线性稳压器LDO的关闭

LDO的关闭有过热关闭和主动关闭两种，过热关闭是一种保护措施，避免 LDO器件损坏。谈到 LDO的发热先来介绍一下 LDO效率，当对地电流相对于 Iout很小时，LDO的效率= Vout/Vin。LDO消耗的功耗 P=Pin*(1-Vout/Vin)=Iout*(Vin-Vout)。可以看出 Vin和 Vout压差越大 LDO效率越低，自身消耗的功率越大，发热越大。当发热使温度达到过热关闭门限时，LDO的保护电路启动，关闭 LDO的输出。

上图是将 LDO的输出短路，来快速测试 LDO过热关闭功能，X轴是时间，Y轴是电流。LDO输出短路后，LDO输出最大电流，消耗功耗最大。从图中可以看到，短路后电路骤然增加，经过 40ms左右超过过温门限，LDO关闭，电流为零，再经过 5个毫秒左右温度低于过温门限，LDO恢复输出。由于短路情况没有消除，这个过程循环进行，直到将短路情况去除（电流为0）。过温恢复是有迟滞门限的，避免过于频繁的震荡。

所以为了使 LDO在正常工作电流范围内不过温关闭，就要做好 LDO的散热。LDO的热阻可以从手册中查看，例如 LP2950的热阻说明，要根据所选的封装看热阻参数。例如Vin=12V，Vout=5V，电流输出 150mA时，LDO消耗功率（12-5）*0.15=1.05W。环境温度在 30度时，选择 D型封装，通过热阻推算硅片 PN结温度=30+1.05*97=131度。大于最大允许温度Tj=125度，会产生过温关断。所以在这种情况下要选择热阻更小的封装，或者外加风扇或散热片减小热阻，或者减小 Vin和 Vout的电压差。

LDO的主动关闭是电源控制的一种方法，例如控制下电时序或者控制某一部分电路进入低功耗，主动关闭通过 EN管脚实现。需要注意的是由于 LDO的输出有滤波电容，并且后级芯片的电源管脚上接有电容，所以在关闭后由于电容存储的电荷使输出电压缓慢下降。电压下 降缓慢致使后级电路在低电压上停留的时间较长，对于数字电路可能使电路在非正常供电电压下进入错误状态，这些错误状态可能触发某些危险操作。所以为了避免这些情况需要下电迅速，也就是 LDO关闭后需要对电容放电。如下图

LDO在输出端集成了 MOS管，在关闭输出时对电容放电。例如 LP3995、TLV711双路输出系列电源芯片，集成了这个功能。