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最新推荐文章于 2023-05-13 11:15:00 发布
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文章标签： 硬件工程
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版权

VIN->CLC（将电源正负极作标识）
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VIN->FUSE->TVS->C（大功率电源保护）
采样电阻->低通
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低通->ADC
Q：运放计算？
在这里插入图片描述
MCU信号->总线驱动->ESD保护（小信号放大，外接端口接ESD保护）
Q：输入输出串联电阻？
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NMOS开关
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MCU信号->总线驱动->隔离
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PMOS开关->PMOS缓启动
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数字电路硬件设计系列（三）之缓启电路设计
医疗电子的博客
02-03 5357
电路的主要组成部分包含了R1、R2、C1、Q1组成，通过简单元器件就可以使用缓启动功能。电源的输出是由PMOS的打开和关闭控制，缓启动的实质就是让PMOS管的打开的时间变得缓慢，此处我们采取的措施是在栅极和源极之间增加一个电容C1，是PMOS的导通时间变得缓慢。导通的时间于R1、R2、C1的参数是强相关的。
【电路参考】缓启动电路
最新发布
wsq_666的博客
09-03 3968
本文介绍了电源热插拔可能导致的危害，以及采用缓启动电路所带来的优点。
MOS管缓启动电路
yingyu12345的博客
01-02 1万+
NMOS和PMOS应用上有较大的区别
MOSFET（三）：电源缓启动
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
02-13 1万+
一：原因 电源在进行插拔时，会有如下两种情况出现： 1、电源连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳； 2、由于系统大容量储能电容的充电效应，系统中会出现很大的冲击电流 上述两种情况可能会引起连接器打火，引发火灾；也可能会引起系统电源跌落，导致误码或系统重启。 二：MOS管 MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简单的特点，利用其米勒效应，在电路设计中可以设计电源缓启动电路（通常情况下，在正电源中用PMOS，在负电源中使用NMOS），可以实现...
带看门狗的PMOS缓启电路
sophie34的博客
04-05 4968
文章目录问题背景方案设计方案验证经验总结 大家好，本人朱大昌，叫我大昌就好。 在硬件设计当中，大家可能经常会遇到电路启动过快、电流过大拉低源电压的问题，如何解决呢，今日就教你们一招！ 问题背景 大昌接手的某硬件产品，上电时大电流，直接拉黑供电设备，供电设备重启，波形如下： 黄色为供电5V，绿色为输出电流，如图可见瞬时大电流高达3.13A 方案设计 考虑到原方案带看门狗电路，大昌再用一个PMOS和NMOS顺利解决问题，方案如下： 利用看门狗TPL5010上电时 方案验证 经验总结 ...
Hardware Malware
08-31
Title: Hardware Malware Author(s): Christian Krieg, Adrian Dabrowski, Heidelinde Hobel, Katharina Krombholz, Edgar Weippl Series: Synthesis Lectures on Information Security, Privacy, and Tru ...
get_hardware_information
09-30
windows下获取CPU ID，硬盘序列号，主板序列号，MAC地址等信息，配合博客https://blog.csdn.net/wolfcsharp/article/details/100984664使用
Hardware Hacking
09-06
This book teaches you how to tickle electronics. It is a guide to the creative transformation of consumer electronic technology for alternative use.
MATLAB_Support_Package_for_Arduino_Hardware.zip
12-27
MATLAB Arduino官方支持包，通过官方离线下载得到的安装包，可以离线安装 MATLAB Support Package for Arduino Hardware，官方下载。
如何通过MOS管控制电源通断以及缓启动
谢谢关注“小鱼教你模数电”,各平台同号
09-16 7335
三极管这里主要做电平转换用，MOS管的左边是输入的电压，右边是输出的电压，当三极管输入为低电平时，三极管截止，MOS管的栅极为高电平，MOS管截止，电源输出关断，当三极管输入为高电平，三极管导通，PMOS栅极为低电平，MOS管导通，电源输出开启。当三极管输入由0变为1时，电容通过电阻放电，栅极电压从VCC慢慢变为0，而输出的电压把也变得了很缓慢。MOS管控制电源的通断电路如下，主要包含一个NPN的三极管，还有一个功率PMOS管。2.MOS管导通时内阻小，压降小。1.MOS管导通电流大，
实例讲解MOS管电源开关电路的软启动
U_YAO的博客
05-13 4458
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。不过从作者的描述来看，只是电路参数有区别，能通过的电流、能承受的耐压等不一样，但是软启动的原理是一样的。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
详细分析MOS管缓启动电路及其原理详解
树卡花
02-11 1万+
在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述： 尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电
基于MOS缓启动电路笔记
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qq_42682826的博客
12-04 3万+
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值...
开关电源的缓启动Soft Start
李家小院
10-02 2万+
简单地说，开关电源需要缓启动的目的在于限制刚上电时的冲击电流。 图1 缓启动和非缓启动的波形对比 以下以DCDC芯片TPS54620为例对缓启动时间进行仿真。 图2 TPS54620缓启动的仿真电路 缓启动时间Tss(ms) = 1(nF)*0.8(V)/2.3(uA) = 347.8us。 图3 TPS54620缓启动的仿真结果 上图中，12V在0时刻供电，暗红色竖线部分...
MOS管的米勒效应简介
莫比乌斯的硬件花果山
08-13 5060
一、弥勒平台介绍 Mos管的三极都会存在以下的三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。 米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程 中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。米 勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。为什么会有米...
robomaster-MOS管开关电路-TPCA8122不能快速关断深入研究
RM小白的博客
12-04 4000
一、mos关断电路知识基础 1、PMOS PMOS是栅极高电平（|Vgs| >Vt)导通，低电平断开，可以用来控制与地之间的导通。对于PMOS来说，一般是源极接电源正极，而栅极接在电源负极。 2、NMOS NMOS是栅极低电平（|Vgs| >Vt)导通，高电平断开，可以用来控制与电源之间的导通。对于NMOS来说，一般是源极接在电源负极（低电位），而栅极接电源正极。 3、MOS开关损失 NMOS还是PMOS，导通后存在导通电阻，电流会在电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小
产品电源供电部分采用缓启动电路，对其中上电和断电的过程分析
gtkknd的专栏
04-06 6140
产品电源供电部分采用缓启动电路，对其中上电和断电的过程分析：       就是C75 R62起作用，C75充电，G脚电压逐渐降低，让MOS管缓慢打开。
vector hardware
08-22
Vector Hardware Manager是Vector Hardware Config工具的继承者和升级版。它是一个Vector中央硬件配置工具，允许在一个工具中配置和管理所有VN设备。 vHardwareManager提供了一些有关配置Vector接口的一般信息，并...

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