笔记 -- 软开关技术2

2021-9-8 08:21:00

1、相关名词
　　1）励磁电感：变压器的初级侧电感（其电流并不会传导至次级，用以对铁芯产生激磁作用，从而使得铁芯在绕组之后相当于磁铁进行导磁）
　　2）漏感
　　　　a)定义：初级线圈磁力线未通过次级线圈的部分，即磁通未通过磁芯耦合至对级，而是通过空气闭合回原级（耦合过程中未穿越对级的磁通）
　　　　b)原因：导线电导率为空气电导率的109倍，铁氧磁芯磁导率约为空气磁导率的104倍，从而磁通通过铁氧体磁芯形成磁路时部分会在空气中形成磁环路（漏磁），且随工频提升磁芯元件磁导率降低（漏磁更明显）
　　　　c)影响：电压在变压器初级线圈产生电流，沿铁芯磁径产生主磁通$\Phi (t)$及在空气中闭合的漏磁通$\sigma \Phi (t)$，两者分别产生感应电动势$e(t)和\sigma e(t)$，根据KVL得：$u_s=e(t)+\sigma e(t)+u_R$。因此，当开关器件关断时，漏感在开关管漏源极产生的反向感应电动势（尖峰脉冲）可能击穿开关器件；此外，漏感可能与电路中寄生电容形成振荡回路向外辐射电磁能量，形成电磁干扰（Electro-Magnetic Interference，EMI）
　　　　d)气隙与漏感之间关系（$\Phi =\Phi 1+\Phi 2$） 　　　　　　　（1）增加$R1$，$\Phi 1>\Phi 2$，耦合至$\Phi 2$磁通增加，漏感减小
　　　　　　　（2）增加$R2$，$\Phi 1=\Phi 2$，耦合至$\Phi 2$磁通不变，漏感不变
　　　　　　　（3）增加$R3$，$\Phi 1<\Phi 2$，耦合至$\Phi 2$磁通减小，漏感增加
　　　　e)完成变压器漏感相关于：
　　　　（1）绕组系数正比于漏感（双边绕制取3，交错绕制取0.85）
　　　　（2）绕组宽度反比于漏感
　　　　（3）绕组匝数正比于漏感
　　　　（4）绕组绝缘层正比于漏感
　　　　f)降低漏感影响
　　　　（1）反馈至输入电容
　　　　（2）稳压管钳位电路
　　　　（3）RCD钳位电路（小功率）
　　　　g)漏感测量：将次级短路，然后使用LCR表测量漏感
　　3）基波：在周期振荡波形中与最长振荡周期相等得正弦波分量（工频正弦波）
　　4）谐波：频率为基波的整数倍
（1）产生：发电机三相绕组非完全对称；变压器铁芯磁化曲线处于非线性饱和状态（奇次谐波）；整流晶闸管
（2）影响：供电线路损耗；电气设备过载/热，加速绝缘介质老化；电气设备产生误差
　　5）磁化曲线&磁滞回曲线
　　（1）磁化曲线
　　　a）起始磁化曲线
铁磁内部磁场强度$H$与磁感应强度$B$满足：$B=\mu H$，铁磁元件磁导率$\mu$随$H$变化而非线性变化$\mu =f(H)$
　　　b）磁滞回线
当$H$增加至一定值时，$B$增加减缓，材料已接近饱和，$H_m和B_m$表示饱和磁场强度和饱和磁感应强度，当$H$从$H_m$减小时，$B$并未沿原路减小，而是沿$ab$下降，当$H$下降为0时，铁磁中仍保留一定的剩磁$B_r$，使磁化场反向增加至$H_c$，材料中$B$下降为0，$H_c$为矫顽磁力，继续增加反向磁场至$H_m$，然后使磁化场从$H_m$退为0，再正向增加磁化场至饱和$H_m$，曲线回归$a$点，$abcdefa$为磁滞回线
磁化曲线
磁滞回曲线

2、LLC谐振变换器
　　1）构成：方波发生器、谐振网络、整流网络
　　2）背景
　　　　（a）SRC（Serious Resonant Circuit）：转换器理论上无法在空载时进行调节；全负载调节需在宽频条件下；轻载时小谐振电流导致失去ZVS；轻载时输出电压调节控制器设计较难
　　　　（b）PRC（Parallel Resonant Circuit）：环流降低轻载效率
　　3）优势
　　　　（a）开关频率较低时，在over wide line和负载变化中实现输出调节
　　　　（b）全负载工作于ZVS，开关损耗低
　　　　（c）多谐振网络便于集成与单磁芯，漏感可参与谐振
　　　　（d）次级整流器有低压应力和ZCS，无次级滤波电感使得低压应力限制于2倍内，且ZCS解决了次级二极管反向恢复问题
　　4）拓扑
　　$C_r$自动调整通量平衡并且和谐振电感$L_r产生高频谐振$，$C_r$和$(L_r+L_m)$产生低频谐振
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　$f_{r1}=\frac{1}{2\pi \sqrt{L_r{C}_r}}$
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　$f_{r2}=\frac{1}{2\pi \sqrt{(L_m+L_r)C_r}}$
　　　　　　　　　　　　　　　　　品质因数：$Q_s=\frac{\sqrt{\frac{L_r}{C_r}}}{n^2{R}_o}=\frac{Z_{r1}}{n^2{R}_o}$
　　　　　其中$n=\frac{N_p}{N_s}，N_p主线圈匝数，N_s次线圈匝数$ $Z_{r1}为f_{r1}的谐振阻抗，R_o=\frac{U_o}{I_o}$
　　$\bullet Q_s$影响增益特性和工作范围，较大时增益特性变窄，工作范围变小，过高时阻抗较低转换效率低
　　5）工作状态：峰值增益随负载变化而变化
　　（1）轻载条件下，峰值向$f_{r2}$移动，电路特性类似于PRC
　　（2）负载增加时，峰值向$f_{r1}$移动，且在$f_{r1}$处的增益不受负载影响，电路特性类似于SRC

　　　　　　$1\to SRC$：磁性电感$L_m$不参与谐振，始终保证ZVS状态
　　　　　　$2\to MRC（Multi-ResonantCircuit）$：负载决定电路工作于ZCS或ZVS状态，存储在磁性电感中的能量使得MOSFET工作于反向ZVS状态
　　　　　　$3\to 过载区$：工作于ZCS状态
　　$\bullet$为控制输出及工作于ZVS状态，通常选择$1和2$区域，$L_m$决定开关频率范围和MOSFET开关电流，$L_m$越小开关频带越窄，同时MOSFET开关电流越高，开关管损耗越大

$\bullet$低压 → \to