亚阈值电流镜

相同电流情况下，由于亚阈值区的gm较大，造成由于阈值电压Vth的失配造成的失配会更大，所以要规避过大的gm，选取较大的过驱动电压。
相同电流情况下，W/L的尺寸选的较小一点，或者说L一定时，W不要取得过大。

Q:Vgs一定的情况下，特别小，几乎小于Vth，一定是亚阈值电流镜吗。此时如何规避？
12u*100mV=1200n的失配？

为啥不能用亚阈值区管子做电流镜？？？

其实是可以用的。但是实际工程上用有一个很明显的缺点，就是亚阈值区的管子电流密度很低。
如果你需要一个大一点的电流，比如说mA级别，那么你的管子面积不得不弄得很大，这在大部分时候是不划算的。
所以应用于低功耗的时候？
此外，gm/id=2/Vvov，即小的过驱动电压反而取得大的gm/id,所以gm/id方法适用于亚阈值的设计。

另外就是亚阈值区的时候，管子处于微微导通，这个时候，vth的失配会引起电流很大的变化。
这要是不太想要的。
你可以设想一下，假设有一个管子是亚阈值的边缘，另一个管子由于vth小一点，反而进入了饱和区。那么在PVT的影响下，其实电流源并不具备很好的镜像性能。

亚阈值当然能用啊，有疑问跑个mc仿真就行了。
实际的管子工作区不是突变的，存在过渡区域的，书上的公式只是近似。
假如管子工作在饱和区边缘，某些corner下会进到亚阈值区，这些corner性能就会偏差很多吗？一般来说是不会的。

确实，亚阈值区管子电流密度低，不利于工程实现。另外亚阈值区失配也会高于饱和区，在beta基础上加上了Vth的影响。

亚阈值的pvt失配难控制吧

抛开失配的问题。如果你是单独要复制一个电流，亚阈值区的管子当然可以用，并且上面网友给了应用。但是你如果是要电流偏置（大部分应用场景），而后面需要偏置的电路不是大都是饱和区吗，难不成用亚阈值区的电流镜给后面需要饱和区的core电路做电流偏置？

是的，仅仅对于电流镜管，偏置还是得在饱和区

电流镜管工作在亚阈值区的话，对vds最小值有什么要求呢：至少大于三到四个VT

总结：
vt是温度的电压当量，vt等于kT/q 其中k是玻尔兹曼常数T熟，T是热力学温度，q是一个电子的电量，常温下，即T等于300K时，vt约等于26mv