基于TCAD与紧凑模型结合方法探究陷阱对AlGaN/GaN HEMTs功率附加效率及线性度的影响

来源：Investigation of Traps Impact on PAE and Linearity of AlGaN/GaN HEMTs Relying on a Combined TCAD–Compact Model Approach（TED 24年）

摘要

本文提出了一种新型建模方法，用于分析GaN HEMTs的微波功率性能。通过结合工艺计算机辅助设计（TCAD）物理仿真和电路设计标准的紧凑型陷阱模型，首次直接关联了表面陷阱和缓冲层陷阱与功率附加效率（PAE）及输出功率（Pout）。在TCAD分析陷阱定位的启发下，创建了一个包含RC子网络和非线性缩放函数的新陷阱模型结构。利用基于TCAD的提出的陷阱模型提取，量化了表面陷阱效应，观察到因表面陷阱导致的Pout损失达3dBm，最大功率附加效率（PAEMAX）损失12%。此外，研究了漏极接入区二维电子气（2DEG）与PAEMAX及Pout的1dB压缩点（OP1 dB）之间的关联，并将其转化为陷阱密度（NT）与PAEMAX及OP1 dB之间的关联，从而创建了一种连接TCAD与射频大信号仿真的新直接方法。

索引词：GaN HEMT，大信号模型，微波，工艺计算机辅助设计（TCAD）建模，陷阱效应。