CMOS模拟集成电路摘要

深度好文，好看不火

• 第一章 模拟设计简介
  • 一 IC历史
  • 二 基础概念
    • 生产步骤：设计和制造分离
    • 设计方法学
    • 模拟模块
• 第二章 MOS器件
  • 二 MOS的IV特性
  • 三 小信号模型
  • 四 二级效应
• 第三章 单级放大器
  • 二 共源放大器
    • 电阻负载
    • 二极管负载：GD相连
    • 电流源负载
    • CLASS AB
    • 万用分析法
    • 源极负反馈
  • 三 源随器
  • 四 共栅级
  • 五 共源共栅放大器
• 第四章 差动放大器
  • 一 差动电路
  • 二 共模响应
• 第五章 电流镜和偏置技术
  • 一 两种改进方法
  • 二 有源电流镜
• 第六章 放大器的频率特性
  • 一 共源级的频率特性
  • 二 共源共栅的频率特性
  • 三 差动对的频率特性
  • 四 增益与带宽折衷
• 第七章 噪声
  • 一 噪声的统计特性
  • 二 噪声类型
  • 三 电路的噪声表达
• 第八章 反馈
  • 一 负反馈系统概述
  • 二 放大器种类
• 第九章 运算放大器
  • 一 单极OTA
  • 二 两级运放
  • 三 增益激增技术
  • 四 共模反馈
  • 五 压摆率
• 第十章 稳定性与频率补偿
  • 一 多极点系统与稳定裕度
  • 二 设计问题——频率补偿

本文配合课堂笔记食用。

第一章 模拟设计简介

一 IC历史

第一块IC是TI公司的振荡器
现代IC：12英寸（30cm） 切为0.75mm的晶圆，将裸芯chip封装为芯片

二 基础概念

生产步骤：设计和制造分离

• IDM集成电路制造商
• fabless 设计公司
• foundries 工厂

设计方法学

• more Moore 沿着摩尔定律继续走下去：沿着5nm继续减小特征尺寸，成本高
• More than moore 不追求小尺寸，在chip上集成更多功能，小厂商更喜欢

模拟模块

电源管理、射频、频电路、端口、时钟信号产生

第二章 MOS器件

了解双阱工艺、深N阱工艺

二 MOS的IV特性

Vth：耗尽层和反型层的临界
会计算阈值电压：受到温度和掺杂浓度的影响。（与掺杂浓度正相关）
电流：随着W线性变化

• 线性区：随着$V_{GS}$线性变化
• 饱和区：随着$V_{OD}$平方变化，不随$V_{DS}$变化（$V_{DS}$达到$V_{OD}$以后）

三 小信号模型

小信号足够小：将推到过程中小信号幅值平方（非线性项）忽略
小信号模型中，VDD和GND均为交流地
跨导的表示：尺寸 电压 电流 两两独立

四 二级效应

体效应：源随器输入输出差随着输出增大变大，$g_{mb}=\eta g_m$，注意是电流对$V_{BS}$的偏导数
沟道长度调制效应：饱和区电流线性增大到$(1+\lambda V_{DS})$倍（通过L和$V_{DS}$来影响电流），斜率是$\frac{1}{\lambda }$，$\lambda$正比于$\frac{1}{L}$，等效电阻$r_0=\frac{1}{\lambda I_{DS}}$。
亚阈值导通：S：电流下降一个数量级电压的变化，越小越好
寄生电容：交叠电容$C_{ov}$和结电容$C_j$ and $C_{jsw}$

• 结电容：$C_{SB}=$底部＋侧面
• 栅电容：饱和区$C_{GS}$分$C_{ox}$的三分之二，线性区$C_{GS}$和$C_{GD}$各分一半
  可以忽略的：$C_{GB}$，$C_{SB}$,$C_{DB}$

第三章 单级放大器

通用方法：$A_v=G_m{r}_{out}$
$G_m$:输入$\Delta V$，输出短路到gnd，观察输出支路电流
$r_{out}$:输出节点倒灌$\Delta V$,输入为交流gnd，观察输出支路的$\Delta I$
$r_{in}$:输入节点灌$\Delta V$,输出节点开路（假装没有这个节点），观察输入支路的$\Delta I$

晶体管的快速处理技巧（重要!）：

1. G接交流地：

• 从D看进去是$r_0+\frac{R^{\prime }}{(1+g_m)r_0}$
• 从S看进去是$R^{\prime }\ast (1+g_m)r_0$

2. G不接交流地：

• 二极管GD相连：如果$V_{GS}$发生了变化，则等效$\frac{1}{g_m}$的电阻,同时注意观察是否具有体效应，如果有，等效$\frac{1}{g_m+g_{mb}}$
  结论：二极管D和S看进去的电阻：$r_o||\frac{1}{g_m(1+\eta )}$

• 我们关心的性能指标
• 模拟八边形

二 共源放大器

电阻负载

1. 大信号：列等式即可，非线性$g_m$——最大VDD，最小$V_{in}-V_{TH1}$
2. 小信号：求导法/小信号模型
   $$G_m=g_m,r_{out}=R_D$$
   $g_m$随着$V_{in}$的变化：饱和区跨导线性增大，进入线性区后减小
3. 输入电阻：无穷大

二极管负载：GD相连

1. 大信号：接近线性，最大$V_{DD}-V_{TH2}$最小约为0
2. 小信号1：
   $$A_v=\sqrt{\frac{(W/L{)}_1}{(W/L{)}_2}}\frac{1}{1+\eta }$$
3. 小信号2:(输入阻抗无穷大)
   $$G_m=g_{m1},r_{out}=\frac{1}{g_m}$$

• NMOS二极管：S是输出端，是变化的，因此考虑体效应$r_{out}=\frac{1}{g_m+g_{mb}}$,注意输出电阻从S端看进去时候也能看到$r_0$
• PMOS二极管：S是VDD（交流地），不用考虑体效应

4. 快速结论：
   $$A_v=\frac{V_{GS2}-V_{TH2}}{V_{GS1}-V_{TH1}}$$

• 电流源和二极管并联接法：扩大增益，缩小了小信号范围

电流源负载

问题：一山不容二虎
对比电阻：高增益but高噪声低速

1. 大信号范围：最低$V_{OD1}$，最高$V_{DD}-V_{OD2}$。but输出电压不能精准控制
2. 小信号：
   $$G_m=g_m,r_{out}=r_{o1}||r_{o2}$$

• 注意：电流增大，增益减小。这是由$r_o$减小所导致的
  电流源负载的偏置可以以VDD为基点，电流不受电源波动的影响

CLASS AB

电流复用
$$G_m=g_{m1}+g_{m2},r_{out}=r_{o1}||r_{o2}$$

• 缺点：有效工作点区域小，会将$V_{DD}$的变化放大到$V_{out}$
  $$\frac{v_{out}}{v_{dd}}:G_m=g_{m2}+\frac{1}{r_{o2}},r_{out}=r_{o1}||r_{o2}$$
  可以通过偏置技术、浮栅手段缓解VDD的影响

万用分析法

传输电流一定，两端压降小的上拉或者下拉能力强（主要处在非线性元件上）

• 电阻：上拉能力不变
• 二极管：上拉能力增强，削弱了下拉能力，增益小
• 电流源：上拉能力弱，下拉能力增强，增益大
• ClassAB：上拉能力随$V_{in}$减弱，下拉能力增强，增益大

源极负反馈

秘诀(理解负反馈)：
$V_{GS}$：与G正相关，与S反相关。因此求$G_m$相当于前馈通路上是$g_m$,反馈通路上是$R_s$

反馈效果小的时候，$G_m=g_m$
$V_{in}$大的时候，$G_m=\frac{1}{R_s}$完成线性化
$$G_m=\frac{g_m}{1+g_m{R}_s}，r_{out}=R$$

• 把G_m写详细后可以发现：$G_m=\frac{g_m{r}_o}{r_{out结构}}$
• 反馈结构输出电阻:用上技巧可以快速写出，化简后结果为
  $$r_{out结构}=(g_m+g_{mb})r_o{R}_S$$
• 与电流源相比，本征增益没有变化（理想电流源作用，使得反馈节点成为了交流地）

三 源随器

简单记忆：源随器要分压

1. 小信号分析(电阻反馈)：
   $$G_m=\frac{g_m}{1+(g_m+g_{mb})R_s},r_{out}=R$$
   在考虑体效应时候$A_v<1$

• 注：$A_v$本质：先将体效应等效为电阻，再将受控源进行戴维宁等效
• 输出电阻(其实省略了$r_0$)：
  $$r_{out}=\frac{1}{g_m+g_{mb}}$$
• 小信号分析：理想跟随——用电流源代替电阻

2. 优缺点
   优点：输入阻抗大 输出阻抗小
   缺点：电压余度减小，非线性（体效应，$r_o$的变化）

四 共栅级

• 输入电阻小，适用于电流型放大器
• 小信号增益为正数
  两种共栅级放大器结构：直接耦合型和电流耦合型

1. 输入电阻：（用技巧）
   $$r_{in}=\frac{R_D+r_o}{1+(g_m+g_{mb})r_0}$$
   • 负载电阻小的时候，可认为$r_{in}=\frac{1}{g_m+g_{mb}}$
   • 理想电流源代替负载电阻，输入电阻无穷大
2. 输出电阻：同负反馈
3. 等效跨导：
   电压源看到的电阻取倒数
   $$G_m=[R_s+\frac{r_o}{1+(g_m+g_{mb})r_o}{]}^{-1}$$

• 一般可认为电压源内阻很小，$G_m=g_m+g_{mb}$

五 共源共栅放大器

（这一章本人的笔记写的不好，主要参考老汉的笔记）

1. 输出电阻（同负反馈）
   $$r_{out}=g_m{r}_{o1}{r}_{o2}$$

• 想获得大增益不能使用电阻负载，应当使用电流源负载，此时跨导为$g_{m1}$
• 使用共源共栅结构作为负载，缺点在于消耗了$4V_{OD}$的电压裕度

2. 跨导的精确求解（分流法）
   $$G_m=g_{m1}\frac{r_{o1}}{r_{o}1+\frac{r_{o2}}{(g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}+1}}$$

• 本征增益扩大$(g_{m2}+g_{mb2})r_{o2}+1$倍

3. 屏蔽作用
   共源共栅极电流失配更小，拥有更高的耐压能力（对于击穿电压小的工艺通常增大VDD来提高信噪比）

4. 折叠式共源共栅
   扩大输入范围，输出电阻更小，约为$g_{m2}{r}_{o2}(r_{o1}||r_{o3})$

第四章 差动放大器

差动电路的优势：抑制电源噪声和共模噪声，增大输出摆幅
差动电路的劣势：面积和功耗翻倍，各自的独立噪声部分变大

• 伪差动：两个单端放大器叠加，放大特性不受共模位置变化影响
• 真差动：当输入差动小信号电流不能均分

一 差动电路

1. 大信号：看斜率，在两端大信号输入相同时最大
   共模特性：随着$V_{in,CM}=V_{in,1}=V_{in,2}$电流源M3先线性后饱和，随后M1，M2进入线性。

• 共模输入输出范围：
  $$V_{GS1}+V_{GS3}-V_{TH3}<V_{in，CM}<min[V_{DD}-R_D\frac{I_{ss}}{2}+V_{TH},V_{DD}]$$
  $$max[V_{in,CM}-V_{TH},V_{DD}-I_{SS}{R}_D]<V_{out}<V_{DD}$$
• 差模输入范围：
  $$|V_{in,diff}|=\sqrt{2}{V}_{OD}=\sqrt{2}\sqrt{\frac{2(I_{SS}/2)}{\mu C_{ox}W/L}}$$
  增大输入摆幅两种方法:减小尺寸和增大电流源
  • 增大尺寸：输入范围减小 增益增大 线性度恶化
  • 电流源电流增大：输入范围增大 增益增大 线性度改善

2. 小信号分析

• 叠加原理
  $$G_m=\frac{1}{\frac{1}{g_{m1}}+\frac{1}{g_{m2}}}，r_{out}=\frac{1}{g_{m2}}，A_v=-g_m{R}_D$$
  小信号增益与差动小信号的施加方式无关
• 半边等效
  电阻的虚地在阻值的中央
  源极负反馈：提高线性度、增大差动输入范围（牺牲增益）

二 共模响应

尾电流源非理想、电路失配

1. 非理想电流源有内阻
   相当于源极负反馈，差动合一
   影响：共模输入干扰了偏置点，共模输出不是恒值，输出范围减小
   要减小共模增益，需要增大电流源内阻（增大L）
2. 电路失配：负载电阻失配和晶体管失配
   负载电阻失配：共模输入产生差模输出变化
   $$\Delta V_{diff}=\frac{g_m}{1+2g_m{R}_{SS}}\Delta R$$
   晶体管失配：
   $$A_{CM-DM}=\frac{(g_{m1}-g_{m2})R_D}{1+(g_{m1}+g_{m2})R_{SS}}$$
   共模抑制比：
   $$CMRR=\frac{g_m}{\Delta g_m}(1+2g_m{R}_{SS})$$
   除了$g_{mb}$失配，$R_{SS}$无限大可以抵消所有失配

第五章 电流镜和偏置技术

基本电流镜的缺陷在于沟道长度调制效应使得复制不准确
实际上的问题：L不能精准倍增，阈值电压受L的影响，栅宽边缘无法精确确定

一 两种改进方法

1. 共源共栅：迫使右侧(v)等于左侧©
   抵抗电压波动的影响：输出节点电压变化的时候，由于共源共栅结构高阻，电流变化不大，由于屏蔽作用，中间节点维持不变。
   但是浪费了电压余度。

• 大信号特性：右上方先进入线性区（屏蔽作用）

2. 低电压共源共栅：迫使c做出改变
   让左侧电元件的压降为一个阈值电压
   $V_b$的产生技术称为偏置技术：串电阻压降为$V_{OD}$，或单独引出$\frac{1}{4}$尺寸的电流镜。

二 有源电流镜

1. 大信号分析
   输出范围0-VDD:

• 输出0时：M134截止其余线性
• 输出VDD时：M2截止 M4深线性

2. 小信号分析

• 近似分析
  $$G_m=g_{m1,2},r_{out}=r_{o1}||r_{o3}$$
• 精确分析
  相当于在近似解上乘一个略小于1的修正项
  $$A_v=g_{m1}(r_{o1}||r_{o4})\frac{2g_{m4}{r}_{o4}+1}{2(g_{m4}{r}_{o4}+1)}$$

3. 共模特性
   $$A_{CM}=-\frac{g_{m1,2}/g_{m3,4}}{1+2g_{m1,2}{R}_{SS}}$$
   $$CMRR=\frac{A_{DM}}{A_{CM}}$$

• 对比全差动：共模变化都会影响输出。但全差动电路的对称性保证了差模的稳定（共模抑制能力、电源抑制能力更强）

4. 偏置技术（不掌握？）

第六章 放大器的频率特性

密勒定理
$$Z_1=\frac{Z}{1-(-A)},Z_2=\frac{Z}{1-(-A{)}^{-1}}$$
对于一个电容：
$$C_{in}=(1+A)C_F,C_{out}=(1+A^{-1})C_F$$
缺点：可能会消除零点、增加极点、无法求解输出阻抗

一 共源级的频率特性

• 近似求解：忽略了一个零点
  电压源电阻小：密勒定理两个极点
  电压源电阻大：${\omega }_{in}$不变 $$R_{out}=R_D||\frac{C_{GD}+C_{GS}}{C_{GD}}\frac{1}{g_{m1}}$$
• 精确求解：零点
  $$v_1{C}_{GD}{s}_z=g_m{v}_1$$
• 输入阻抗：先忽略$C_{GS}$算出等效阻抗再并联上该电容。

二 共源共栅的频率特性

零点不重要，有三个极点。前两个节点之间的增益约为1
中间节点的$\omega$更大

三 差动对的频率特性

• 无源差动对：$A_{CM-DM}$恶化，共模抑制比下降（相比不考虑寄生电容）
• 有源电流镜的频率特性
  两个极点+一个左半面零点
  快慢路径相加而来

四 增益与带宽折衷

GBW单位是$rad/s$，其大小等于带宽${\omega }_u$
$${\omega }_u=\frac{g_{m1}}{C_L}$$
若输出极点是主导极点，则采用共源共栅结构无法提升增益带宽积，因为此时GBW与$r_{out}$无关

第七章 噪声

一 噪声的统计特性

1. 噪声谱：功率谱PSD,$S_x(f)$(单位$V^2/Hz$)和电压谱VSD
   注意区分平均功率$P_{av}$
   白噪声：特定频段幅值为常数
   单边谱是双边谱折叠而来
   功率谱表示预计波形在时域中变化有多快
2. 时域：$P_{av}$
3. 统计方法：标准差代表了噪声的功率

• 两个信号相乘后再周期内求相关是否为0判断两信号的相关性
• 信噪比SNR是信号与噪声功率比的积分

二 噪声类型

热噪声：电阻+MOS 闪烁噪声

1. 电阻噪声：自带白噪声$4kTR$（串联电压），k=1.38e-23
   RC网络的总输出噪声功率：$$P_{n,out}=\frac{kT}{C}$$
   可见若想获得低噪声系统，必须减小带宽${\omega }_u=\frac{g_m}{C_L}$
2. MOSFET噪声：并联联一个$4kT\gamma g_m$，相当于串联了$4kT\gamma g_m{r}_0^2$
   输出噪声和输入有关系，减小$g_m$才能减小噪声，且噪声和$r_o$没有关系
   栅电阻噪声$4kT{R}_G/3$，减小闪电组的方法：加接触孔、折叠
3. 闪烁噪声：晶体管的悬挂键俘获了载流子，再栅上
   $$V_n^2=\frac{K}{C_{ox}WL}\frac{1}{f}$$
   PMOS的制造不需要栅，能用P就不用N，能用BJT就不用MOS，只有增加尺寸才能降低闪烁噪声

• 联立MOS的热沟道噪声和闪烁噪声可以求出拐角频率
  $$f_C=\frac{K}{C_{ox}WL}\frac{g_m}{4kT\gamma }$$
  如果选定了L，则拐角频率相对不变。

三 电路的噪声表达

输出参考噪声和输入参考噪声。
误区（没看懂）

1. 共源级
   老师黑板上写的第二项好像没有平方？
2. 共栅级：输入参考噪声和输入没关系吗？都是默认再栅级看进去？
3. 共源共栅极（重要）：M2的噪声对输入没有贡献
4. 差动对的噪声（重要）：闪烁噪声和热噪声都double即可

第八章 反馈

$$\frac{Y(s)}{X(s)}=\frac{1}{\beta }\frac{\beta H(s)}{1+\beta H(s)}$$

一 负反馈系统概述

对于单极点放大器，接成负反馈：增益降低一定倍数，带宽提高相同的倍数，无法改变增益带宽积。
系统带宽带快乐更高的响应速度（阶跃响应），用两个低增益高带宽的放大器级联，能实现高增益高带宽，代价是成本与功耗
非线性减小，输入输出阻抗变化

二 放大器种类

1. 电压-电压反馈：输出电阻减小、输入电阻增大$(1+\beta H(s))$倍
2. 电流-电压反馈CVF：（前馈通路是V进I出）输入电阻增大，输出电阻减小$(1+R_F{G}_m)$倍

• 区分反馈中分压和输入前分压：$\beta H$使用断路法，还要单独判断一下$\beta$

• 反馈不能改善电路的噪声性能

• 反馈分析面临一系列困难

第九章 运算放大器

运算放大器是理想的高阻输入低阻输出，但实际上采用OTA高阻输入高阻输出
$\frac{1}{\beta }$决定增益，$\frac{1}{\beta A}$决定精度
小信号带宽：单位增益频率$f_u$，反应闭环频率特性$f_{3dB}$
小信号带宽反映了：小信号增益和频率的关系，大信号的响应速度$\tau =\frac{1}{{\omega }_{3dB}}$,来确定所需要的最小带宽
阶跃响应5ns内达到最终值的1%:$e^{-t/\tau }=e^{-{\omega }_{0}t}=1\%$

1. 大信号响应（压摆率）
   不同于线性电路，放大器的最大电流是有限的，起始阶段不能提供足够的电流，只能以压摆率为斜率进行线性增长
   输出摆幅：大摆幅用全差动电路
   抑制非线性（开环）：全差动抑制偶次谐波；闭环系统改善线性性能
   噪声：大尺寸 大偏置电流会增大噪声和失调
   失调：失配导致，差动输入为0时候的差动输出。等效为输入端的失调电压$V_{OS}$
   电源噪声：全差动可以抑制电源噪声

一 单极OTA

1. 单端差动（有源电流镜）
   两个极点，一个零点（零点是第二个极点的二倍）
   $${\omega }_{p1}=\frac{1}{(r_{oN}||r_{oP})C_L},{\omega }_{p2}=\frac{g_{mP}}{C_F}$$
   $$BW=\frac{{\omega }_{p1}}{2\pi },GBW=\frac{g_{m1,2}}{2\pi C_L}$$
2. 全差动
   需要共模反馈电路CMFB才能稳定输出点
   $${\omega }_{p1}=\frac{1}{(r_{oN}||r_{oP})C_L}$$
   $$BW=\frac{{\omega }_{p1}}{2\pi },GBW=\frac{g_{m1,2}}{2\pi C_L}$$
   噪声遵循：
   $$noise=\frac{KT}{C_L}$$
3. 共源共栅OTA
   $${\omega }_{p1},{\omega }_{p2}=\frac{g_{mP}}{C_F}$$
   $$BW=\frac{{\omega }_{p1}}{2\pi },GBW=\frac{g_{m1,2}}{2\pi C_L}$$
   缺点在于摆幅太小，需要低压共源共栅结构解决问题，输出DC点确定$V_{DD}-V_{GS7}$
   增益变高，但BW、GBW不变，即速度无变化

• 单位增益反馈的共源共栅
  输出电压范围很小
  $$V_b-V-TH4<V_{out}<V_b-V_{GS4}-V_{TH2}$$
• $V_p$跟踪：利用二极管接法，$(\frac{W}{L}{)}_{b1}=\frac{1}{4}\frac{W}{L}$，提供$2V_{OD}$

4. 全差动共源共栅OTA
   没有零点问题
5. 折叠共源共栅OTA（轨至轨）
   特点：拥有更大的电容，让非主极点的电容变大，非主极点的频率变低
   输出电阻更小，因此增益低，但输入共模范围更大了

• 实现更大增益更小摆幅：triple cascode
• 双折叠可以完成轨至轨，但需要加驱动级

二 两级运放

第一级提供高增益，第二级提供输出摆幅
同时拥有高增益和高摆幅，但仍存在稳定性问题，存在第二个放大器OP工作点的设置难度
为了实现单端输出，第一级全差动放大器，第二集有源电流镜

三 增益激增技术

思想：增大输出阻抗但不增加共源共栅元件
利用反馈：VVF做反馈，检测输出负反馈到输入端
$$\beta H(s)=(1+A)g_m{R}_s,H(s)=A{g}_m$$

1. 共源共栅的增益激增：给共栅级的栅接一个负反馈，还可以用PMOS改进
   $$G_m=g_m,r_{out}=A_1{g}_{m2}{r}_{o2}{r}_{o1}$$
2. 差动增益激增：同理
3. 频率响应
   $${\omega }_{主}=\frac{1}{g_{m2}{r}_{o2}{r}_{o1}{C}_L},{\omega }_{非主}=\frac{(A+1)g_{m2}}{C_p}$$
   可知：主极点频率变低，次极点频率变高

四 共模反馈

缺点：一山不容二虎，由于全差动的电流源负载电流同时增大减小，因此必定会有进入线性区的情况，因此需要实时监测输出共模调节尾电流源
条件：扫描输出共模、和参考电压比较、反馈给尾电流源、对差模无反应
简单的方法：巨大的电阻
利用源随器，避免大电阻的存在

五 压摆率

RC电路给多少Vin都能以相同的时间到达
运算放大器的大$V_{in}$：斜率一定，输出时间更长
$$S_L=\frac{I_{SS}}{C_L},V_{转折}=V_{out}-\sqrt{2}{V}_{OD}$$

• 正弦波过零点位置的斜率乘增益不能超过放大器的压摆率
• 电源抑制比：
  $$PSRR=\frac{\frac{V_{out}}{V_{in}}}{\frac{v_{out}}{v_{dd}}}$$

第十章 稳定性与频率补偿

$|\beta H(s)|$为1时，相移不及180°，系统稳定
低$\beta$可以减小幅值交点频率，相移减小，系统更加稳定

一 多极点系统与稳定裕度

单极点和双极点系统系统稳定，三极点通常使系统不稳定
通常希望稳定裕度PM在60-70，既满足稳定性要求，又有较好的响应速度
对于CMOS OTA：
$${\omega }_u=\frac{g_{min}}{C_L},{\omega }_2=A{\omega }_u$$

• $A=1,PM=45°$
• $A=2,PM=63°$
• $A=3,PM=72°$
  研究大信号行为时候，一般仍需要减小相位裕度

二 设计问题——频率补偿

1. 单极放大器：减小主极点频率${\omega }_{p1}$,不改变$r_{out}$的原因是防止增益发生变化

• 全差动电路：N节点的作用使让主极点略微下降

2. 两级OTA的频率补偿
   A、E极点相近，使低频极点；X是高频极点
   用密勒补偿：降低E，提高输出极点A
   会引入一个低频的右半面零点${\omega }_z=\frac{g_m}{C_c+C_{GD9}}$
   因此串联一个$R_z$产生极点抵消零点
   串联电阻后,利用下式计算右侧零点的位置
   $$\frac{1}{R_z+\frac{1}{{\omega }_z{C}_c}}=g_{m9};{\omega }_z=\frac{1}{C_c(\frac{1}{g_{m9}}-R_Z)}$$
   $${\omega }_{p1}=\frac{1}{r_{out}{A}_2{C}_c},GBW={\omega }_u=\frac{g_{m1}}{C_c};{\omega }_{p2}=\frac{g_{m2}}{C_L}$$