Buck芯片SW引脚自举电容详细分析

最新推荐文章于 2024-08-14 14:25:06 发布

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自举电容在DC-DC升压转换器中的作用

电路说明

电路图是一个典型的DC-DC升压转换器（Boost Converter）电路。在这个电路中，自举电容（Bootstrap Capacitor）用于驱动高侧MOSFET开关。自举电容标记在图中的右侧，连接在高侧MOSFET的栅极（Gate）和源极（Source）之间。

自举电容的原理

自举电容充电：
- 当低侧MOSFET（或二极管）导通时，高侧MOSFET的源极（Source）电位接近地（GND），此时自举电容通过一个二极管从输入电压 ( V_{IN} ) 充电到 ( V_{IN} )。
高侧MOSFET开通：
- 当需要导通高侧MOSFET时，PWM控制逻辑使得高侧MOSFET的栅极电压（Gate）被自举电容电压抬高。由于自举电容的一个端子连接到高侧MOSFET的源极，另一个端子连接到栅极，因此栅极电压相对于源极电压提高了自举电容的电压（通常为 ( V_{IN} )）。
保持导通状态：
- 自举电容在高侧MOSFET导通期间保持其电荷，提供足够的栅极驱动电压，确保高侧MOSFET保持导通状态。
充电周期重复：
- 当高侧MOSFET关断后，低侧MOSFET再次导通，自举电容重新通过二极管充电，准备下一个开关周期的驱动。

自举电容的重要性

高侧驱动电压：
自举电容提供高侧MOSFET的驱动电压。如果没有自举电容，栅极驱动电路将无法提供足够的电压来开启高侧MOSFET，从而影响转换器的正常工作。
隔离高电压：
自举电容的存在使得驱动电路能够在高侧MOSFET和低侧MOSFET之间隔离高电压。这对于高效和稳定的开关操作至关重要。

参数选择

电容值：
- 自举电容的容量应足够大，以保持高侧MOSFET导通期间栅极驱动电压的稳定。常见的自举电容值为 0.1µF 到 1µF。
耐压值：
- 自举电容的耐压值应至少为输入电压的2倍，以确保在充电和放电期间不会击穿。
低ESR：
- 选择低等效串联电阻（ESR）的电容，以减少寄生电阻带来的损耗和电压降。

瞬态反峰电压

电感反峰电压

当MOSFET关断时，电感电流突然中断，电感会产生一个反向电动势（反峰电压）。根据法拉第电磁感应定律：
在这里插入图片描述

这个反向电动势可能会在电路中引起高电压尖峰，可能会超过MOSFET的耐压极限，导致MOSFET损坏。

解决方法

续流二极管：在电感与输出之间加入一个肖特基二极管，提供一个电流路径，防止电压尖峰。
吸收电路：在电感两端或MOSFET两端加吸收电路（如RC吸收电路或TVS管），吸收电感产生的瞬态电压。

总结

自举电容在DC-DC升压转换器中起到关键作用，通过提供高侧MOSFET所需的驱动电压，确保高效、稳定的开关操作。合理选择自举电容的参数，可以提高电路的效率和可靠性。同时，通过加入续流二极管和吸收电路，可以有效抑制电感反峰电压，保护MOSFET不受损坏。
高侧MOSFET的驱动不是简单地依赖于自举电容的充放电，它仍然需要PWM控制信号来决定何时开通和关断。自举电容的作用是提供高侧MOSFET所需的栅极驱动电压，而不是直接控制高侧开关的通断。

高侧开关和自举电容的工作原理

PWM控制信号：
- 高侧MOSFET和低侧MOSFET的通断仍然由PWM控制逻辑决定。PWM控制信号通过驱动电路控制高侧MOSFET和低侧MOSFET的导通时间。
自举电容充电：
- 当低侧MOSFET（或肖特基二极管）导通时，高侧MOSFET的源极电压接近地电位，自举电容通过一个二极管从输入电压 ( V_{IN} ) 充电到 ( V_{IN} )。
- 自举电容的一个端子连接到高侧MOSFET的源极，另一个端子连接到驱动电路。在低侧MOSFET导通期间，自举电容被充电。
高侧MOSFET开通：
- 当PWM控制信号指示高侧MOSFET需要导通时，驱动电路会将自举电容的电压加到高侧MOSFET的栅极（Gate）上。这使得高侧MOSFET的栅极电压高于源极电压，确保高侧MOSFET导通。
- 自举电容在高侧MOSFET导通期间提供栅极电压，保持其导通。
自举电容放电：
- 高侧MOSFET在导通期间，自举电容的电压会逐渐减少（放电）。为了保持高侧MOSFET的稳定导通时间，自举电容的容量应足够大，以在一个开关周期内维持稳定的栅极驱动电压。
- 当高侧MOSFET关断后，低侧MOSFET再次导通，自举电容重新通过二极管充电。

关键点

高侧MOSFET的导通和关断是由PWM控制信号决定的，而不是仅仅依赖于自举电容的充放电。
自举电容的作用是提供高侧MOSFET所需的栅极驱动电压，以确保在PWM控制信号指示导通时，高侧MOSFET能正确开启。
自举电容和高侧开关控制信号是交叠的：在高侧MOSFET导通期间，自举电容提供电压；在高侧MOSFET关断期间，自举电容通过低侧MOSFET（或肖特基二极管）重新充电。

示例

假设PWM信号的占空比为50%：

高侧MOSFET导通（50%时间）：
- 自举电容为高侧MOSFET提供栅极驱动电压，确保其导通。
- 高侧MOSFET导通期间，电流通过电感和高侧MOSFET流向负载。
低侧MOSFET导通（50%时间）：
- 自举电容通过二极管充电，为下一次高侧MOSFET导通做好准备。
- 电流通过低侧MOSFET或肖特基二极管流向负载，保持电流连续性。

总结

高侧MOSFET的开关操作需要PWM控制信号来决定导通和关断时刻，而自举电容则提供高侧MOSFET所需的栅极驱动电压。两者密切配合，确保DC-DC转换器在各种工作条件下稳定、高效地运行。

高侧MOSFET的控制确实需要PWM信号和自举电容的配合。让我们更详细地分析一下这个过程，以便澄清你的疑问。

高侧MOSFET的开关状态

高电平PWM信号：
- 当PWM信号为高电平时，驱动电路将自举电容的电压加到高侧MOSFET的栅极，使得栅极电压高于源极电压，从而使高侧MOSFET导通。
低电平PWM信号：
- 当PWM信号变为低电平时，驱动电路会断开对高侧MOSFET栅极的驱动。此时，自举电容会对高侧MOSFET的栅极施加一个初始的高电压，但如果没有PWM信号的持续驱动，这个电压不会被维持。

自举电容的作用

自举电容的电压会逐渐下降：
- 当PWM信号为低电平时，高侧MOSFET的栅极将不再被驱动，虽然自举电容一开始可以提供足够的栅极驱动电压，但随着时间的推移，电流会通过MOSFET的栅极和源极进行漏电，导致自举电容的电压逐渐降低。
确保高侧MOSFET关断：
- 一旦PWM信号变为低电平，高侧MOSFET的栅极电压会降低到源极电压的水平，从而关断高侧MOSFET。这是因为自举电容无法持续提供足够的电压来保持高侧MOSFET导通。

关断过程中的考虑

确保充电和放电周期合理：
- 在设计时，需要确保自举电容的容量足够大，以维持高侧MOSFET在导通期间所需的栅极电压。同时，还需考虑PWM信号的频率和占空比，以确保自举电容能够在每个周期内有效充电。
负载条件：
- 负载的电流变化也会影响自举电容的放电速度。如果负载电流很大，可能会加速自举电容的放电，从而影响高侧MOSFET的关断速度。

总结

在PWM控制信号为低电平时，自举电容虽然一开始会对高侧MOSFET的栅极提供电压，但随着时间的推移，电压会逐渐降低，最终会导致高侧MOSFET的关断。因此，PWM信号的状态确实对高侧MOSFET的导通和关断至关重要，而自举电容则是提供必要栅极驱动电压的辅助元件。

要确保高侧MOSFET在关断时确实能够关闭，并防止由于自举电容未能及时放电而导致的MOSFET持续导通或烧毁问题，可以通过以下步骤来测试和调整PWM信号及其频率：

1. 测试高侧MOSFET的关断情况

示波器测试：
- 使用示波器监测高侧MOSFET的栅极电压。你可以连接探头到高侧MOSFET的栅极，观察PWM信号的高电平和低电平期间的栅极电压波形。
- 确保在PWM信号为低电平时，栅极电压能够迅速下降到接近源极电压，从而保证MOSFET关断。
监测自举电容的电压：
- 监测自举电容的电压变化，以确保其在每个PWM周期内都能有效充电，并在关断时没有遗留过高的电压。

2. 防止MOSFET烧毁的措施

过流保护：
- 在设计中加入过流保护电路，如电流采样电阻或霍尔传感器，检测负载电流并在超过预定阈值时关断MOSFET。
死区时间：
- 在PWM控制信号中加入死区时间，以确保高侧MOSFET关断后，低侧MOSFET在一定时间后再导通，防止上下管同时导通造成短路。

3. 调整PWM频率和占空比

选择合适的PWM频率：
- PWM频率的选择应根据负载特性和开关损耗来决定。通常在几千赫兹到几十千赫兹之间选择，但需要确保频率不高于系统的开关响应速度。
占空比的调整：
- 调整PWM的占空比以控制高侧MOSFET和低侧MOSFET的导通时间。确保高侧MOSFET导通时，占空比能够提供足够的电流，并在关断时保持较短的时间。