离子注入中剂量与浓度的关系

对器件研发工程师来讲，离子注入的浓度是十分concern的参数，但是在离子注入工艺中给的是剂量，所以，常常会出现这样的情况：做器件的告诉做工艺的，我这个Device需要注入的浓度是多少，做工艺的反问做器件的要剂量，因此双方存在一个gap。

图1 离子注入

剂量和浓度的定义：

1. 剂量（Dose）

指的是注入到半导体等材料中的离子总数，通常用单位面积上的离子数来表示，ions/cm²（离子数/平方厘米）。它反映了注入过程中离子的总体数量情况。

2. 浓度（Concentration）

是指在材料内部某一特定位置处单位体积内所含注入离子的数量，其单位可以是atoms/cm³（原子数/立方厘米）。在半导体中浓度的测量通常利用SIMS测量得到。

剂量和浓度的关系：

我们简单举个例子，现在有1E10个离子，注入到1cm2的区域，那么剂量就是1E10cm-2。那么浓度呢？如果结深是1cm，那么浓度就是1E10cm-3；如果结深是2cm，那么浓度就是5E9cm-3。所以，结深越深，意味着注入浓度就会较小，浓度=剂量/结深。

图2 离子浓度与深度的关系

在实际的注入中，不是单纯的线性关系，所有的离子不会均匀的分布在一个深度，而是会形成一个类似高斯分布的曲线，我们所说的浓度指的是对应某个深度（结深）下的浓度，也就是这个深度下单位体积的离子数。

那么结深对应哪个深度呢？它对应的不是高斯分布的最高值，也不是离子注入的总射程。它是形成PN结的位置，反应到结深-浓度图大致的位置是最高浓度的百分之一或千分之一的位置。在公司中，工艺工程师们会定义一个浓度，该浓度下对应的深度记为结深。

最后剂量和浓度之间的关系并非是简单的线性关系，而是会受到诸多因素的影响，像离子的种类、注入能量、目标材料的种类以及注入过程中的动态变化等，这些因素都在其中起着重要作用。通常情况下，随着剂量的逐步增加，离子在材料中的浓度确实也会呈现出上升的趋势。然而，这种上升并非是毫无限制的。这是因为当离子在材料中的浓度达到一定程度之后，便会出现诸如饱和、反弹或者成分重排等一系列现象。一旦发生饱和现象，材料就无法再容纳更多的离子来进一步提升浓度了；若是出现反弹情况，那么已经注入到材料中的部分离子，可能会由于内部应力等因素的影响，又被“挤”了出来，从而改变了原有的浓度。