亚阈值区电路mos管特性

最新推荐文章于 2024-09-03 16:00:00 发布

Carol0630

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本文链接：https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/122541625

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本文探讨了亚阈值区(sub-threshold)MOS管的特性，包括其在低功耗应用中的优势，如小的vdsat和大的gm。文章还涉及如何判断MOS管的工作区域，并详细介绍了gm/id设计方法学，提供了ocean代码作为参考。

摘要由CSDN通过智能技术生成

亚阈值区-eetop

1.关于亚阈区sub-threshold

在这里插入图片描述

相同电流，亚阈值区vdsat小，gm大，等效输入噪声电压小，但是同时W/L大，电容大。。。

主要还是低功耗的要求吧

2.region判别MOS管工作区;

在这里插入图片描述

3.gm/id设计方法学

总结：gm/id设计方法学
参考：gm/Id方法的原理
 gmid-eetop
在这里插入图片描述

ocean代码

simulator( 'spectre )
design( 
"/home/liuheng/simulation/NMOS2V_DC

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亚阈值区-eetop1.关于亚阈区sub-threshold
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