【氮化镓】镁激活退火对p-GaN迁移率和阈值电压的影响

【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】

文献总结：

• 本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的沟道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的影响。研究发现，通过增加仅含氮气（N2）环境的退火时间和在含氧气（O2）环境中提高退火温度，可以有效增加沟道受主浓度。然而，增加受主浓度会导致迁移率下降，因为主要散射机制从库仑散射转变为表面粗糙度散射。此外，高温下工作时，器件的导通电流和最大跨导会下降，这与漂移层的体迁移率下降有关。研究还发现，不同的Mg激活退火条件对阈值电压稳定性有不同的影响。通过减少Mg的化学浓度，同时保持高受主浓度，可以实现低阈值电压迟滞和高通道迁移率。

研究背景：

• 氮化镓（GaN）作为一种宽带隙半导体，被认为是未来功率电子领域的有前途材料。提高GaN器件的阻断电压是一个挑战，需要新型器件架构。垂直MOSFET因其常关操作和在最小化器