【射频知识】PCB材料/层叠/信号注入设计与传输线实现形式的性能比对

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前言

PCB的设计从基础的模型到实际加工的实现形式，都需要注意，才能使最终加工出来的PCB达到我们预期的设计指标。

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一、PCB材料的选择

微波PCB(印刷电路板)中常用的覆铜板包括两种：

— 基于PTFE（聚四氟乙烯）

• Woven-glass（玻璃织物）
• Non-Woven-glass
• Filled PTFE woven or non-woven-glass

— 基于Hydrocarbon（碳氢化合物）

• Ceramic（陶瓷） filled
• Woven-glass（玻璃织物）
• Non-Woven-glass

Woven-Glass PTFE

Woven-Glass ceramic filled PTFE

Woven-Glass ceramic filled hydrocarbon

Non-woven-Glass ceramic filled PTFE

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1.PCB材料的主要参数

• Dielectric constant 介电常数
• Dielectric loss 介电损耗
• TCDk 介电常数的热变化率
• Moisture absorption 吸湿性
• Thermal conductivity 导热系数
• CTE 热膨胀系数
• Peel strength 剥离强度
• Copper roughness 铜皮粗糙度

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2.介电常数

介电常数：
Dielectric Constant (Relative Permittivity, 𝜀𝑟, Dk……)

对于一款PCB的材料，其资料手册上通常分为过程Dk（Process Dk）和设计Dk（Design Dk）两个参数。

• 过程Dk：根据特定的行业标准测试方法得到的原材料测试Dk值(按IPC-TM-250 2.5.5.5c进行夹紧带状线测试)
• 设计Dk：电路设计和建模时建议的Dk值。Dk值是通过电路测试，使用微带差分相位长度法得到的。

高Dk值的材料会使电磁波变慢

除了高Dk值的基板，粗糙的铜箔表面也会减慢波的传播速度


使用相同的基材，但使用不同的铜类型和不同的铜表面粗糙度。测试得到的相对介电常数如下图：

可以看出，铜表面较粗糙(RMS较高)的电路具有较高的有效Dk值。

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3.插入损耗

PCB的插入损耗对于许多的应用都是一个重要的考察指标。

${\alpha }_T={\alpha }_C+{\alpha }_D+{\alpha }_R+{\alpha }_L$

其中，
${\alpha }_T$ 表示插入损耗或整体（Total）损耗
${\alpha }_C$ 表示导体（Conductor）损耗
${\alpha }_D$ 表示介质（Dielectric）损耗
${\alpha }_R$ 表示辐射（Radiation）损耗
${\alpha }_L$ 表示泄露（Leakage）损耗

了解插入损耗的哪一部分占主导地位，对理解插入损耗的变化非常有帮助。

测试三组电路如下图，使用相同的材料，但厚度不同。
薄电路主要由导体损耗(通常是铜粗糙度)决定。
厚电路主要是介质损耗(主要与Df有关)决定。

${\alpha }_{cond,rough}={\alpha }_{cond,smooth}\ast K_{SR}$

$K_{SR}=1+\frac{2}{\pi }arctan(1.4[\frac{R_q}{\delta }{]}^2)$

对于确定的铜箔，已知 $R_q$ ,则有：
频率增加，趋肤深度减小；$K_{SR}$ 增加，${\alpha }_{cond,rough}$ 增加。

因此，趋肤深度对于高频信号是一个重要的导体损耗的组成成分。当趋肤深度与表面粗糙度接近或小于表面粗糙度时，表面粗糙度会显著增加导体损耗，改变导体的传播常数。

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4.TCDk 与 Moisture absorption

任意层压板的Dk值都会随温度的变化而变化，一般的经验法则是，TCDk为|50| ppm/°C或更少被认为是好的。RO3003™层压板的TCDk为-3 ppm/℃

Moisture absorption有时也是非常重要的。
下图显示了仅3天的85/85测试造成的插入损耗及设计Dk值差异：

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5.玻璃编织（Glass weave）的影响

许多层压板都有玻璃编织（Glass weave）织物来加固基材的机械性能，其所使用的玻璃束的Dk值一般在6左右，而在束间开放区域层合板的Dk要低得多，一般在2.1 ~ 3左右，这取决于树脂体系。因此玻璃编织效应会对高频电路的电性能产生负面影响。


考虑到在较高频率下信号具有非常小的波长，由于玻璃编织图案的对齐，同一电路上的导体可能具有不同的相位响应。

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6.介质层厚度的影响

• 通常，低频应用将使用较厚的基片以获得更宽的导体宽度，这有助于增加导体中的电流和改善电路的热管理。
• 更高频率的应用将使用更薄的基板。在毫米波频率下，通常需要更薄的衬底来避免不必要的共振、杂散模式和过度的辐射。

毫米波频率应用的辐射损失将会是一个重要的问题。
信号导体和地平面之间可以产生共振：

共振也可以在信号导体的相对边缘之间产生：

• 当W为1/2或1/4波长时，会产生共振，并且共振会产生自己的电磁波。
• 共振产生的电磁波将会是一个杂散波，它会干扰预期的准TEM波；一个好的设计限制是没有任何特征尺寸＞1/8波长。

因此，厚度可能是一个问题，但通常导体宽度更重要。
例如使用0.0166’‘厚度的RO4350B™基板，当导体宽度为0.036’'（50Ω微带线宽）时：

• 对应46.5GHz的1/4波长为0.036’’
• 对应23.8GHz的1/8波长为0.036’’

当传输线全部处在空气或者真空中时，$V_{\phi }=c=3\times 10^{8}m/s$；

当传输线全部处相对介电常数为${\epsilon }_r$的介质中时，则$V_{\phi }=\frac{c}{\sqrt{{\epsilon }_r}}$；

微带线的部分电场在介质中，部分在空气中，空气和介质对其相速都有影响，其影响相对大小，由电场在这两部分占据范围的相对大小以及介质和导体边界的形状与尺寸所决定，但可以肯定，其相速一定在 $c$ 和 $\frac{c}{\sqrt{{\epsilon }_r}}$ 范围之间。因此，我们引入有效介电常数 ${\epsilon }_e$ 这一参量来表示此种影响，则有：

$V_{\phi }=\frac{c}{\sqrt{{\epsilon }_e}}$

对于 ${\epsilon }_e$ 的值有许多近似公式，多是 $W/h$ 的值来划分。此处只给出一种近似公式：

${\epsilon }_e=\frac{1+{\epsilon }_r}{2}+\frac{{\epsilon }_r-1}{2}(1+\frac{10h}{W}{)}^{-0.5}$

测试结果表明，1/8波长后的插入损耗曲线有越来越多的噪声。

表面粗糙度较大的铜导体损耗较大。使用相同的材料，但使用不同的厚度和不同的铜类型，薄电路比厚电路更容易受到导体损耗差异的影响。
压延铜的粗糙度为~ 0.35微米均方根；这种特殊的ED铜的粗糙度约为2.0微米均方根。

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7.铜层的表面处理

在最终电路生产中，铜层的电镀处理也会影响导体损耗，尤其是在高频率的情况下。不幸的是，许多用于pcb表面处理的金属的导电性不如铜，添加这些表面处理会导致导体损耗的增加。

例如，尽管镍的导电性不如铜，化学浸镍金(electroless nickel immersion gold，ENIG) 表面处理也通常用于pcb工艺，而且使用ENIG表面处理不可避免地会导致导体损耗的增加。典型的ENIG导线堆叠会从电路的基本铜开始，然后是防止铜氧化物迁移的屏障层，也就是镍层，最后在镍层的上面是金层。就厚度而言，ENIG是一种自我限制工艺，通常会产生0.2 μm左右的金层厚度，而镍层的厚度为5.0 μm。对于毫米波频率的趋肤深度，将使用镍和一些金。但在更高的毫米波频率下，将使用到更多的金层。但是金的导电性仍然不如铜，所以使用这种表面处理将导致导体损耗的恶化。下图显示了在相同材料上制作的电路的插入损耗曲线，将裸铜电路的插入损耗与使用ENIG表面处理的电路的插入损耗进行比较。

与裸铜材料相比，ENIG表面处理的材料有明显的高损耗趋势。但在较低频率下，损耗特性略有不同。这很大程度上是因为镍太厚了，而电流密度由于趋肤深度的关系，在较低的频率下，镍比铜或金使用的更多。在20GHz左右，趋肤深度导致金层被使用更多。随着频率的增加，更多的金层被使用，ENIG材料的插入损耗曲线开始平行于裸铜材料。

纯银比纯铜的导电性更好，但用于将银添加到PCB表面的浸银工艺实际上使用的是银合金，而不是纯银。它接近纯银，所以银合金的导电性非常好，接近铜。浸银工艺具有自限性，因此银添加在薄涂层中，厚度通常在0.2 μm范围内。但是，银会随着时间的推移而氧化，而金则不会氧化。尽管银的氧化会改变其外观，但它显然不会显著影响PCB成品的插入损耗性能。对使用超过2.5年的氧化银电路的研究显示，插入损耗没有显著差异。

目前大部分60GHz以上的毫米波产品的表面处理都是以沉银和OSP为主，毫米波频段就基本不用ENIG（或沉金）了。OSP是印刷电路板(PCB)铜箔表面处理的符合RoHS指令要求的一种工艺。 OSP是Organic Solderability Preservatives的简称，中译为有机保焊膜，又称护铜剂，英文亦称之Preflux。 简单地说，OSP就是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜。这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生锈（氧化或硫化等）；但在后续的焊接高温中，此种保护膜又必须很容易被助焊剂所迅速清除，如此方可使露出的干净铜表面得以在极短的时间内与熔融焊锡立即结合成为牢固的焊点。相比于沉金使用化学沉积的方式，镀金使用电流电镀的方式，但镀金价格昂贵，性能也比沉金更好。现在还存在镍钯金的工艺，镍钯金是多了钯层，增加了焊盘的支撑，其镍层相对化学镍金要薄一些， 但这两种都有镍层，其对插入损耗都有明显的影响。

导电率从小到大：锡＜铁＜铝＜金＜铜＜银。导电最强的是银。但一般不会直接使用裸铜，因为直接裸铜不做任何保护的话，在后续使用中裸铜会氧化也会被腐蚀，从而影响性能和可靠性。

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二、PCB层叠设计

微波PCB（PRINTED-CIRCUIT-BOARD）传输线技术是相当知名的，包括微带、带状线和共面波导(CPW)技术等。然而，由于尺寸和体积的限制，高频电路设计人员越来越多地使用多层pcb，这是由多个覆铜基片和结合层形成的。成功地实现多层pcb需要一些关于这些电路是如何制造的知识，以及了解多层pcb电路相比单层电路设计的特殊要求。

为了更好地理解微波多层电路的制作过程，可以使用带状线传输线作为示例电路。带状线通常用于微波频率的无源和有源电路设计。它包括两个外层金属层作为接地面和一个单一的内层作为信号或导电层。金属层由介电基板材料隔开。为pcb的层命名惯例是基于导电层的数量，并且在具有一个信号层或导电层的带状线电路中，当包括两个接地层时，在技术上有三个导电层。在这个简单的例子中，带状线电路是用一种叫做 预浸料(prepreg，PP) 的粘合材料制成的，这种材料围绕在包含信号层的覆铜层板周围。预浸料层本质上是未固化的介电基板，用于将覆铜层与另一原始铜箔层结合，形成带状线电路的三个铜平面——两个接地平面和一个信号平面。

在这种PCB结构中，预浸料就像胶水层一样，将多层粘合在一起。为了形成牢固的粘结，预浸料必须经过层压或固化过程，在此过程中，待粘结层在压力和高温下保持；预浸料的类型及其材料性能将决定固化时间和固化温度。在固化周期的早期阶段，预浸料将呈现凝胶状态，并将“流动”在其他待粘合层的特征周围。预浸料的流动使材料能够填充铜电路之间的空间和口袋区域以及层压基板表面的任何不规则区域，确保预浸料的介电材料填补了任何空穴，并创建了一个更可预测的电气结构，没有空气间隙(显示出不同的介电常数)。

上图显示了带状线PCB制造过程的各个阶段的框图。该过程从覆铜层开始，在其上选择性的蚀刻其铜层之一以形成电路的信号层；另一层铜层将形成带状线电路的地平面之一。然后将预浸料层添加到层压板上，并在其顶部添加铜箔层以形成第二条带接地平面。然后对这些多层材料进行层压处理，在此过程中预浸料在压力和温度下固化成形。

上图并没有显示带状线电路的一个重要部分:如何从外界连接到信号层。这是通过在PCB上与电路图案对齐的区域钻孔来实现的。然后这些钻孔涂上铜，形成电路径，称为镀通孔(PTHs)。为了保持带状线的电路性能一致，保持顶部和底部接地平面在相同的电势是至关重要的，所以PTHs是将两者之间的电气连接必不可少的通道。对于这种类型的带状线电路，射频/微波连接器通常安装在电路组件的顶部，连接器的信号发射使用PTH作为到内部导体或信号层的电路径。下图显示了实际带状线电路及其三层铜层的截面照片。

大多数多层微波pcb可以通过多种不同的方式组装，每种方法都有自己的优点和局限性。例如，除了前面描述的方法外，示例带状线电路可以通过使用两个覆铜层板和较少的预浸料材料来制造。使用这些起始材料，制造过程的第一部分将是相同的，其中一个层板的铜层蚀刻形成电路的信号层或导电层。在第二种情况下的层压过程中，首先要添加一层薄的预浸料，然后是第二层镀铜层板，只不过这第二层板会把一面上的所有铜都去掉。这一边是预浸料将被用来粘合到蚀刻的信号层。下图显示了示例带状线电路如何用这种制造方法形成；在这种情况下，PTHs连接顶部和底部的地面是最初单独层板的铜层。

如果这两种制造方法都导致带状线电路，为什么使用一种方法而不是另一种？第一种方法更具成本效益，因为预浸料材料的成本通常低于镀铜层压板。第一种方法只使用了一个覆铜层、几层预浸料和一层铜箔，而第二种方法使用了两层覆铜层(尽管预浸料较少)。第二个覆铜层的成本超过了在第一种方法中其他附加材料的成本。

还必须考虑的是预浸料的性能经常不同与层压板的性能。第一个带状线结构的特征是基于层板和预浸料之间的性能分裂。第二个带状线结构主要由两层板的性能决定。层压板可能比预浸料(prepreg)具有较低的热膨胀系数(CTE)，它会影响电路在不同温度下的可靠性性能——较低的CTE相比于具有较高CTE的带状线结构提供了更强的可靠性。预浸料材料也比层压材料表现出更高的电损耗，这可以作为带状线电路的一个考虑因素，尤其是需要最大限度地减少损耗的电路。还有电路制造的成品率问题，有时这两种方法中的一种会有更好的电路成品率。

在形成这些多层电路时，应该指出预浸料这个术语实际上指的是各种各样的粘合材料，每种材料都有自己的一套特性和性能。预浸料通常是一种热固性材料(热是固化剂)，它有编织玻璃的强化。但是，一些预浸粘接材料也可以在没有支撑的情况下使用(没有编织玻璃加固)，这些材料提供了它们自己的一套好处和挑战。

图(a)所示的制造工艺主要用于需要低成本生产的应用，尽管其对预浸料材料性能的强烈依赖性也可能影响使用这种方法的选择。
图(b)所示的方法可以用于微带电路的性能比带状线电路的性能更关键的情况。这是因为在电路制造商中，覆铜层压板的厚度控制通常优于预浸箔层压板。此外，极低损耗的覆铜层板可用于微带电路的顶部和底部层，使这些层与带状线电路层相比具有出色的性能。
图©所示的方法可能适用于带状线电路性能必须尽可能好的应用场合。通过使用低损耗覆铜层板和少量的预浸料来创建电路结构的内层，可以获得良好的带状线电路性能。此外，如果外部微带电路层的性能不是很关键，通过铜箔和预浸料制造这些外部层可以获得一些成本效益。
图(d)支持对覆铜层板性能要求最高的应用场合。当然，这些只是几种可能的电路制造方法，其他许多可能的方法取决于电路设计师的创造力，以及电路应用的机械和电气要求。

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三、传输线设计

常见的PCB传输线形式为以下四种：

• Microstrip 微带线
• Grounded Coplanar Waveguide (GCPW) 接地共面波导
• Stripline 带状线
• Substrate Integrated Waveguide (SIW) 基片集成波导

• 微带可能是最常见的结构，它较少受PCB制造变化的影响；
• GCPW通常与微带结合，这种结合可能是毫米波汽车雷达中第二常见的结构；
• 带状线在毫米波自动雷达中应用较少，因为信号发射困难。信号发射是从连接器到电路的过渡，对于带状线来说，是从外层到内层的过渡；
• 基片集成波导(SIW)在一些毫米波汽车雷达应用中得到了应用

除了带状线以外的三种传输线形式，其性能的对比如下图所示。

可以看出，与GCPW、带状线和SIW相比，微带电路的毫米波性能受PCB加工工艺的影响小得多。理论上，GCPW电路在毫米波频率的应用上有许多优点，然而，GCPW的毫米波性能可能会受到强烈的PCB制造变化的影响。射频设计人员在得到GCPW的射频评估结果时，往往会产生误解，认为GCPW的射频评估结果并没有显示出他们所期望的优势，这种误解通常与射频设计人员没有考虑PCB制造的正常公差以及其对GCPW的影响有关。

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1.GCPW电路设计

• 大多数电路没有矩形导体；大多数都是梯形的（如上图）；
• 梯形形状将随同一设计的电路批次的不同而不同；
• 微带梯形形状的差异对射频性能影响不大；
• 由于共面区域内耦合场的变化，GCPW的梯形形状差异对射频性能有显著影响；
• 梯形的与矩形的导体相比：空气场减少(有效Dk增加，相角增加，波传播速度减慢)；信号轨迹的电流密度下降（层压板的铜粗糙度更有影响）。

• “lip”（边缘）是PTH孔壁到共面地面边缘的距离；
• PTH地孔的位置存在正态方差和工差；
• 当比较相同设计的电路时，“lip”的正态方差会引起差异；
• 较大的唇形将导致平行板寄生电感的增加，并可能导致：阻抗增加；导体损耗增加；相位角的减少。

• 铜镀层厚度随电路制造而变化；
• 导体厚度的变化对微带线电路的射频性能影响不大；
• 导体厚度的变化对GCPW电路的射频性能有显著影响；
• 采用薄铜的GCPW电路在介质中具有更多的场；
• 使用厚铜的GCPW电路会在空气中产生更多的磁场，从而导致：相位角减少；有效介电常数减少；插入损耗减少；更高的电路阻抗。

对比试验中的所有电路都是由同样的24"x18"面板制成，然后切成两半；一块面板上有薄铜制成的电路，另一块面板上有厚铜制成的电路。薄镀铜电路的铜厚度为1mil(左图)；镀铜较厚的电路铜层厚度为3mil(右图)。两个电路都是紧耦合的GCPW形式，他们的标称电路尺寸为18mil宽的信号导体，共面空间为6mil，数据ID为w18s6。

• 导线越宽的电路插入损耗越低（ID: w21s12）；
• 厚铜增加导体侧壁的高度，更多的场将使用空气（损耗介质最低）；
• 导线最宽，铜最厚的电路损耗最低；
• 具有最窄的导体和薄铜的电路具有最高损耗。

• 紧耦合电路(w18s6)在空气中具有集中的电场（空气的介电常数最低）；
• 更厚的铜的电路，有更高的侧壁和更多的空气领域被使用；
• 最低有效介电常数电路(w18s6厚铜)是紧密耦合的厚铜的GCPW；
• 有效介电常数的差异值：紧密耦合的GCPW为0.100；松耦合GCPW为0.075；

• 大多数最终表面处理材料比铜的导电性要小；
• 大多数最后的电镀完成将导致增加导体损耗，这将增加插入损耗；
• 对于微带，表面镀层对导体损耗有边缘效应；信号导体的左右边缘电流密度高；
• GCPW有4个区域将使用最后的电镀完成（共面耦合区）；
• 与微带相比，GCPW的插入损耗受最终镀层的影响更大；
• 紧密耦合的GCPW比松散耦合的GCPW更容易受到有损镀层的影响。

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2.SIW电路设计

波导内的介质是空气，传统波导没有色散和辐射。色散是波的传播随频率的变化而变化，辐射是指射频结构辐射出的能量。由于空气是波导中的介质，它将在波导工作的频率范围内具有非常低的插入损耗和非常一致的相位响应。
利用PCB技术可以制作出类似矩形波导的结构，基于矩形波导的PCB的顶部和底部将是层压板的铜面，基于PCB的矩形波导的侧壁将不是完美的侧壁，但将是近似的。这些近似的侧壁是用镀通孔(PTH)孔来实现的。如果PTH孔之间的距离比波长的1/10更近，那么它们将表现为近似的侧壁。使用PTH孔构建在PCB上的矩形波导结构被称为基板集成波导或SIW。

简单地说，波导设计与波导的几何形状和波导内的介质有关：

$f_r=\frac{1}{2\sqrt{\mu \epsilon }}\sqrt{(\frac{m}{a}{)}^2+(\frac{n}{b}{)}^2}$

$f_r$代表截止频率，来自截止频率以下频率的能量不会在波导内传播，因此波导就像一个高通滤波器。截止频率以上的主模传播模式为 $T{E}_{10}$ 模，此时：

$f_r=\frac{1}{2a\sqrt{\mu \epsilon }}$

在毫米波(mmWave)频率下，维度“a”需要很小，许多工作在毫米波频率的SIW设计对a:b没有2:1的比例关系。当波导中的介质介电常数(Dk或εr)大于1(空气)时，在保持相同频率的同时，会导致尺寸“a”减小。维度“b”对截止频率没有影响，但对插入损耗、相位响应、隔离度和抑制其他模式有影响。

关于SIW设计尺寸的经验值：

$d＜{\lambda }_g/5$

$p\le 2d$

当SIW的尺寸确定时，其截止频率也就确定了：

$f_c=\frac{1}{2\sqrt{{\epsilon }_r}}(a-\frac{d^2}{0.95p}{)}^{-1}$

对于SIW，需要注意许多设计问题，但可能最重要的是如何过渡到SIW结构。SIW转换对截止频率以及SIW通带内的回波损耗有重要影响。有多种方法可以用来将射频结构转换为SIW结构。最常见的过渡结构是：微带转SIW；GCPW转SIW。其他不太常见的过渡有：带状线转SIW和波导转SIW。对于如何影响SIW的整体RF性能，每个转换都有利弊。

转换到SIW的一个简单观点是，转换是SIW的输入源，如果进入SIW的能量受到负面影响，SIW就不会按照预期的方式工作。另一个普遍的看法是，过渡基本上是阻抗匹配问题，馈线通常是50欧姆，SIW是非常低的阻抗(通常< 1欧姆)。更多关于SIW过渡的一般性观测结果：对于宽带SIW响应，从截止到功能转换需要更大的频率范围；对于窄带SIW响应，截断到功能的转变更为突然。无论转换的射频结构(微带或GCPW)，都有许多方法来实现阻抗匹配。

射频设计人员经常考虑在毫米波频率使用GCPW而不是微带，在高频率下，GCPW性能可以优于微带电路。如果设计得当，GCPW可以有：更少的辐射损耗；更少的色散；好的模式抑制。但是，射频性能与微带相比，普通PCB制造变量对GCPW的影响更大。

关于回波损耗的经验法则：

• 频率小于 60 GHz，回波损耗应≥15dB
• 从 60 GHz到 110 GHz的频率，应该有大于12 dB的回波损耗

大多数与SIW射频性能相关的PCB制造问题都集中在转换上。然而，SIW还有另一个主要担忧。对于SIW结构本身，(PTH)镀通孔的位置公差可能是一个主要的问题。

对同一面板上的多个SIW电路进行的实验发现，双排接地孔的截止频率变化比单排接地孔的截止频率变化小于3dB。由于每个通孔位置有一个正常的变化，双行通孔的SIW的通孔位置变化似乎对3db截止频率有平均效应。

在相同的转换和相同的SIW设计下，较长的SIW具有更宽的截止到通带频率变换区间：

在电路设计相同的情况下，尽可能采用不同衬底厚度的SIW进行比较：

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四、PCB信号注入设计

将高频能量从同轴连接器转移到印刷电路板(PCB)通常被称为信号注入，它可能很难描述。能量转移的效率因电路结构的不同而有很大的不同。PCB材料、PCB厚度和工作频率范围以及连接器设计及其与电路材料的相互作用等因素都影响性能。

实现有效的信号注入依赖于设计，宽带优化通常比窄带更具挑战性。高频注入的设计难度通常随着频率的增加而增加，并且在较厚的电路材料和更复杂的电路结构中会出现更多的问题。

从同轴电缆和连接器到微带PCB的信号注入如上图所示。通过同轴电缆和连接器的电磁(EM)场具有圆柱形方向，而PCB中的电磁场有平面或矩形方向。当场从一种传播介质过渡到另一种传播介质时，它们会改变方向以适应新的环境，从而造成异常。这种转变取决于介质的类型;是否正在进行信号发射，例如，从同轴电缆和连接器到微带、接地的共面波导(GCPW)或带状线。同轴连接器的类型也起着重要的作用。优化可能涉及几个变量。了解同轴电缆/连接器内的电磁场方向是有用的，但地面返回路径也必须被视为传播介质的一部分。从一种传播介质到另一种传播介质，实现平滑的阻抗转换通常是有益的。了解阻抗接点的电容和感应电抗可以提供对预期行为的洞察。当三维(3D)电磁模拟可用时，可以使用电流密度映射。此外，与辐射损耗相关的最佳做法可以作为指南。

虽然信号注入连接器和PCB之间的地面返回路径可能不是问题，从连接器到PCB的地面返回路径理想情况下是连续和不间断的；但实际情况可能并非总是如此。在连接器的金属和PCB之间通常有一些小的表面电阻。连接不同部件的焊料和这些部件的金属之间也可能有小的电导率差异。这些微小的差异在较低的射频和微波频率下通常影响很小，但在较高的频率下却会显著影响性能。地面返回路径的实际长度可以在信号注入质量中发挥重要作用，这是通过给定的连接器和PCB组合实现的。

如图a所示，当电磁能量从连接器引脚转移到微带PCB的信号导体时，返回到连接器外壳的接地路径对于粗大的微带传输线来说太长了。使用具有相对较高介电常数的PCB材料可能会导致地面返回路径中电长度更长，从而夸大这个问题。这条路径的任何延长都可能导致频率相关的问题，通常与相速度和电容的局部差异有关。两者相互关联，影响过渡区阻抗，造成回波损耗的差异。理想情况下，地面返回路径的长度应该尽量短，信号注入区域没有阻抗异常。请注意图a中连接器的接地点只显示在电路的底部。这是最坏的情况。许多射频连接器的接地引脚与信号位于同一层。在这种情况下，PCB也会有接地垫。
图b表示一个共面注入的微带电路，其中电路的主体是微带，但信号注入区域是接地的共面波导
(GCPW)。共面注入微带的优点在于它使地面返回路径最小化，并具有其他优点。当使用在信号导体两侧都有接地引脚的连接器时，接地引脚的分离距离对性能有很大的影响。已经证明这个距离会影响频率响应。

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1、PCB信号注入示例

在一个10mil厚的共面注入微带的实验中，层压板使用罗杰斯的RO4350B，使用了相同的连接器，但在它们的共面注入接口上有不同的对地间距。连接器A接地间隔约为0.030"，而连接器B接地间隔为0.064"。在这两种情况下，连接器注入到电路上的方式是相同的。

优化信号注入的一种简单有效的方法是最小化信号注入区域的阻抗不匹配。阻抗曲线的上升基本上是由于电感的增加，而阻抗曲线的下降是由于电容的增加。

对于粗微带传输线而言(假设PCB材料的介电常数相对较低，约为3.6)，导体相对较宽——比连接器的中心导体宽得多。由于电路的导体和连接器的导体之间有很大的尺寸差异，在过渡处有一个强大的电容尖峰。这通常可以通过将电路的导体变细来减少，在它与同轴连接器引脚连接的地方形成一个更窄的过渡。缩小PCB导体使其更具电感性(或更少的电容性)，抵消阻抗曲线中的电容尖峰。必须考虑频率相关的影响。在较低的频率下，发生在较长距离上的锥度比较短的锥度具有更大的感应效应。例如，如果信号注入在较低频率具有较差的回波损耗和电容阻抗尖峰，则较长的锥度可能是合适的。相反，较短的锥度对较高的频率有较大的影响。

对于共面发射的几何图形，当相邻的地平面靠近信号导体时，将会增加电容。通常通过信号锥度和地平面间距的组合来进行频率相关的调整，根据需要修改信号注入的电感和电容。在某些情况下，共面间距在锥度的一定距离内是宽的，与一些较低频率的频带相关。然后，在锥度的较宽部分和较短的距离上，间距变窄，以影响更高的频率。一般来说，缩小导体的锥度会增加电感。锥度的长度影响频率响应。改变相邻共面地间距会改变电容，而相邻地间距的距离会影响电容变化最有效的频带。

上图展示了一个简单的例子。（a）是一个厚的微带传输线，具有一个长的和窄的锥度。锥度为0.018"(0.46毫米)宽，从电路边缘开始，长度超过0.110"(2.794毫米)，他逐渐转变到50Ω的导体宽度，即0.064"(1.626毫米)。在图b和c中，锥度被缩短为较短的长度。微带传送线的长度为2"(50.8 mm)，在30 mil (0.76 mm)厚的RO4350B微波电路层压板上制作，介电常数为3.66。 在图a中，蓝色曲线表示插入损耗(S21)，反响起伏不定。相比之下，S21在图c的波纹数最少。正如这些曲线所显示的那样，更短的锥度可以提高性能。

也许图中最能说明问题的曲线显示了电缆、连接器和电路的阻抗(绿色曲线)。图a中较大的正峰代表连接到电缆端口1的电路上的连接器。右边曲线上的峰值是电路另一端的连接器。大阻抗峰值随着锥度长度的减小而减小。信号注入区域阻抗匹配的改进是由于锥度变宽，因为它变短，锥度宽度的增加与电感的减少相关。

上图为优化后的测试曲线。最明显的改进是消除了阻抗曲线中的感应峰，这实际上是一个轻微的感应峰和轻微的电容下降的混合。具有正确的锥度可使感应尖峰最小化，而额外的电容是由发射区域的共面线相邻接地的耦合提供的。图中的插入损耗曲线比之前更平滑，回波损耗曲线也有所改善。

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2、TDR测试

时域反射(Time Domain Reflectometry，TDR)是一个非常有用的工具来设计过渡，如同轴连接器和PC板之间的过渡。TDR功能将随着时间的推移显示阻抗，显示由于阻抗变化导致的不连续的位置和性质。

（1）什么是TDR？

用脉冲发生器和示波器进行真时域测量。TDR测试器向传输线注入脉冲，反射信号显示在示波器上。脉冲的上升时间决定了测量的带宽。阻抗信息是基于输入信号的直流分量。所显示的反射表示由于沿传输线的阻抗变化而产生的不连续。不连续阻抗的大小决定了反射的大小。零单位代表线路的特性阻抗，通常为50欧姆。

显示器上反射的方向，无论是正的还是负的，取决于引起反射的阻抗是电感的还是电容的。传输线阻抗公式为：

$Z=\sqrt{\frac{L}{C}}$

反射信号显示在示波器上。根据传输线公式，大于特性阻抗的反射为电感反射，小于特性阻抗的反射为电容反射。下面是一个示例输电线路和相应的理想TDR响应。它从一个50欧姆的特性阻抗开始，然后跳到55欧姆(更感性)然后下降到45欧姆(更电容性)然后返回到50欧姆特性阻抗。

（2）傅里叶分析综述

傅里叶理论认为，任何重复的信号都可以表示为单个频率信号的和。以方波为例：它是与方波频率相同的正弦波的无穷次谐波之和。

$y=\frac{4{\Sigma }_{n=1}^{\infty }\frac{sin(2\pi f(2n-1)t)}{2n-1}}{\pi }$

上式的前三项表示为：

$y=\frac{4}{\pi }[sin(2\pi ft)+\frac{1}{3}sin(6\pi ft)+\frac{1}{5}sin(10\pi ft)+...]$

电子学中没有真正的方波。方波的上升时间决定了描述方波的傅立叶级数的带宽或最高频率谐波。在频率图上绘制单个频率和给出了重复信号的频域表示。将时域信号转换到频域是通过傅里叶变换完成的而从频域到时域是通过傅里叶反变换完成的。

（3）如何实现VNA的TDR功能?

VNA是一种频域设备。反傅里叶变换可以用来将频域转换为时域。要做到这一点，频率之间必须有谐波关系在频域中。谐波关系意味着无论起始频率是多少，下面所有的频率都是谐波。这意味着它们必须是倍数。

微波合成器没有直流信号。开始扫描频率用来外推直流分量。直流分量是用来确定阻抗的。因此，只要启动频率保持稳定，启动频率越低，阻抗测量越准确。

带宽与上升时间

在频域中，最高频率谐波决定了带宽。通过现代合成器，VNA可以进行比真正的TDR测量系统更高带宽的TDR测量。例如，50ghz带宽测量对应于7秒上升时间脉冲。用这么小的上升时间来产生真正的脉冲是非常困难的。

带宽与上升时间的关系如下：

$BW=\frac{0.35}{t_r}$

例如：

$t_r=7$ psec

$BW=\frac{0.35}{7psec}=50GHz$

真实单位

实单位是在对数尺度上归一短路(零阻抗)到负一和开路(无限阻抗)到正一与标称阻抗为零。在网络分析仪的情况下，标称阻抗为50欧姆，由校准标准设定。实单位阻抗公式为：

$RealUnits(RU)=\frac{ln(Z/Z_0)}{2}$

量程可以假设线性接近于零，10毫单位近似于1欧姆。上图的传输线和前面的一样。它从一个50欧姆的特性阻抗跳跃到55欧姆(更多的感应)，然后下降到45欧姆(更电容)然后返回到50欧姆的特性阻抗。实际的单位值显示在TDR响应上，这条线的+50毫单位等于55欧姆，-50毫单位等于45欧姆，零单位等于50欧姆。

（4）如何使用TDR分析过渡

VNA校准
为了进行TDR测量，VNA的校准必须用谐波扫描来完成。任何校准方法都可以使用，对于TDR，它可以是单端口。有一个最低的分数要求，这将在后面的章节中解释。

TDR设置
测量通道为S11的TDR设置来获得阻抗关于距离/时间的参数为：低通步长，实单位为10毫单位 / 刻度，最小窗口。分辨率可以针对更大的间断进行调整。

示例
为了证明TDR在板转换设计中的有效性，下面的例子将逐步分析一个实际设计。这个例子是一个1英寸的测试板，由30mil厚的罗杰斯RO4350材料制成，用于2.4毫米端发射连接器。

该板具有接地共面结构，并通过了测试50GHz。西南微波（Southwest Microwave）s参数数据的标准格式为在驻波比中，S11为底端，刻度为0.2；S21在对数幅度图的最上面，刻度为1 dB。

为了解释TDR图，需要计算每个部分的电长度。计算关于时间的电气长度的公式如下：

$t=\frac{l}{c}\sqrt{{\epsilon }_r}$ ，其中c表示光速

连接器长度是0.308"，它有一个空气介质。这计算出的电子长度为26皮秒(psec)。

$t=\frac{0.308in}{0.0118in/psec}\approx 26psec$

连接器的实际电气长度略长，因为它不全是空气。有一个塑料珠可以抓住中心导体。发射引脚是0.167英寸，介质是特氟龙®，介电常数为2。计算得出，这相当于20psec的电长度：

$t=\frac{0.167in}{0.0118in/psec}\times \sqrt{2}\approx 20psec$

在VNA上显示的总电气距离是组合距离的两倍，因为返回距离包括在内。

$t=(26psec+20psec)\times 2\approx 92psec$

分析TDR图

使用计算的电长度可以解释实际的TDR图。TDR显示器的标称阻抗为50欧姆，从0单位开始。阻抗的变化可以用每欧姆10毫单位的转换来估计。在这个例子中，红色圈出的点是关于-50毫单位，转换为45欧姆。时间刻度是50秒/刻度，所以这个点是100秒多一点。从物理结构来看，这种不连续可以用位于轨迹上的针来解释，因此假定它是真实的。

VNA生成的TDR图不是直接测量的，因此在计算过程中可能会出现误差。加窗是用来减少异常的反傅里叶变换计算误差的影响。在这个测试板的结构中，没有任何东西与蓝色圈出的感应尖峰相对应。

为了确认这是一个“有问题的”电感点，通过在电路板上的引脚上延伸聚四氟乙烯来增加电容。感应峰没有改变，这表明它不是一个准确的点在TDR。改变窗口到通常标准大大减少了峰。同时，基于时域的仿真软件模拟的TDR也没有显示这一点。

TDR数据以时间/距离为单位。它显示了在发射和阻抗板的不连续。发射的间断是一个电容尖峰，用红色圈起来，略低于-50 milli-units。板阻抗是中间的长段-20milli-units到-10milli-units。

如何使用TDR优化过渡

三维电磁模拟可用于预测这类结构的结果。然后就可以进行更改并查看更改的结果，而不需要制造和测试实际的硬件。通过只观察过渡块和测试板来创建三维仿真模型。仿真结果验证了传输线最大的不连续是同轴电缆向PCB板的过渡。最差的传输线是PCB。两个同轴连接器匹配良好，损耗极低。即使在模拟中不包括它们，也可以获得与实际性能很好的相关性。仿真结果显示，插入损耗在45 GHz处有一个下降，驻波比在45 GHz内从低于1.2:1缓慢上升到1.6:1。这都是测试板的特点，并显示出良好的模拟与实测相关性。

史密斯圆图显示阻抗

使用史密斯圆图可以给出单点或多点的阻抗值。实单位与阻抗的换算公式为：

$Z=e^{RU\ast 2}\ast Z_0$

要在史密斯圆图上显示阻抗，首先打开TDR显示器上的一个或多个标记。移动它们到要转换的点，然后将显示器改为Smith图表。此时将显示阻抗值和史密斯圆图标记。

VNA的TDR函数是由计算结果推导出来的，在固有的不确定性之上产生了一般的TDR测量自身的不确定性。要记住的最重要的一点是，在第一次不连续性之后，所有其他的测量结果都将是倾斜的，有时甚至到了失去所有精度的地步。除了安捷伦的申请说明外，VNA制造商一般不会指定TDR测量的准确性，也不会就这些问题警告客户。它们只是陈述了TDR的所有优点，而没有表明任何精确度的问题。

加窗

打开窗口的选项有minimum、normal和maximum。为了详细观察接近50欧姆的不连续点，最小的窗口是最好的选择。为了演示这种效果，同一块板的数据用最小窗口和普通窗口表示。在这两个图中，频率扫描均为201点50 GHz。

由于进行傅里叶反变换的数学不连续，加窗是必要的。窗口的取舍是分辨率和动态范围之间的权衡。
由于重要信息集中在不连续点的细节上，需要较高的分辨率，因此选择最小窗口。

一个大的不连续性将“掩盖”其余的数据。这是因为第一个不连续将影响任何经过它的能量，然后在返回途中再次影响它。下面第一个图是频域测量，测试板上的一个坏连接器正在产生所谓的“吸出”。注意，这是一个极端的例子。当可疑连接器在时域上位于端口2上时，可以很容易地看到第一个连接器和单板的特性。当坏连接器在端口1上时，第一个不连续掩盖了所有以下信息。“吸出”还有第二个影响，即“吸出”频率范围内的频域信息丢失，无法用于TDR计算。

TDR的分辨率与频率有关；频率越高，分辨率越高。如果扫描中没有足够的数据点，分辨率也会受到影响。
图1显示的是一个50 GHz的扫频201点。
图2低频图显示在同一块板上的TDR是27GHz，201点扫描。峰值丢失了，因为频率较低，TDR识别的点之间的距离更大。
图3中少量的点表示TDR在同一个板子上，扫描频率为50 GHz，只有51个点。可以看到，在50GHz带宽中没有足够的点来捕捉所有的细节。当点数减少时，也会出现准确性问题。这是因为在启动频率较高的情况下，直流项不能准确地外推。记住，起动频率稳定也是很重要的。

• 重要的是要记住，TDR测量的阻抗值只是真实值，不包括虚值。在TDR显示器上放置标记并转换为史密斯图也将显示阻抗的实分量的值。
• 作者所知道的制造商没有关于TDR测量的明确的精度规范。一些有经验的用户已经很好地理解了基于以前的经验教训的准确性限制。根据经验，10%的不确定性值可以一直假设到第一个大的不连续，然后不要相信之后的任何结果。
• 对于VNA，每1/Δf秒重复一次时域响应。如果设备(范围)的长度大于重复时间，将会看到两个或多个响应，而不是一个。要增加音域，可以增加点数，也可以增加频率范围。两者都将产生减少Δf的效果。这在电缆测试中是一个很大的问题，因为电缆可能很长。电路板通常太短，不会造成这个问题。

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3、不同的实现形式对比

上图中的曲线为近似的拟合曲线。
在本研究中，我们展示了直行到板边的微带、顶端地面共面的微带和GCPWG的损耗曲线之间的差异。直行到边缘的微带辐射损耗最大，但在较低频率下，辐射损耗是合理的。顶端地面共面的微带比直微带辐射损耗小，比GCPWG辐射损耗大得多。GCPWG的辐射损耗要小得多，但线路损耗要大得多。

对于30mil厚的RO4350基片，使用频率高达50GHz，合理设计的接地共面波导(GCPWG)具有一定的优势。但在一些应用中，微带会是更好的选择。这意味着应用场景将决定使用哪种结构是最好的。如果对较长的线路只考虑损耗的话，微带将是更好的选择。对于带宽，隔离，如果线很短，那么GCPWG是更好的选择。

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总结

PCB的设计从基础的模型到实际加工的实现形式，都需要注意，才能使最终加工出来的PCB达到我们预期的设计指标。必要的时候，与加工商或板材提供商多进行沟通，才能得到更好的结果。