virtuoso IC5141 实验三 Cascode OTA放大器设计

快请模拟老祖！！！

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分类专栏： IC514 操作教学文章标签：笔记生活学习硬件工程

于 2024-04-28 12:52:39 首次发布

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一、实验目的

1.熟悉Candence IC514软件，学会ac仿真，dc仿真，查看每点的电流电压。

2.学会各种Cascode放大器的电气特性，根据仿真现象使用理论对其分析。

3.将Cascode放大器与Common_Source放大器进行比较，了解两个电路的优劣，学会更具具体问题进行相应的设计。

4.学习电压偏置和电流偏置的基本设计方法并分析。

二、实验环境

集成电路设计实验室；Red Hat Enterprise linux5、Cadence IC Design Tools 5.10.41

三、实验原理

1. 电压偏置与电流偏置

图1 基本偏置方法的优缺点总结

2. res做负载的 Cascode 放大器电路详解：

图2 res做负载的 Cascode 放大器电路解析

3. pmos二极管连接做负载的Cascode放大器详解：

图3 PMOS二极管连接的 Cascode 放大器电路解析

4. Cascode放大器电路详解：

图4 Cascode负载的 Cascode 放大器电路解析

5. Folded Cascode电路详解：

图5 Folded Cascode电路解析

四、实验步骤

1.新建“cell view”,放置元器件，绘制schematic

图6 新建cell view

图7 在图形界面中添加器件

图8 依次添加器件并连接完成

图9 依次添加器件并连接

2.【实验一】res做负载的Cascode放大器

图10 DC仿真原理图

图11 dc仿真环境配置，寻找最佳直流工作点

图12 DC 仿真结果，设置直流静态工作点为1V

图13 AC仿真原理图

图14 AC仿真环境配置

图图15 AC仿真结果

图16 Browser工具调出幅频与相频曲线

图17 配置DC仿真环境，查看当前各点的电压和电流（结果在第四部分）

3.【实验二】pmos二极管连接做负载的Cascode放大器

图18 DC仿真原理图

图19 dc仿真环境配置，寻找最佳直流工作点

图20 DC 仿真结果

图21 AC仿真原理图

图22 AC仿真环境配置

图23 AC仿真结果

图24 Browser工具调出幅频与相频曲线

图25 配置DC仿真环境，查看当前各点的电压和电流（结果在第四部分）

4.【实验三】Cascode放大器

图26 DC仿真原理图

图27 dc仿真环境配置，寻找最佳直流工作点

图28 DC 仿真结果

图29 AC仿真原理图

图30 AC仿真环境配置

图31 AC仿真结果

图32 Browser工具调出幅频与相频曲线

图33 配置DC仿真环境，查看当前各点的电压和电流（结果在第四部分）

5.【实验四】升级版 Folded Cascode放大器

图34 DC仿真原理图

图35 dc仿真环境配置，寻找最佳直流工作点

图36 DC 仿真结果

图37 AC仿真原理图

图38 AC仿真环境配置

图39 AC仿真结果

图40 Browser工具调出幅频与相频曲线

图41 配置DC仿真环境，查看当前各点的电压和电流（结果在第四部分）

6.【实验五】电流源偏置的共源极

图42 电压偏置，DC仿真原理图

图43 电压偏置DC仿真配置

图44 电压偏置，DC 仿真结果

图45 在此偏置下，AC仿真结果

图46 查看此条件下的Id

图47 修改后的原理图

图48修改后的原理图，DC仿真结果对比

图49查看电流偏置的AC仿真结果

五、仿真结果及分析

1. 【实验一】res做负载的Cascode放大器

（0）schematic

图50 电压偏置的res负载的Cascode

图51 电压偏置的res负载的Cascode，DC参数展示

a.不同Vb偏置下的 DC静态工作点

图52 DC仿真结果

选择DC_point = 1V。当Vin由0逐渐升高时，下管逐渐“截止-饱和”，当Vin>1.2V时，使得上管进入线性区，而后逐渐截止，电流通路被切断，输出变为0。所以要使两管处于饱和，选择DC_point=1V,最为合适。

b. AC频域特性

图53 AC仿真结果（幅频特性曲线）

可见，放大倍数为20.62倍。

图54 AC仿真结果（幅频特性曲线+相频特性曲线）

幅频特性曲线是用来查看放大倍数与频率之间的关系。相频特性曲线是用来查看相位随着频率的衰减，用于研究系统的稳定性。位于拉普拉斯域左侧的极点会使增益开始以-20dB衰减，相位减少90，左侧的零点则会使增益以-20dB增加，相位超前90。

由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为189M。放大倍数为20.62倍。由于电阻受“pvt”工艺参数波动很大，加上大电阻难以做集成，此电路优势不是很大。

2. 【实验二】pmos二极管连接做负载的Cascode放大器（电压偏置/电流偏置）

（0）schematic

图55 电压偏置的pmos二极管负载的Cascode（电压偏置）

图56 各点工作电压与器件电气参数

a. DC静态工作点

图57 DC仿真结果（PMOS二极管连接的Cascode）

选择DC_point=0.6V。当Vin由0逐渐升高时，下管逐渐“截止-饱和”，当Vin>1.2V时，使得上管进入线性区，输出变为0.所以要使两管处于饱和，选择DC_point=0.6V,最为合适。

b. AC频域特性

图58 AC仿真结果（PMOS二极管连接的Cascode）

可见，放大倍数为0.8倍，受限于此电路的低输出阻抗，导致Gm = gm*Rout<1。

图59 AC仿真结果（幅频特性曲线+相频特性曲线）

由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为7M。放大倍数为0.8倍。当cascode和nmos都处于饱和区时，增益最大。增益A=gmn/gmp,所以pmos管尺寸越小，增益越大。尺寸小，寄生电容也小，此结构自身输出阻抗小，所以比较高频。但是输出阻抗小会大大影响增益,需要增大nmos的跨导来弥补。

3. 【实验三】Cascode放大器

（0）schematic

图60 Cascode放大器（电压偏置）

图61 Cascode放大器（电流偏置）

a. DC静态工作点

图62 DC仿真结果（Cascode做负载的放大器）

选择DC_point = 0.84V。

b. AC频域特性

图63 AC仿真结果（Cascode做负载的放大器）

可见，放大倍数为37.02倍，得益于此电路的高输出阻抗，导致Gm = gmn*Rout。Rout=gmn*ron*ron||gmp*rop*rop。所以增益成倍增加。

图64 AC仿真结果（幅频特性曲线+相频特性曲线）

由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为4.25M。放大倍数为37.02倍。当cascode和nmos都处于饱和区时，增益最大。增益Gm = gmn*Rout。Rout=gmn*ron*ron||gmp*rop*rop。此种结构为套筒式的共源共栅，当电源轨足够大时，可以在增加一级套筒使得输出阻抗成倍增加，大大提升放大倍数，美中不足，此电路输出摆幅极小，可通过折叠式的Cascode得以改善，或者两级运放在输出级级联一级“NMOS+PMOS”。

4. 【实验四】Folded Cascode放大器

（0）schematic

图65 Cascode放大器（电压偏置）

图66 电压偏置工作状态展示

a. DC静态工作点

图67 DC仿真结果（Folded Cascode放大器）

选择DC_point = 3.75V。

b. AC频域特性

图68 AC仿真结果（Folded Cascode放大器）

可见，放大倍数为18.79倍，得益于此电路的高输出阻抗，Gm = gmn*Rout。所以增益成倍增加。如果还要更大的阻抗，可以增加宽长比。

图69 AC仿真结果（幅频特性曲线+相频特性曲线）

由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为40M。放大倍数为18.79倍。当cascode和nmos都处于饱和区时，增益最大。

5. 【实验五】Folded Cascode放大器（电流源偏置的共源极）

（0）schematic

图70 Folded Cascode放大器

图71 电压偏置与电流偏置的对比

a. DC静态工作点

图72 DC仿真结果（Folded Cascode放大器）

选择DC_point = 1.15V。

b. AC频域特性

图73 AC仿真结果（Folded Cascode放大器）

可见，放大倍数为24.8倍，得益于此电路的高输出阻抗，导致Gm = gmn*Rout。Rout=ron||rop。所以增益成倍增加。

图74 AC仿真结果（幅频特性曲线+相频特性曲线）

由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为430M。放大倍数为24.8倍。Gm = gmn*Rout。Rout=ron||rop。此电路使用电流偏置使得电路稳定性相较于电压特性更为优良。

六、心得体会

本次实验是第三次实验课，王老师先是向我们讲述了电路的原理，接着演示实操步骤，并在重要节点做出引申。我在本次实验中遇到了多种问题，主要是关于如何给电路设计偏置电路，下面从两个问题展开我的心得体会：

【问题一】电路:“pmos二极管连接做负载的Cascode放大器”

当偏置电压Vb设置为4-5V时，输出曲线相差不大，所以偏置电压选择4V，DC_Point选择在1.4V处。

（对偏置工作区进行分析）

直流工作点在0.6，对Vb扫频

直流工作点在0.8，对Vb扫频

直流工作点在1.4

在和王老师深入交流后，我得到了一个结论，对于NMOS设计电压偏置电路时，需要根据理论分析，选取尽可能小的偏置值，如果偏置值较大，很有可能使得上方的MOS进入线性区，所以设计时，需要再输出摆幅和偏置电流（增益）之间作取舍，一般保留输出摆幅，电路增益可以通过两级运放或者其他结构得以改善。对于PMOS设计电压偏置电路时，正好相反，需要尽可能选取大的偏置值，偏置值较小会使下方MOS进入线性区。这个结论非常之适用，设计偏置电路时根本不需要扫描，这下一下便解决了我的困惑，感谢王老师的耐心解答。