5.下列功耗措施哪个可以降低峰值功耗()
A memory shut down
B power gating
C 静态模块级clock gating
D 大幅度提高HVT比例
正确答案:D 你的答案:B
官方解析:答案:D
解析:
解析:首先峰值功耗是属于动态功耗中的短路功耗,即NMOS和PMOS同时导通所引起的峰值电流,最终带来的功耗。这个功耗和电源电压,时钟翻转率,以及峰值电流有关。
A选项静态门控时钟,所以A选项不正确。
B选项存储关闭。即不被访问的时候,关闭存储器,因而也是降低静态功耗。
C选项电源门控技术,即模块不工作的时候,关闭电源,模块睡眠,工作时候再启动电源,是降低静态功耗。
D选项即采用高阈值电压的晶体管,阈值电压增加的效果在于降低亚阈值漏电电流,并且短 路功耗公式为:Pshort = τAshortVdd = τAβ(Vdd-Vth)3,只跟 Vth 有关,而 D 选项中大幅 提 高 HVT ( High Voltage Value)带入短路功耗公式中会使短路功耗变小,从而降低动态功耗中的峰值功耗。所以D选项正确。
5.isolation cell 是下面哪种低功耗技术必须的()
A clk gating
B Multi VDD
C power gating
D Multi VT
正确答案:B 你的答案:C
官方解析:答案:B
解析:本题考查,属于基础简单题。电源隔离单元(power isolation cell):主要用于模块的输入、输出。它可以关掉电源时,将信号保持为常数,从而避免单元的输入悬空。属于多电压设计技术Multi VDD。
4.为了把杂乱的、宽度不一的矩形脉冲信号,整形成具有固定脉冲宽度的矩形信号输出,同时兼顾低功耗设计,应该选用()电路。
A 施密特触发器
B 单稳态触发器
C 多谐振荡器
D 移位触发器
正确答案:B 你的答案:A
官方解析:答案:B
解析:本题以实际的波形变换触发器出发,考查低功耗和触发器相关知识。选择单稳态触发器可以实现。
5.低功耗电路实现的方法有()
A 降低工作电流
B 增加负载电容
C 降低电路面积
D 尽可能提高电路性能
正确答案:C 你的答案:A
官方解析:答案:C
解析:本题考查低功耗设计,属于基础简单题。A选项,降低工作电流会导致系统不能稳定工作;B选项,增加负载电容会导致系统功耗增加;选项D,电路性能并不能直接降低电路功耗。降低电路面积可以降低电路功耗。故选C。
5.在不增加 pipeline 的情况下,如何解决一条 critical path 的 setup 时序不满足的问题()
题目有误 这题应该是选错误的
A 使用更先进工艺的工艺库
B 在这条 path 上插入寄存器
C 将部分组合逻辑电路搬移到前级 path 上
D 降低时钟频率
正确答案:B 你的答案:C
官方解析:答案:B
解析:B是流水线技术,通过插入寄存器来优化时序不满足的问题。