专有名词——漏电导

漏电导（Leak Conductance）是指神经元膜上的离子通道，它允许离子通过神经元膜，导致漏电流。漏电导与特定的离子通道有关，通常是非特异性的离子通道，允许多种类型的离子通过。

在神经元膜上存在多种类型的离子通道，其中漏电导是一种基本的通道。漏电导的主要功能是在神经元处于静息状态时维持基础电位。当神经元不受外部刺激时，漏电导会使离子从高浓度处流向低浓度处，形成漏电流，这一过程对应于神经元的静息膜电位。

漏电导通常与下列参数和方程相关：

• 漏电导 g_leak​： 漏电导是一个常数，表示单位面积上的漏电通道电导率。它是漏电流与膜电位之间关系的比例常数。

• 漏电平衡电位 E_leak​： 漏电平衡电位是漏电导致的漏电流等于零时的膜电位。在静息状态下，膜电位趋向于漏电平衡电位。

• 漏电流 I_leak​： 漏电流是由漏电导引起的电流，可以使用欧姆定律计算：

  I_leak=g_leak⋅(V−E_leak)

  其中 V 是膜电位。

漏电导的存在对神经元的动态稳定性起到关键作用，确保神经元在没有外部输入时能够维持稳定的静息状态。在神经元模型中，漏电导通常是一个基本的组成部分，但具体的模型可能会考虑其他类型的离子通道以更好地捕捉神经元的生物学行为。