（五）【数电】（门电路）基本概念| 半导体二极管/三极管门电路|MOS管

【数电专栏】

A 逻辑门电路的基本概念

“1”为高电平，“0”为低电平，则为正逻辑，反之为负逻辑；我们从图1可以看到，高低电平对应的不是一个电压点，而是对应一段电压允许范围的阈值。

这里的开关就是马上要介绍的各种半导体二极管，三极管，MOS管的受输入电压信号、v-i控制的模拟的电子开关。
如果输入信号使得开关闭合，这时相当于输出信号直接接地，输出低电平0；相反地，如果断开，$V_o$相当于接到$V_{CC}$，输出高电平。
缺陷：开关有一定的电阻，闭合时输出电压不是0而是$\frac{V_{CC}}{R_S}$。（静态功耗）
改进：

$S_1和S_2$互补，一个导通，另一个则断开。总有一个开关断开，保证电路电流几乎没有。

B 半导体二极管门电路

半导体二极管

只要输入的电压满足导通电压，那么剩下的电压就会在$R_L$的两端$i=\frac{U_i-U_{on}}{R_L}$。
反向恢复时间：某一时刻，由高点平跳到低电平，由于PN结还积聚了一定的电荷，所以会产生一个反向电流，再衰减到0。

B.a 半导体二极管的开关特性

由于半导体二极管具有单向导电性，即外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。

B.b 二极管的开关等效电路

（a）外电路等效电源和等效电阻都很小，二
极管正向导通压降和电阻都不能忽略
（b)当二极管的正向导通电压和外加电压相 比不能忽略，内阻和外接电阻相比可以忽略
(c）当二极管是理想导通开关，即外加电压
是正向导通电压的数量级，那么二极管的正
向导通压降和内阻均可忽略

在数电中，使用（b），即不计二极管导通的内阻，保留导通压降。

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B.c 二极管与门

电流永远是走电势落差最大的支路和阻抗最小的支路。AB中低电平的就会导通。

B.d 二极管或门

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二极管与门、或门存在的问题
𝟏.输出的高、低电平数值和输入的高、低电平数值不等，相差一个二极管的
导通压降，如果把这个门的输出作为一级门的输入信号，将发生信号高、低
电平的偏移。
𝟐.当输出端对地接上负载电阻时，负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。
因此这种二极管与门电路仅用作集成电路内部的逻辑单元，而不用它直接去
驱动负载电路。

C 半导体三极管

半导体三极管

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截止状态：开关处于断开状态，$v_o$通过$R_c$直接连接到电源$V_{CC}$上，$v_o\approx V_{CC}$,输出高电平。
饱和导通状态：$i_b=\frac{v_1-u_{be}}{R_B}$,我们适当地调整$R_B$，使得$i_b$比较大，使得三极管工作在饱和区，此时$u_{bc}$非常小，可以等价为一个闭合的开关，$v_o\approx 0$,输出低电平。

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半导体三极管在模电与数电的区别
在模拟电路中，我们要设置某一个静态工作点，然后使三极管尽量工作在放大区的中部，这样可以得到很好的电压放大波形。而在数电中，我们屏蔽掉放大区，利用饱和区和截止区进行电路设计。

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当$v_I$低于$V_{be}$，为低电平时，由于$V_{EE}$是一个负电源，所以$V_b$是达不到$V_{b}e$的导通要求的，这时$i_b$约等于0，则$i_c、i_e$也等于0。此时三极管相当于断开，Y通过$R_c$连接到$V_{CC}$，处于高电平。
相反，如果$v_i$输入的是高电平，$V_b$可达到$V_{be}$的开启电压。$i_b\ge I_{BS}$时，到达饱和状态。此时$U_{b}e\approx 0$，输出$v_o$也等于0，得到低电平。

加入$-V_{EE}$的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时，也能 使三极管基极为负电位，从而使三极管可靠截止，输出为高电平。

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C MOS管

C.a MOS管的结构

淡紫色就是PN结。
栅极G(gate electrode)
源极S(source)：起集电作用的电极
漏极D(drain)：起发射作用的电极
由于绝缘层，三个极绝缘，MOS管相当于断路状态。

（a）随着$U_{GS}$电位增强，电场强度增加，P的多子被电场向下排斥，则在贴近二氧化硅部分形成耗尽层。（起开关作用）
（b）随着$U_{GS}$不断增大，P的少子聚集在新形成的耗尽层，连通两个N，形成薄的的反型层。当反型层完全形成，我们把这时的$U_{GS}$称为它的开启电压（$V_{GS(TH)}$:1~4V）。

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如果DS之间不加电压，电子只会聚集，不会流动，不会产生电流。

$U_T$指的是导电沟道恰好形成的过程。
$U_{GS}>U_{DS}情况下,U_{DS}$电压不断增大，则$U_{GD}(=U_{GS}-U_{DS})$在减小，减小到等于$U_T$时，代表着靠近D区的导电层基本被夹断了，称这一点电压为预夹断电压。
如果再增大漏源电压，$U_{GS}$产生的电场一直没有变。而$GD$之间形成一个负电场，使得电子向源区聚集。而漏区开始出现一个夹断区。即便后续$DS$之间的电压再不断增强，也不会改变$i_D$大小。
为了避免漏区的电压直接通过衬底流出去，通常将衬底与源极连接。我们把衬底与源极连接的方法称为共源接法。

当$v_{DS}>0$ ， 但 $v_{GS}=0$ 时，D-S间不导通， $I_D=0$
当$v_{DS}>0$ ，且$v_{GS}>v_{GS(th)}$ (MOS管的开启电压）时，栅极下面的衬底表面形成一个N型反型 层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道，有 $I_D$流通

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C.b MOS管的输入特性和输出特性

共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线。
表示$I_D$与$v_{G}S$关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。

如果输入信号$v_{GS}$达不到沟道形成的开启电压（图中开启电压为2V。），此时的MOS管是不会有电流存在的。特性曲线对应$i_D\approx 0$的区域称为截止区。
将$u_{GS}$逐渐增强，导电沟道形成，这时候随着$u_{DS}$的增加，输出就呈现出相应的特性。把图中靠近纵轴的区域称为可变电阻区。
再往后，增加的$U_{DS}$全部落在夹断区，因为已经夹断，不再改变$i_D$数值大小，我们称为恒流区。

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$v_i$没有达到开启电压时，即$V_i=V_{GS}<V_{GS(th)}$，$i_D=0$，整个电路处于断路状态，通常用一个大电阻$R_{OFF}$等效这种状态。如果$R_D$跟$R_{OFF}$相比非常小，这时$V_{DD}$几乎全部在$R_{OFF}$上。这时后$v_o$就可以得到约等于$V_{DD}$的高电平。而栅极与源极之间用一个电容$C_I$等价。

如果$v_i$可以使$V_{GS}$之间满足开启电压条件,即$V_i>V_{GS(th)}$，这时，$i_D$增加。DS之间可以用一个$R_{ON}$代替，如果$R_{ON}$与$R_D$相比非常小，则$R_{ON}$上的电压非常小接近0，所以输出电压$v_o$为低电平。

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图片来源：《数字电子技术基础》 国防科技大学