C6678之外部存储器接口EMIF

外部存储器接口EMIF

一、EMIF简介及特性

EMIF16模块旨在为各种异步存储器设备（如ASRAM，NOR和NAND存储器）提供接口。不支持DDR1 SDRAM，SDR SDRAM和Mobile SDR等同步存储器。
C6678的EMIF接口支持：
① 高达256MB的异步地址范围，超过4个片选
② 8-bit和16-bit数据宽度
③ 可编程周期时序
④ 支持扩展等待
⑤ NOR Flash支持Page / Burst模式读取
⑥ 用于8位和16位NAND闪存的1位ECC
⑦ 用于8位和16位NAND闪存的4位ECC
⑧ 支持大端和小端
C6678的EMIF接口不支持：
① 同步设备，如SDR DRAM，DDR1 SDRAM和Mobile SDR
② 32-bit数据宽度
③ OneNAND和PCMCIA接口
④ 要求芯片选择在读取的tR时间内保持低电平的NAND FLASH

二、EMIF接口信号描述

三、配置EMIF16以进行异步访问

EMIF16有两种工作模式：
①WE Strobe Mode
②Select Strobe Mode
EMIF16时钟锁定在CPU/6，在WE Strobe模式下，字节使能EMIFBE [1：0]可用作当前有效芯片选择空间的写选通。EMIFCEx（x = 0,1,2,3）芯片选择信号将在异步访问期间保持活动状态。该模式的主要优点是它允许两个8位器件连接到同一片选。在此模式下，字节使能连接到两个8位器件的写选通，WE strobe mode是CE3支持的默认模式，CE0~2不支持WE选通模式。
选择选通（SS）模式通过设置异步配置寄存器中的’ss’位来激活，用于所考虑的片选。每个芯片选择都有一个异步配置寄存器。在SS模式下，片选用作选通信号。因此片选EMIFCEx将跟随EMIFOE进行读取，EMIFWE进行写入，并且仅在选通期间有效。EMIFBE [1：0]充当字节使能。 所有4个芯片选择均支持SS模式。
WE Strobe模式不能与SS模式一起使用。SS模式会覆盖WE Strobe模式。EMIF16还支持扩展等待模式，允许器件在异步访问期间将选通周期延长到选通周期之外。

四、ASRAM/NOR Flash 接口

8bit

16bit

异步读操作时序

异步写操作时序

异步读操作时序SS Mode

异步写操作时序SS Mode

异步读操作时序WE Strobe Mode

异步写操作时序WE Strobe Mode

五、EMIF16工作模式

5.1、NAND Flash 模式

EMIF16支持NAND Flash模式。 要启用NAND Flash模式，必须在NAND Flash控制寄存器（NANDFCR）中设置相应的芯片选择的csN_use_nand位。 NAND Flash定时值必须在芯片选择的异步配置寄存器中编程。
NAND Flash模式还支持1位和4位纠错码（ECC）计算。4位ECC一次只能用于一个片选。NAND访问周期包括命令，地址和数据阶段，以完成NAND闪存传输。 所有NAND闪存操作都可以分为单个异步循环，可以使用软件执行。
8-bit NAND Flash

16-bit NAND Flash

必须对EMIF16的存储器映射寄存器进行编程以配置NAND模式。 除了配置Async Config寄存器中的字段外，还需要配置NAND Flash控制寄存器（NANDFCR）。CS2参考片选0（CE0），CS3参考片选1（CE1），CS4参考片选2（CE2），CS5参考片选3（CE3）。
5.2、Extended Wait模式
EMIF16支持扩展等待模式。 扩展等待模式允许异步设备将选通周期延长至超过Async 1-4配置寄存器中设定的时钟周期数。 通过设置EW启用扩展等待模式。通过将Async 1-4配置寄存器中的EW位设置为1来启用扩展等待模式。一旦设置了EW，EMIF16将监视映射到该芯片选择的EMIFWAIT引脚，以确定器件是否要延长选通周期。 EMIFWAIT引脚上的置位会导致EMIF16插入超出编程值的额外时钟周期，并延长选通周期，直到EMIFWAIT引脚被禁用。 从这里开始，EMIF16恢复正常运行。
通过适当设置异步等待周期配置寄存器（AWCCR）中的CS2-5_WAIT字段，可以将芯片选择映射到两个引脚EMIFWAIT [1：0]中的任意一个。 通过编程AWCCR中的WP0-1位来正确设置EMIFWAIT引脚的有效极性也很重要。 “0”表示当EMIFWAIT为低电平时EMIF16将插入等待周期，当极性设置为1时，EMIF16将采样为高电平。扩展等待模式下的选通周期只能扩展到AWCCR中MAX_EXT_WAIT字段中编程的某个最大周期数。 如果在最大时钟周期数的计数器到期时，所考虑的EMIFWAIT引脚未被禁止，则无论EMIFWAIT引脚的状态如何，EMIF16都会进入保持周期。
5.3、EMIF中断模式
EMIF可用来产生中断，产生源有：
①Asynchronous Time Out
②Rising edge on the WAIT pin
EMIF16在EMIFWAIT引脚的上升沿设置中断原始寄存器中的WR位字段。 异步等待周期配置寄存器中的等待极性位对WR位没有影响。 中断可用于指示连接的NAND闪存设备的就绪状态到相应的芯片选择。 如上所述，异步等待周期配置寄存器中的MAX_EXT_WAIT字段定义了在扩展等待模式下可以延长选通周期的最大时钟周期数，在此期间EMIFWAIT引脚必须处于非活动状态。 如果它不变为无效，则EMIF16将中断原始寄存器（IRR）中的异步超时位设置为AT，但继续保持状态。 要使能中断并发送到DSP，必须设置中断屏蔽设置寄存器（IMSR）AT_MASK_SET中的相应位。
通过将中断屏蔽清除寄存器（IMCR）中的AT_MASK_CLR位置1使能后，可以禁止中断。 可以通过检查IMSR和IMCR寄存器中的相应位来验证中断的使能状态。 如果允许，将设置两个寄存器中的位，如果禁用中断，则将为0。 如果发生中断条件，IRR中的中断位将置1。 如果中断也已启用，则IMR中的相应位将被置位。
5.4、NOR Flash Page 模式
EMIF16支持异步存储器片选上的NOR Flash页模式读取。针对所选芯片的页模式控制寄存器（PMCR）中的CSN_PG_MD_EN字段写入’1’，可以启用页模式。
启用页模式时，必须在PMCR的CSN_PG_SIZE字段中编程所连接设备的页大小，以便进行芯片选择。必须在PMCR的CSN_PG_DEL字段中编程地址更改为有效读取数据时序 必须在异步配置寄存器中编程其他异步存储器时序。
5.5、复位
EMIF16有两种低电平有效复位。
①上电复位，可以复位状态机和内部寄存器。
②软复位仅复位状态机并且不复位内部寄存器，中断寄存器，NAND闪存控制寄存器中的CSN_ECC_START位和NAND闪存CS2-5 1位ECC寄存器除外。