半导体器件物理【21】PN结 —— 载流子分布、正偏反偏

已于 2022-07-05 16:30:54 修改
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分类专栏： semiconductor 文章标签： 线性代数 概率论 几何学
于 2021-12-21 04:06:23 首次发布
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本文介绍了PN结的载流子分布情况，包括正偏和反偏状态下的特点。在正偏状态下，空间电荷减少，势垒降低，扩散电流占优；反偏则相反，空间电荷增加，势垒升高，漂移电流为主。此外，详细探讨了扩散区非平衡少数载流子分布和电流密度，最终导出了肖克利方程。

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半导体器件物理【19】PN结 —— 制造方法、空间电荷区、PN结平衡态
痛苦的时候装出幸福相，这不是那么难做到的事
12-21 3099
前言 目录前言PN结PN结制造方法合金法扩散法离子注入法PN结平衡态空间电荷区电流密度       \;\\\;\\\; PN结 一块N型半导体和一块P型半导体结合在一起，交界处形成PN结 或 同一块半导体内N型区与P型区的边界   \; PN结是一块非均匀的半导体。 在任何非均匀半导体中，热平衡时必须具有统一费米能级，即各处费米能级在同一水平面上！       \;\\\;\\\; PN结制造方法 合金法 500°C500 °C500°C 加热溶解杂质金属，在金属下面的半导体衬底中产生PN结 这是
PN结
gitfight
06-07 1万+
一直不太能理解PN结问题，今天学习了来做一做总结。 PN结正向偏置：低阻状态，导通状态 PN结反向偏置：高阻态，近似于截止状态 PN结电流方程： UT：等效电压——>KT/q Is：反向饱和电流 阳极为P区，阴极为N区 PN结的电容效应 ： (1) 势垒电容CB ：（耗尽层宽窄变化）（反偏） (2) 扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏...
PN结图示(全网都不舍得放的图片)
loveboon1的专栏
12-23 4353
PN结图示(全网都不舍得放的图片)
二极管知识总结 (正向偏置pn结变窄 反向偏置pn结变宽)
建建的博客
08-18 7615
在电场力的作用下, 自由电子的运动称为漂移运动, 在二极管中, P在左侧, N在右侧, PN结形成的电场力会让自由电子往右移, 自由电子从二极管的左边(P型)往右边(N型)移动称为漂移运动,形成的电流称为漂移电流, 由于P型里自由电子是少子, 所以漂移电流的自由电子量很少. 漂移运动与电场力有关系,但由于P型的自由电子是少子, 所以电场力的提升不能立即提升电流量. 由于运动的自由电子在这里是少子,所以漂移运动又称为少子漂移....
半导体物理 第八章 p-n结
Qing_XN的博客
03-24 774
大注入时，（少子浓度可以与多子浓度相比，少子吸引多子，而多子也要顺着少子扩散的方向扩散，于是破坏了电中性条件，产生了一个内建电场，这个电场正好抵消了多子的扩散电流，但这个内建电场会使少子的运动加速，于是有一部分正向电压降落在了少子扩散区，因此等效电压分配会小，电流增大变慢），m=2。对空穴来说，在p区是漂移电流，到n区后成为少子，变成扩散电流并慢慢减小（与电子复合，电子漂移电流增加，因为空穴减少复合率低）。载流子浓度梯度，导致扩散，破坏电中性，产生自建电场，从而产生漂移电流，达成动态平衡，最终是净零电流。
DP读书：《半导体物理学（第八版）》（六）PN结 - 3 min 速通（载流子分布）
DarrenPig的博客
05-27 1201
PN结形成后，由于存在空间电荷区，能带会发生弯曲，导致P区能带相对N区上移，N区能带相对P区下移，直至两者费米能级相等，达到动态平衡。PN结接触电势差是指PN结两侧导体与半导体之间接触形成的电势差，其值与PN结的材质、掺杂浓度、结面状态以及温度有关。最近都在忙，一晃就两三个月过去了。
电子技术——PN结电流关系方程
jiahonghao2002的博客
02-29 8828
平衡状态下的PN结界面总共有两种电流，一种为另一种为。两种电流形成的平衡区域称为。在平衡状态扩散电流等于漂移电流，此时静电流为0，PN结外部没有电流：图中ID​为扩散电流，IS​为漂移电流。xn​为耗散区n区域长度，−xp​为耗散区p区域长度，W为耗散区宽度。nn​为n区域主要载流子（电子）密度，等于掺杂浓度ND​pp​为p区域主要载流子（空穴）密度，等于掺杂浓度NA​。pn0​为n区域次要载流子（空穴）密度，满足pn0​。
模电之半导体基础篇2（PN结）
Viewinfinitely的博客
06-30 1万+
文章目录一、PN结的形成二、PN结的动态平衡三、PN结的正反偏置四、电流的估算、PN结的击穿性五、PN结的电容 一、PN结的形成 1、过程 使用工艺，将P区域N区分散在左右两边，在浓度差作用下：电子从N取向P区扩散，空穴从P区向N区扩散 2、PN结 经过这样的多子（N区电子与P区空穴）互相扩散的过程之后，会在P区和N区的交界面上，留下一层不能移动的正离子（N区）、负离子（P区）。该层称作空间电荷层、阻挡层、耗尽层，即所谓的PN结。 二、PN结的动态平衡 1、扩散： 多子才会扩散，电子从N取向P区扩散，空穴
PN结原理和对三极管反向偏置能导通的思考
渣哥笔记
11-25 1万+
目录前言本征半导体本征激发复合杂质半导体N型半导体P型半导体PN结PN结的形成PN结的正向偏置PN结的反向偏置二极管三极管三极管的放大状态结论 前言 最近看完PN结和三极管的科普视频，有一件事没想通。对于NPN型三极管，工作在放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。那么问题来了，集电结反偏时，为什么还会产生集电结->发射结的电流？ 为了搞清楚这个问题，在网上查了一些资料，并综合自己的理解写下了这...
pn结工作原理
shendeguang的专栏
02-22 2万+
pn结工作原理 1.2.1 PN结的形成     在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体 1.2.1 PN结的形成      在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:         因浓度差             ↓      多子
元器件应用中的半导体pn结物理特性-pn结二极管的单向导电性
11-15
在电子技术领域，半导体PN结是至关...总之，PN结的单向导电性是半导体器件的基础，这一特性使得二极管成为电子电路中不可或缺的组件。通过理解其物理原理和伏安特性，我们能够更好地设计和优化电路，满足各种应用需求。
半导体器件物理：半导体器件物理重要知识点.ppt
09-21
本资源总结了半导体器件物理的重要知识点，涵盖了半导体器件的核心知识领域，包括二极管、双极结型晶体管、金属-半导体结、场效应晶体管等。下面是该资源的详细知识点总结： 知识领域 A：二极管 * PN 结二极管的...
半导体器件物理：第1章 半导体物理基础.pdf
06-17
本章节主要介绍半导体器件物理的基础知识，涉及到半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电荷转移器件、太阳电池与光电二极管、发光管与半导体激光器等内容。...
半导体 pn 结的原理
DanielZql的博客
10-15 1万+
请先看这个回答，理解一下什么是能带和载流子，半导体的导电性是怎么来的。 导带、价带、禁带、允带都是什么逻辑关系？ - 知乎 然后再解释PN结。 首先假设我们有一块同一种单晶硅制成的P型半导体和N型半导体，他们的导带和禁带能级是一样的，唯一的区别是掺杂能级的位置：   由于掺杂能级的不同，P型半导体和N型半导体具有不同的电子分布和费米能级。纯粹的P型半导体，费米能级位于价带与掺杂能级之...
外加偏压下少子浓度分布
weixin_45293089的博客
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少子浓度分布
一文彻底搞懂PN结及其单向导电性（图解说明）
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09-24 2万+
此时流入P区的电子会和其中的空穴结合，流入N区的空穴会和其中的电子结合，因此导致两区的多数载流子浓度都降低，因此耗尽层宽度增加，阻碍了扩散运动，由于没有多子的形成和扩散，也就不会有以多子移动而产生的电流了，此时PN结不导电。那么根据物质普遍是从高浓度区域向低浓度区域移动的这一定理，在N区的电子会向P区移动，同样P区的空穴会向N区移动。由于电池持续向N区提供电子，向P区提供空穴，我们把空穴运动反向变为电子的运动，会发现此时电子运动的方向与电源供电工作方向一致，因此此时正向导电。P型半导体和N型半导体都是呈。
半导体PN结
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半导体PN结 一、PN结的形成 1. PN结的组成 由一块P型半导体和一块N型半导体合在一起的中间部位称为PN结 2. 扩散运动与漂移运动 扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，在PN结中表现为多子向对方扩散 漂移运动：载流子（自由电子和空穴）在电场力的作用下定向移动的过程 3. PN结的作用机理 多子的扩散运动会使得部分多子在进入对面区域后发生复合，产生一个空间电荷区。 在这个空间电荷区中，P区充满不可移动的负离子，N区充满不可移动的正离子，因此会产生一个内电场，方向从N极指向P极
模电基础学习（一）——PN结
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杂质半导体与PN结的部分基础知识
PN结的理解二
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①PN结的单向导电性： PN结外加正向电压（又称正向偏置，简称正偏） 外加正向电压后，空间电荷区变窄，内电场被削弱，多子的扩散得以加强，少子的漂移减弱，扩散电流远大于漂移电流，有利于扩散运动的进行，电路中存在较大的正向电流。在PN结上加上一个很小的正向电压，可以得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻R。 ②PN结外加反向电压（反向偏置） PN结外加反向电压，外电场方向与内电场方向一致，空间电荷区变宽，内电场增强，不利于多子的扩散运动，有利于少子的漂移运动。在电路中形成了以少子的漂移反向电流。由于少子
三极管正偏反偏
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### 三极管的正偏和反偏工作原理 三极管作为一种重要的半导体器件，在其正常工作中涉及两个关键的概念——正偏（Forward Bias）和反偏（Reverse Bias）。这些概念主要用于描述三极管内部PN结的状态。 #### PN结的基础 三极管的核心是由两个PN结组成的，分别是发射结和集电结。为了理解正偏和反偏的工作机制，首先需要了解PN结的行为特点。当PN结处于正向电压下时，它会导通；而在反向电压作用下，则表现为高阻态[^2]。 #### 发射结的正偏 对于NPN型三极管而言，如果基极相对于发射极为正电压（即V_BE>0），那么发射结就进入了正偏状态。此时，大量的多数载流子能够穿越耗尽层进入另一侧区域，从而形成较大的扩散电流。这种情况下，发射极注入到基区的有效电子数量显著增加，进而促进了整个放大过程的发生[^1]。 相反地，在PNP型三极管里，若使基极相对发射极呈现负电压(V_BE<0)，同样可以使该类型的发射结达到正偏条件并启动相应操作模式[^3]。 #### 集电结的反偏 与此同时，为了让三极管发挥信号放大的功能，通常还需要保持集电结处于反偏条件下运行。具体来说就是让集电极相对于基极施加更高的绝对值电压(对于NPN型为正值,V_CB>0;而对于PNP型则应设置成负值,V_BC<0)[^1]。由于此状态下只有少数载流子可以通过漂移运动贡献给总电流成分,所以整体电阻显得非常高. 值得注意的是尽管存在这样的配置安排,但由于之前提到过的大量来自发射极方向过来参与交互作用下的准粒子们依旧可以在特定区域内维持高效传输效率,最终达成预期效果--实现对输入端口微小变化量级上的电信号加以倍增处理后再由输出端释放出去的目的.[^3] ```python # 示例代码展示如何通过Python模拟简单的BJT模型参数计算部分场景数值关系 def bjt_current_gain(beta, I_B): """ 计算基于给定β值(base current amplification factor) 和 基极驱动电流Ib 的集电极电流IC 参数: beta (float): BJT当前工作的共射极电流增益系数 β I_B (float): 流入基极的实际直流偏置电流 Ib 返回: float: 对应产生的集电极负载支路中的实际流动强度 IC """ return beta * I_B if __name__ == "__main__": example_beta = 100 # 设定一个假设性的固定beta值作为例子演示用途 base_current = 0.02e-3 # 输入设定好的基础测试用例数据 - 即指定某时刻流入base节点处的具体安培数大小 collector_current = bjt_current_gain(example_beta, base_current) print(f"Given Beta={example_beta} and Base Current={base_current*1e3:.2f}mA,\n" f"The resulting Collector Current is {collector_current*1e3:.2f}mA.") ``` 以上脚本片段仅用于教学目的说明可能涉及到的一些理论推演方法论层面的东西而已，并不代表真实世界应用环境当中精确建模所需考虑的所有因素集合体。 ---
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