第九章：Common Implementation Flows

本章描述使用Tessent MemoryBIST在设计中实施memory 测试解决方案的各种流程或方法，为创建和插入memory BIST逻辑解释并提供了共同流程。

Top_Down Flow

在top_down的实现流程中，可以从top_level通过工具在一个流程中执行memory BIST的生成和插入活动。这种方法通常不常用，除非设计不是很大，或者设计师在门级实现并完成的，对于以block_level方法创建的大型SoC设计，通常使用bottom_up的流程来代替这种方法。

在开始流程流程之前，要求整个设计的所有设计和库文件。

图1所示为基于block的一种分层设计，其中包括分布在整个设计中的memories，top_leve设计包括两个相同的core，每个core有两个block A和一个block B，在block A中有两个不同的电源域。

为了实现top_down MBIST的流程方法，要求正确的设计、库、物理实现（DEF）、和电源域文件（CPF或者UPF）作为先决条件，仅使用一次将design level设为chip，该方法一次在整个设计中创建和插入所有需要的memory BIST控制器。创建的单个TSDB包含所有从top_down的流程因为所有的工作从芯片级做的。

如图2所示，考虑提供的电源域和物理配置信息，memory BIST控制器被自动放置在需要的位置，例如，block A需要三个控制器由于设计中不同区域的电源域不同，每个电源域要求单独的BIST控制器。

在BIST控制器被创建和插入之后，创建patterns和test benches然后仿真，如果发现任何需要改正的问题，然后进行改变并从头开始重新跑流程。

Bottom-Up Flow

bottem_up实现流程在多个阶段执行memory BIST生成和插入，通常是基于设计中的不同blocks。这是一个常见的方法用于添加memory BIST到大的SoC设计中。

在整个设计没有完成的时候，使用bottom_up方法对已完成的blocks实现memory BIST是有益的，包括灵活性和有限的工作范围。还提供了重用的机会，即大有BIST的完整设计块可以在其他设计中重用（插入memory BIST的blocks可以被其他设计多次例化）。许多大型SoC是由不同的团队设计的，这种自底向上或基于block的方法使每个组能够独立于其他组完成其他的设计和memory BIST工作。

在Tessent Shell中基本上有两种实现bottom_up的方法，如果所有的设计blocks都完成了，并且设计文件可用，那么可调用一次Tessent Shell，并使用bottom_up的流程序列，其中首先将设计当前level设置为最低的sub_block，并为其实现memory BIST，然后通过改变当前的设计的focus重复其他sub_blocks重新执行流程序列。所有最低blocks被做完之后，然后移动到下一个更高level的hier，并将已完成的block合并到该level，并为该level添加任何所有的memory BIST。继续在该工作区，直到所有hier被完成，top_level将它们放在一起，设计level设置为chip，主要步骤如图1所示。

另一个实现bottom_up更加常见的方法，调用Tessent Shell，为每一个block创建memory BIST，这种方法为不同时间完成的blocks提供了最灵活的方法，每一个block创建单独的TSDB，如果任何要求的改变影响任何block，然后只需要给这个block重做BIST实现。

一旦更高level的设计准备就绪，就可以在更高level添加任何所需的BIST逻辑时合并较低level的block，这将为更高level创建TSDB，这些步骤基本与图1
相同，但是分开调用Tessent Shell（上面的是只调用一次）。