常用过压保护+缓启动电路说明汇总

最新推荐文章于 2024-08-04 21:16:42 发布

Apricity0877

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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_47060525/article/details/117287404

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本文介绍了过压保护、防反接和缓启动三种电源保护电路的工作原理。过压保护利用稳压二极管和PNP晶体管，确保在电压超过26V时关闭输出。防反接保护则通过NMOS管确保无输入或反接时断开地网络。缓启动通过C4电容和PNP管实现电源逐渐开启。此外，还提及了瞬态保护措施如保险丝和TVS二极管的应用。

摘要由CSDN通过智能技术生成

过压保护、防反接、缓启动电源保护电路

大疆保护电路

原理说明

1、过压保护

正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，Q1导通，VCC_BAT与VCC_24V导通，正常输出24V电压给后级电路

过压情况>26V一般会到28-30V，稳压管D3反向击穿，将Q2PNP管的栅极电位钳制在其稳压值28V而Q2PNP的射极电压接的是过压的VCC，因此Q2PNP的Vbe<-0.7，PNP导通，之后过压的VCC通过导通的Q2和R7到Q2PMOS的栅极，由于管压降很小，可以近似认为Q2PMOS的Vgs=0，PMOS关断，无输出电压到后级电路，实现过压关断保护。

问题：关断时间有延迟。主要原因是PNP导通后集电极处电位需要快速升高到电源电压才能使得PMOS关断，而由于电容C4的存在，电位上升速度受限，τ = Rg * C。
可能的改进方案：外加一个控制电路来直接控制PMOS的栅极G，直接挂在稳压管1脚处就可以了。