【资料分享】高边、低边晶体管开关及电路解析

高边和低边晶体管开关

电路中,晶体管常常被用来当做开关使用。晶体管用作开关时有两种不同的接线方式:高边(high side)和低边(low side)。

高边和低边是由晶体管在电路中的位置决定的。晶体管可以是双极性晶体管(BJT)或者场效应管(MOSFET)。

低边晶体管电路

低边开关,晶体管接地,也就是说晶体管在负载和地之间。由于晶体管正在开关接地线路或位于负载的低电压端,因此称为低边开关。

通常使用 NPN 型三极管或者 N 沟道场效应管。
低边晶体管
对于 NPN 三极管来说,发射极接地,集电极连接到负载。作为开关,三极管工作在饱和状态。饱和意味着有足够的基极电流来完全开启三极管。

对于 N 沟道场管来说,源极接地,漏极连接到负载的负侧。虽然您可以在该电路中使用结型场效应管(JFET),但增强型场管效果更好。注意:场管有一个下拉电阻。

高边晶体管电路

与低边开关相对的是高边开关。晶体管连接在电源正极和负载高电压端之间。在 Arduino 或 Raspberry Pi 电路中使用这些晶体管可能会有些困难。

通常使用 PNP 型三极管或者 P 沟道场效应管。
高边晶体管
对于 PNP 型三极管来说,发射极连接到电压正极,而集电极连接到负载。对比上面的低边三极管开关电路,PNP 的发射极和集电极正好是与之颠倒的。

就像 NPN 三极管一样,PNP 三极管需要在饱和区工作才能完全导通晶体管。

对于 P 沟道场管来说,源极连接到电压正极,漏极连接负载。与低边开关一样,您可能希望使用增强型场效应管。注意:场管有一个上拉电阻。
高边、底边晶体管开关电路
P管控制电压和被控电压相同时,当被控信号(负载电路)的电压电压和控制信号电压相同时,如果使用 P 型晶体管,上面的电路可以正常工作。值得注意的是 P 管是个反管,也就是说,输入高电平时,电路不导通,输入低电平时导通。

当被控信号的电压高于控制信号电压时,你需要使用晶体管驱动。下面,让我们看看用晶体管驱动另一个晶体管。

晶体管驱动另一个晶体管

晶体管驱动电路是指用来驱动另一个晶体管的电路。晶体管驱动电路被用在当驱动信号电压(或电流)和被控晶体管电压不同的情况。下面是需要晶体管驱动的两种情况。
晶体管驱动电路
大电流场管具有相当大的栅源极阈值电压(Vgs)。虽然来自 Arduino GPIO 引脚的 5 伏电压可能足以打开晶体管,但不足以使其进入饱和状态。

在场管饱和之前,其导通电阻可能相对较高,从而限制了它可以处理的最大电流。

当被控电压高于控制信号电压时,用 NPN 三极管驱动 PNP 三极管 或 P 沟道场管是很常见的。如果没有驱动电路,晶体管可能永远不会关断。

高边晶体管为什么会存在?

对于开关来说,使用低边开关简单易用,易于理解。而且,对于双极型(BJT)晶体管和场管来说,P 管通常比 N 管具有更大的电阻值(或更低的电流输出能力)。既然如此,它们为什么存在呢?

低边开关电路切换的是对地的导通,高边开关电路切换的是对电源的导通。有时候,你想保持接地并且控制对电源的导通与否。

还有一个原因就是,即使晶体管完全导通,其两端仍然存在一个很小的压降。这意味着,被控制器件的接地不是完全接地的 0 伏电压。

对于像 LED 这样的器件,切换电源或是地并不重要。但是,对于像 MCU 这样的的有源设备需要良好的接地!这种情形需要用到高边管。

还有一种情况就是开关电源中,需要控制对待转换电源的通断,也需要高边管。

总体来说,如果要打开或关闭器件,低边开关是一个简单的解决方案。但是,如果要控制的是整个电路或电压敏感设备的供电,则需要使用高边开关。

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### MOSFET高边的区别及工作原理 #### 一、基本概念 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子电路中的开关和放大器件。根据其在电路中的位置和功能,可以分为高边(High-Side)和(Low-Side)。两者的区别主要体现在连接方式及其驱动需求上。 #### 二、高边MOSFET的工作原理 高边MOSFET通常用于将负载的一端连接至电源正极的情况。在这种配置中,MOSFET的源极端子连接到负载的一侧,而漏极端子则连接到电源正极[^1]。为了开启NMOS类型的高边MOSFET,需要将其栅极电压抬升至高于源极电压一定的阈值电压 \(V_{GS}\),这通常意味着要提供一个比电源电压更高的驱动电压。这种特性使得高边驱动相对复杂,并可能需要额外的电荷泵或其他升压机制来满足栅极驱动的要求[^4]。 #### 三、MOSFET的工作原理 相比之下,MOSFET更为简单易用。在此种情况下,MOSFET的源极端接地,而漏极端接到负载的另一端[^2]。当施加合适的栅极-源极电压时,即可轻松打开或关闭此路径上的电流流动。由于不需要特殊的高压级联结构就能激活设备,所以其实现起来更加简便经济高效。 #### 四、两者对比分析 | 特性 | 高边MOSFET | MOSFET | |--------------|------------------------------------|-------------------------| | **定义** | 连接于电源正极与负载之间 | 接地并与负载串联 | | **复杂度** | 较高 | 更 | | **成本因素** | 可能涉及昂贵的辅助组件 | 不需特殊附加件 | | **适用场合** | 当必须保持公共地线不变的应用场景 | 多数常规用途 | 综上所述,在实际工程实践中选择具体哪一种形式取决于特定应用场景下的各种考量要素如效率、安全性等因素的影响[^3]。 ```python # Python模拟简单的高切换逻辑 def switch_mosfet(high_side=True, vgs=0): if high_side and vgs >= 5: # 假设高边需要至少5V以上的Vgs才能导通 return "High-side ON" elif not high_side and vgs > 0: return "Low-side ON" else: return "OFF" print(switch_mosfet(True, 6)) # 测试高边情况 print(switch_mosfet(False, 3)) # 测试情况 ```
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