半导体材料 MOOC学习记录 第七章 直拉提纯和直拉硅单晶

第七章 直拉提纯和直拉硅单晶

1

单选(1分)

​不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有

‌得分/总分

• A.

  晶界

  1.00/1.00

• B.

  位错

• C.

  Fe杂质

• D.

  Cu杂质

正确答案：A你选对了

2

单选(1分)

‌在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是

​得分/总分

• A.

  磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流

• B.

  温度差会产生热对流

• C.

  表面张力会产生热对流

  1.00/1.00

• D.

  晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流

正确答案：C你选对了

3

单选(1分)

‏以下对于直拉生长描述错误的是

‍得分/总分

• A.

  连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定

• B.

  连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高

  1.00/1.00

• C.

  连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外

• D.

  重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险

正确答案：B你选对了

4

判断(1分)

‎Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限

‎得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

5

判断(1分)

‌掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。

​得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

6

判断(1分)

‍在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。

‌得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

7

判断(1分)

‍可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。

‍得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

8

判断(1分)

‎直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。

​得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了