一切都要从半导体物理说起。对于PN结的分析：
1. 平衡状态
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10 PN结 The PN junction _ Physics Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
11 扩散、漂移和势垒 Diffusion, drift & barrier voltage_Physics Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
2. 外加偏置电压
实质：
正向偏压时，电流由扩散运动产生。外界偏压越大，空间电荷区越小，势垒高度越低，扩散运动越剧烈，直到外界电压将空间电荷区全部缩小，此时电流几乎不再增大。
反向偏压时，电流由漂移运动产生。而漂移电流取决于少子的浓度，少子浓度只受温度、光照等影响，不受外界电压影响，因此加大反向偏压并不会增大反向电流。同时由于少子数量很少，因此反向电流很小。
3. 将上述情况总结，得到伏安特性曲线
LINK： 15 PN二极管特性 PN diode characteristics_ Khan Academy_哔哩哔哩_bilibili
理解温度上升，曲线左移，二极管开启电压下降的原因：漂移运动由少子引起，漂移运动可以使空间电荷区减小。少子受温度影响很大，温度上升，漂移运动加强，空间电荷区减小，开启电压下降。
4. 如果反向电流过大呢？伏安特性曲线反向区域
会反向击穿——雪崩击穿。长时间工作在击穿区域，二极管会因为价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对过程中放出的热量破坏二极管，二极管最后因热电击穿而不可恢复。
5. 与齐纳击穿
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子一空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。
齐纳击穿是电场对粒子的直接作用造成的，没有雪崩二极管的碰撞产生的热量大，故其在击穿区工作可恢复性较好，因此作为稳压管使用。注意：如果反向电压足够大仍然会产生热击穿造成永久损害。
深入理解模电-2 三极管_电子异术家的博客-CSDN博客从二极管到三极管
https://blog.csdn.net/yyyyang666/article/details/129591925
适合电路工程师复习的简单半导体物理解释：
Semiconductors | Class 12 Physics (India) | Science | Khan Academy
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