Sentaurus TCAD中SDE的mtt命令

Reflection

配套代码

; Building mesh
(sde:build-mesh "snmesh" "" "n@node@_half_msh")
; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -M 0 -S 0 -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
;---------------------------------------------------------------------------
(sde:build-mesh "-H" "n@node@_quarter_msh")
;---------------------------------------------------------------------------

; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_quarter_msh n@node@_half_msh")
(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")

例1

; Reflect the device
(system:command "tdx -mtt -x -M 0 -S 0 -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")
short formlong-formDescription
-mtt–mirr-tdr镜像 TDR 几何并将结果保存到另一个 TDR 文件。
-x–xmin在 xmin 处镜像。

Type: boolean; default: false

short formlong-formDescription
-M–geometry-indexTDR 几何索引。

Type: integer; default: -1

short formlong-formDescription
-S–state-nameTDR 状态索引。

Type: integer; default: -1

short formlong-formDescription
-ren–rename重命名一个区域或多个区域

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

例2

sde建立一半结构后,可以通过垂直轴线进行对称以获得完整的器件。这一镜像操作是在Sentaurus结构编辑器中完成的,通过系统调用Sentaurus数据浏览器(tdx)工具实现:

(system:command "tdx -mtt -x -ren drain=source n@node@_half_msh n@node@_msh")

选项 -x 指示Sentaurus数据浏览器沿由xmin定义的x轴对设备进行镜像反射。给定的半结构具有三个接触面:drain、gate和substrate,这些在sde_dvs.cmd文件中进行了定义。在这三个接触面中,gate和 substrate 接触镜像反射轴,在反射后会被延伸,并保持原有的名称不变。然而,反射后的drain(源极)接触面默认会被命名为drainmirrored。为了明确地将这个反射后的接触面重命名为source,我们需要在Sentaurus数据浏览器的命令行选项中使用-ren参数。
在这里插入图片描述

例3

以下命令以half.tdr文件作为输入,对结构(数据域、区域和网格)进行镜像反射操作:将反射得到的drain接触面重命名为source,并将结果保存为full.tdr:

tdx -mtt -X -ren drain=source half full

通常情况下,如果原始部分与反射部分是简单连接的,则经过反射的区域会与原始区域合并,并接收原始区域名称。

若反射部分与原始部分不是简单连接的(也就是说,它们形成了两个分离的区域),则反射部分的名称会被赋予<original_name>_mirrored(参见图1)。如果反射操作应用了多次,_mirrored字符串将会根据需要被多次追加。

-ren newname oldname 选项用于重命名反射部分。可以使用 -ren newname1=oldname1/newname2=oldname2 等形式来同时重命名多个区域。
在这里插入图片描述原始结构(左侧)经过一次镜像反射。区域“R.Substrate”由一个简单连通的部分组成,反射部分与原始部分合并在一起。对于区域“R.SGeEpi”,反射操作产生了一个与原始区域非简单连通的区域。因此,反射得到的新区域被命名为“R.SiGeEpi_mirrored”。选项“-ren drain=source”使得“drain”部分在反射后重命名为“source”。(点击图片查看全尺寸视图。)

参考

1.Technology Computer Aided Design (TCAD) Laboratory Lecture 6, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET)
2.Sentaurus Technology Template:SONOS Read/Write Operation
3.Sentaurus Data Explorer | 1.2.1 Reflection

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