及其重要性。器件设计的目标是获得具有高性能，低功耗，低成本和高可靠性的器件。

下图显示了传统的器件设计流程。

图：没有仿真的技术设计流程

 

实际上，无需经过昂贵且费时的制造过程，而是可以使用计算机仿真来快速，廉价地预测器件设计的电学特性。TCAD还可以用于降低设计成本，提高器件设计生产率以及获得更好的器件和技术设计（下图）。

TCAD主要由过程设计和器件仿真两部分组成。

图：基于TCAD的技术设计流程

2.3. TCAD：挑战

TCAD现在是半导体建模和设计中不可或缺的一部分。在半导体行业中，制造集成电路（IC）的核心生产过程发生在前端制造设施中。晶片要经历由特定数量的处理步骤组成的特定处理序列。

现代复杂的半导体制造过程包括大量的处理步骤，较长的处理时间，不同工具之间的动态交互以及工具性能与产品质量之间的复杂相互关系。

半导体制造通常涉及数百个处理步骤，数月的处理时间，可重入的工艺流程以及工具性能与良率之间不可预测的关系。

随着半导体工艺变得更加复杂（例如，对于鳍式场效应晶体管[finFET]结构）和计算算法越来越复杂，可用性变得更加严重。而且，精确的TCAD仿真和物理器件建模严重取决于校准的物理模型和适当的输入数据。

随着互补金属氧化物半导体（CMOS）和双极技术的缩小，许多次级效应变得更加明显，例如漏极引起的势垒降低，工艺变化，栅极隧穿泄漏，迁移率降低以及功耗增加。这些次级影响导致鲁棒的电路设计和系统集成方面的巨大挑战。

随着器件密度的成倍增长，正在接近基本的物理极限，并且设计约束正成为严重的问题。描述，设计，建模和模拟这种纳米级半导体器件的传统方式以及连续电离的掺杂剂电荷以及平滑边界和界面的假设不再有效。结果，TCAD正受到许多基本问题的挑战，例如微观扩散机制，量子输运，分子动力学，量子化学和高频互连仿真。

当今的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）真正具有原子性，因为它们已达到90 nm技术节点中具有40–50 nm物理栅极长度的器件的10nm（10至100 nm）的尺寸，而10 nm MOSFET具有在研究环境中得到证明。

TCAD要成功处理当前的工艺/器件模拟问题，面临的一些主要挑战是：

应力/应变可影响点缺陷浓度和迁移，掺杂剂激活以及缺陷成核和演化。所有这些问题和新材料都需要包含在过程仿真中，以保持其对未来技术节点的实用性。在进一步缩放时，应力源将彼此靠近，并且硅体可能会更薄。

现代制造系统要求对迅速变化的环境具有适应性。特别是，半导体加工设备中产品，工艺或设备的频繁更改会降低用于更稳定环境中的经验模型的价值。

2.4. TCAD：2D与3D

过度的缩放会导致复杂的物理现象，从而影响器件的行为，而小尺寸则严重限制了测量的描述能力。器件的小型化也导致了新材料和体系结构的引入，从而使晶体管结构变得复杂。

TCAD作为实验运行的补充，提供了一种更全面的方法来表征技术并优化其性能。当前的TCAD工具的应用空间包括半导体技术的开发-从深亚微米逻辑，存储器，太阳能电池和传感器到复合半导体和光电。

在过程和物理级别进行计算机仿真时，需要越来越复杂的器件建模。考虑到器件处理的困难，需要通过器件物理分析来进行器件设计和优化。

3D集成技术与现有的CMOS制造工艺高度兼容，从而使3D技术成为IC行业的理想选择。

3D集成技术具有几个优点，可以提高性能和功能，同时降低成本。在3D技术中，多个裸片以单片形式堆叠，其中裸片之间的通信通过垂直硅通孔（TSV）实现。

尽管具有重要的优势，但是3D集成仍存在一些需要解决的挑战。TCAD的传统角色是基于连续体的大规模2D / 3D仿真。为了在仿真和制造的设备特性之间实现更好的匹配，需要使用3D工艺/器件仿真器作为验证工具来验证仿真结果。

2.5. TCAD设计流程

新产品从设计到制造时间的缩短要求采用新技术的快速设计周期。因此，TCAD工具的激增对产品开发产生了重大的经济影响。

实际上，有效使用TCAD工具可以节省大量用于校准过程和器件参数的实验时间，并可以最大程度地减少反复试验的次数。为了开发通用的框架和系统的方法来使用TCAD来帮助技术开发和电路设计，重要的是要了解TCAD的性质并充分利用它。

随着TCAD工具的成熟，可以通过工艺仿真来模拟真实的晶圆制造（RWF），从中可以生成实际的器件结构和掺杂分布，并且可以通过器件仿真以合理的精度表征晶体管的性能。

制造集成电路的多层设计流程如下图所示。

图：紧凑的多层技术/器件/子系统建模流程 参考文献

2.6. 扩展TCAD

当前TCAD的使用主要限于过程和器件仿真；但是，它可能会扩展到适用于电路和系统级分析的紧凑模型的开发。竞争日益激烈的IC市场需要使用TCAD的新设计方法。

无晶圆厂公司还需要量化最终产品对工艺参数的敏感度，并针对特定应用对其进行定制，以优化TCAD在其中可以发挥重要作用的大批量生产的性能。

从这个角度来看，TCAD的传统角色需要扩展到高级高级方法和基本的低级方法。还需要扩展TCAD，以研究过程可变性并在超大规模集成电路（VLSI）电路性能评估中使用过程参数分析。

电路仿真对于IC的设计必不可少，而紧凑的器件模型是电路仿真的重要组成部分。技术的扩展正在增加半导体器件电性能的复杂性和非理想性。

除了提供深刻的见解（尤其是针对大规模扩展的器件）之外，TCAD仿真还可以帮助生成预测模型，这些模型对于减少电路开发时间和半导体行业的成本起着至关重要的作用。

器件建模在半导体制造中也起着重要作用，尤其是对于器件要求的日益多样化而言。

紧凑型模型通常包括从设备电气行为获得的类似于SPICE的参数。同样，需要仔细估计类似于SPICE的参数的变化，以实现可接受的模型预测性，包括过程产量评估。因此，紧凑的模型提取工具变得非常重要。

对于产品质量保证的每个方面，DFR都已变得不可缺少，它需要通过各种抽象级别在设计流程中实施。作为低级方法，重要的是要了解所涉及的基本物理学并将其纳入模型中。越来越需要了解工艺变化对电路性能的影响。

使用校准的TCAD仿真，可以研究轻微工艺变化对器件特性的影响。具有过程意识的SPICE模型提供了一种将过程变化信息带入设计领域的方法。

使用TCAD工具，还可以定量研究许多可靠性问题。例如，界面的热载流子退化，负偏置温度不稳定性（NBTI）应力期间的阈值电压偏移，辐射效应和软错误，静电放电（ESD）和闩锁，热机械问题，电迁移和应力空隙。

2.7. 工艺紧凑模型

由于集成密度的提高（超过十亿个组件），设计的复杂性正在不断提高，这导致了纳米级物理仿真与早期大尺寸IC设计之间的巨大差距。随之而来的是，由于特征尺寸非常小，设备中的参数变化也很大。

制造范例的TCAD有效地加强了技术开发与制造之间的联系。TCAD建模算法需要注意设计布局与制造过程之间的相互作用，从而创建依赖于布局模式的系统良率模型，其中包括诸如光刻，蚀刻和层间介电化学机械抛光（CMP），铜CMP，和浅沟槽隔离CMP。产量优化已成为降低产品成本的最重要因素。

使用工艺紧凑模型（PCM），制造工程师可以分析工艺敏感性，更新工艺并确定关键工艺步骤以提高整体工艺能力以提高产量。TCAD的制造（TFM）范式有效地加强了技术开发与制造之间的联系。

2.8. 流程感知设计

还需要开发一种系统的方法来识别和表征晶体管性能变化的主要来源。

Synopsys的Paramos是最早的将过程和电路仿真链接在一起的自动化软件程序之一。它代表了设计和制造之间的新桥梁，即过程感知晶体管模型。

具有过程意识的设备建模涉及对几何变化（例如，不均匀的横向尺寸，非理想的横截面，原子级的掺杂物波动）对IV特性（包括量子效应）的影响的研究。

除了增加设备结构和行为的复杂性之外，正在寻求以负担得起的计算成本评估可变性的技术。一个过程感知设计需要基于将几何数据与电气特性相关的一组正交参数来开发模型。

2.9. 制造设计

DFM包含三个阶段：物理设计，分辨率增强技术和设计驱动技术。TCAD的预测潜力取决于工艺变化，随着器件缩小到纳米范围，工艺变化变得越来越关键。例如，诸如线边缘粗糙度（LER）和随机掺杂物波动（RDFs）之类的现象会使器件参数分布变宽，因此需要进行统计分析。

DFM和成品率设计（DFY）需要使用EDA工具，该工具应充分理解新颖技术概念的影响及其对器件和互连工艺可变性的影响。

DFM协作平台旨在通过加入过程和电路仿真器以及实现定量DFM所需的一组过程表征实验来应对这一挑战。在22 nm及以后的节点上，工艺变化将随着特征缩放和引入新材料和新技术（例如应变工程）而增加。

现在，TCAD在DFM中得到了很大的重视。TCAD解决了可变性，因为它以准确，经过校准的工艺和器件模型补充了硅计量数据。这本质上是一个多学科的问题，需要一个过程/器件/设计框架来获得最佳解决方案。

2.10. TCAD校准

考虑到各种需求，很自然地要求对过程仿真对过程开发有用的置信度。实际上，在技术概念，对其效果的定性理解以及TCAD内的定量复制之间通常存在延迟。为了准确地表征设备，必须校准TCAD工具套件中的工艺和器件模拟器。

2.11. 技术助推器

尽管1980年代和1990年代该行业的主要焦点是双轴应变硅器件，，但当前的焦点已转移到单轴应力上。单轴应力比双轴应力具有多个优势，例如更大的迁移率增强和阈值电压的较小偏移。

在应变增强型平面MOSFET的鼓励下，