微纳加工技术_湿法腐蚀与干法刻蚀_干法刻蚀若干问题

干法刻蚀若干问题

掩模损失和硬掩模

在刻蚀中，光刻胶的开口也会被刻蚀，导致掩模展宽，开口变大，这降低了刻蚀的精度；为避免这种情况，

侧壁沉积物的控制

可以有效保护侧壁，但是过多会使窗口缩小；

侧壁沉积物过多，导致下面的形貌：

清除沉积物后的刻蚀结果：

可以通过通入氧气来去除Polymer；

负载效应

由于图形的疏密程度不同，导致刻蚀速率不同；
通过加入一些Dummy pattern 来避免负载效应；

天线效应

在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。

举例：

1. 多晶硅栅的刻蚀

2. TSV的刻蚀