非极性面上的高迁移率4H-SiC p沟道MOSFET

标题

High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces（EDL2024）

文章的研究内容

研究背景

• SiC MOSFETs的重要性：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）不仅在功率器件领域受到关注，而且在高温（>300°C）下工作的互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（ICs）开发中也具有重要意义。此外，将SiC CMOS和功率MOSFETs集成在单个芯片上，可以实现高功率密度和减少冷却系统的SiC单片功率ICs。
• FinFETs的潜力：为了实现高性能的SiC CMOS，FinFETs比传统的平面器件更有前景，因为它们具有低功耗、快速开关和高完整性。当在4H-SiC(0001)衬底上制造SiC FinFETs时，MOS通道主要在非极性面（如(1120)和(1100)面）上形成。因此，非极性面n-和p-沟道MOSFETs的电学特性对于设计基于SiC-FinFET的CMOS至关重要。

MOSFET制造

• 制造工艺：在n型4H-SiC (1120)和(1100)衬底上生长的n型外延层上制造了横向p-沟道MOSFETs。外延层的施主浓度（ND）为5×10