一切都要从半导体物理说起。对于PN结的分析:
1. 平衡状态
LINK:
10 PN结 The PN junction _ Physics Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
11 扩散、漂移和势垒 Diffusion, drift & barrier voltage_Physics Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
2. 外加偏置电压
实质:
正向偏压时,电流由扩散运动产生。外界偏压越大,空间电荷区越小,势垒高度越低,扩散运动越剧烈,直到外界电压将空间电荷区全部缩小,此时电流几乎不再增大。
反向偏压时,电流由漂移运动产生。而漂移电流取决于少子的浓度,少子浓度只受温度、光照等影响,不受外界电压影响,因此加大反向偏压并不会增大反向电流。同时由于少子数量很少,因此反向电流很小。
3. 将上述情况总结,得到伏安特性曲线
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/845fbb773e9ac91c7ffdecb22fbc3405.png)
LINK: 15 PN二极管特性 PN diode characteristics_ Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/23445955053709e6d8983acee9f62d58.png)
理解温度上升,曲线左移,二极管开启电压下降的原因:漂移运动由少子引起,漂移运动可以使空间电荷区减小。少子受温度影响很大,温度上升,漂移运动加强,空间电荷区减小,开启电压下降。
4. 如果反向电流过大呢?伏安特性曲线反向区域
会反向击穿——雪崩击穿。长时间工作在击穿区域,二极管会因为价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对过程中放出的热量破坏二极管,二极管最后因热电击穿而不可恢复。
5. 与齐纳击穿
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结,空间电荷区的电荷密度很大,宽度较窄,只要加不大的反向电压,就能建立起很强的电场,发生齐纳击穿。
当反向电压增大到一定值时,势垒区内就能建立起很强的电场,它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来,使势垒区产生大量的电子一空穴对,形成较大的反向电流,产生击穿。把这种在强电场作用下,使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿,一般两种击穿同时存在,但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主,而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。
齐纳击穿是电场对粒子的直接作用造成的,没有雪崩二极管的碰撞产生的热量大,故其在击穿区工作可恢复性较好,因此作为稳压管使用。注意:如果反向电压足够大仍然会产生热击穿造成永久损害。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/9759907b693a4f39db305e0b86bfce84.png)
深入理解模电-2 三极管_电子异术家的博客-CSDN博客从二极管到三极管https://blog.csdn.net/yyyyang666/article/details/129591925
适合电路工程师复习的简单半导体物理解释:
Semiconductors | Class 12 Physics (India) | Science | Khan Academy