离子注入后如何去胶？

知识星球里的学员问：离子注入后的光刻胶很难除，有什么好的方法吗？涉及到的原理可以讲一讲。

IC制程中离子注入的作用？

离子注入主要是形成阱（WELL）、低掺杂区（LDD）、以及重掺杂区（P+/N+）。

离子注入后光刻胶难去除的原因？

离子注入过程中，光刻胶受到高能离子的轰击，离子的能量可以打破光刻胶分子链中的化学键，使这些分子重新交联，形成更为稳定的化学结构。这种交联使得光刻胶表面有一层硬壳，从而增加了去除的难度。

有哪些高效的去胶方法？

采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面，使“新鲜”的光刻胶露出，然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。

SPM：浓硫酸+双氧水；RCA1：氨水+双氧水；RCA2:盐酸+双氧水

当然也可以用臭氧水进行清洗。

但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤，在低端制程（节点<65nm）不用考虑硅的损失。当高端制程时，需要完全使用湿法工艺进行去除。