系列文章目录
多层高速PCB设计学习笔记（三） GND的种类及PCB中GND布线实战
多层高速PCB设计学习笔记（四）四层板实战（上）之常见模块要求
多层高速PCB设计学习笔记（五）四层板实战（下）之阻抗控制计算（SI9000）
目录
前言
之前学习了多层板的基本层叠结构以及一些布局布线的规则，继续学习PCB的设计原则
设计原则
5-5原则
印制板层数选择规则，即时钟频率到5MHz或脉冲上升时间小于5ns，则PCB板须采用多层板。，有的时候出于成本等因素的考虑，采用双层板结构时，这种情况下，最好将印制板的一面做为一个完整的地平面层。
20H原则
电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。
将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。
具体内缩多少：确保电源平面的边缘要比0V平面边缘至少缩入相当于两个平面间层距的20倍。 降低来自0V/电源平面结构的侧边射击发射技术（抑制边缘辐射效应）
但是也只是在一些特殊的东西下起作用：
1、在电源总线中电流波动的上升/下降时间要小于1ns。
2、电源平面要处在PCB的内部层面上，并且与它相邻的上下两个层面都为0v平面。这两个0v平面向外延伸的距离至少要相当于它们各自与电源平面间层距的20倍。
3、在所关心的任何频率上，电源总线结构不会产生谐振。
4、PCB的总导数至少为8层或更多。
经验：一般按照经验值GND层相对板框内给20mil，PWR层相对板框内层60mil。也即是说，电源相对地内缩40mil.同时对于移动式设备来说在内缩的距离里面隔150mil左右放置一圈GND过孔
3W/4W/10W原则
3W/4W原则主要目的是抑制电磁辐射，放置距离太近发生串扰，故走线间尽量遵循3W原则，即线与线之间保持3倍线宽的距离，差分线GAP间距满足4W。如果线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的线间电场不互相干扰，称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。一般在设计过程中因走线过密无法所有的信号线都满足3W的话，我们可以只将敏感信号采用3W处理，比如时钟信号、复位信号。
走线会向外辐射圆柱状的电磁波，会出现能量的耦合，两个之间就会产生互感，所以高频变化很快，那个磁生电现象会很严重。
元器件特性分析
元器件在高频电路下，特性发生了变化，阻抗也要重新计算。
上图就是电容的性质变化。
例如如果要利用电容的容性时，就要考虑自谐振频率，不要频率太高最后是感抗特性。
EMC问题从何产生
EMC：Electromagnetic Magnetic Compatibility，即电磁兼容性。要求该设备或网络系统能够在比较恶劣的电磁环境中正常工作，同时有不能辐射过量的电磁波干扰周围其它设备及网络的正常工作。
EMI：Electromagnetic Interference，指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰。
EMS：Electro Magnetic Susceptibility，电磁抗干扰，在一定环境中机器设备和系统具有对所在环境中存在的电磁干扰有一定程度的抗扰度的能力，即电磁敏感性。
信号回流
低频信号回流选择阻抗最低路径，高频信号回流选择感抗最低的路径。电子流的特性之一就是电子从不在任何地方停留，无论电流流到哪里，必然要回来，因此电流总是在环路中流动，从源到负载然后从负载到源。电路中任意的信号都以一个闭合回路的形式存在。
但是发射出去时，布线是做不到直线连过去，这就不可避免了。（我现在认为，如果连接两引脚，那么应该以这两个的直线连线为基准，布线尽量不要偏离这条基准线太多，之间尽量不要有紧密的过孔割裂地平面）（这个理解应该是低频信号下的）
当信号频率小于等于1kHz时，大部分电流直接从铜箔上返回，即电阻最小路径。当信号大于100kHz时，信号直接从铜箔处返回的电流几乎为零，而是都从印制线的镜像两侧分布返回，走阻抗最小的路径。
图中绿色的就是返回路径
环路电感：与环路面积成正比
可以把每个回路看成是一个感应线圈，当某个回路中有电流流过时，另外一个回路就会产生感应电动势，从而产生干扰。因此，减少干扰的最有效方法就是尽量减少每个回路的有效面积。
天线
电磁波辐射有两个必要的条件，一是交变电流，二是天线。其实在实际的设备存在着各种各样的寄生天线，想办法消除寄生天线，也是电磁兼容设计的目的之一。
天线的回路是通过天线两背间的分布电容而形成的。即天线通过空气有一个电流回路。
常见的两种天线：
偶极子天线：
是有一对相同极子的天线。
环形天线：
信号发射出现再通过GND返回，且会寻找最小阻抗返回。（尽量减小环路面积），产生的主要原因就是过孔打的太密集，把地平面给割裂了，回来的时候就要绕圈，就会产生各种辐射。
坏例子：
好例子：
滤波器件
AD电路中，滤波为什么采用磁珠滤波，而不是电感？
磁珠滤波是吸收噪声，转化成热，电感滤波时反射噪声，并没有消除噪声。
磁珠滤波是吸收噪声磁珠的等效形式为电抗(电感) + 电阻，在低频段，磁珠表现为感性，反射噪声，在高频段表现为阻性，吸收噪声，并转化成热。所以选择磁珠时需要考虑电路上的信号和噪声所处的频带，尽量让工作频率高于磁珠的转化频率，处在阻性范围。 对于磁珠的选择需要考虑的方面：(1)考虑信号工作的频带范围，好确定磁珠的选型，尽量让其大于磁珠的转换频率；(2)直流电阻，选择低Rdc，降低流过磁珠本身的损耗；(3)额定电流，选择磁珠的额定电流尽量接近或者大于工作电流；(4)自谐振频率，应选择自谐振频率较高的磁珠，因为工作频率大于自谐振频率时，会表现为电容特性，会迅速降低阻抗。
电感滤波是反射噪声，首先说一下电感的作用（1）通直流隔交流;（2）滤波（3）阻碍电流的变化，维持电流的稳定。因为电感本身也有一定的阻抗，所以在大电流流过时需要考虑电感上的压降，还要注意组成的LC高通或者低通滤波器，不要使其谐振频率工作在器件本身的工作频带范围内，否则会引起谐振，纹波变大。选择电感时，其谐振频率要高于工作频率，当低于谐振频率时，电感值保持稳定，高于谐振频率时，不过增加到一定程度后不再增加，频率在增加电感表现为电容性，会随频率增高而迅速减小。
电容滤波是反射噪声，电容的等效模型为电感+电容+电阻的串联，在谐振频率之前，电容表现为电容特性，随着频率增加，阻抗变小，但是随着频率超过工作频率，会使得电容转化为电感特性，随着频率的增加阻抗变大。电容的作用（1）通交流隔直流;（2）滤波，高频噪声的泄放通道；（3）续流池，维持电压的稳定。电容有ESR和ESL特性，ESR表现为其内部有一定的电阻特性。ESL与电容的封装尺寸有关，F = （ESL * C）^（-1/2）。对于ESL特性，所以在选择电容滤波的时候，尽量不要选择同一封装不同容值，或者同一容值不同封装，这对于滤波会有一定的作用，但是不明显，滤波效果较好的是不同容值不同封装类型，可以基本上滤波各个频段的噪声。
对于电容的选择一般是 陶瓷电容 高频，钽电容一般是中频，电解电容一般是低频。容值越大的钽电容其ESR值越小。
电感和磁珠介绍
电感和磁珠的结构主要由磁性材料、金属线圈和外壳组成，电感其实是金属线圈缠绕在磁芯上，而磁珠是在内部折叠后外围包裹着铁氧体磁性材料。磁珠一般FB打头
电感器(Inductor)又称扼流器、电抗器、动态电抗器，是储能器件，能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。
磁珠则是能量转换（消耗）器件，将流过他的高频信号以热能的形式消耗掉。
磁珠的频率特性
在低频时R值远小于X值，此时阻抗主要由X构成，以此整体表现为感性，如下图10MHz时；
在高频，如200MHz时，磁珠的阻抗主要由电阻R成分构成，磁珠此时表现为阻性，等效电路如下图：
电感频率特性
低频时，电感值会随着频率的降低而增加，因此在低频时电感器能存储更多的磁能；
高频时，电感器的阻抗不仅包含感抗部分，还受电阻和电容等寄生元件的影响，因此，高频时电感的阻抗不再是单一的电感值，而是与频率相关的复杂阻抗，如下图所示：
电感选型关键参数
电感值：电感值通常以亨利（H）、毫亨利（mH）或微亨利（μH）为单位。电感值大小决定了产生感应电动势的强弱，代表了电感器存储磁场能量的能力，对电路中的电流和电压起着重要的影响。
额定电流与饱和电流：额定电流是电感设计上最大的可用电流，而饱和电流是当电感电流增加到一定程度时，电感的感量会下降，电感抑制电流变化能力会下降，导致系统工作异常或电感烧毁的电流值。在选择电感时，需要参考这两个参数中较小的一个。
自谐频率：是电感与其等效电容构成的谐振电路的频率。为确保电感符合设计要求，选择电感时自谐频率应高于电路的工作频率。
Q值：也叫品质因数，表示电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。Q值越高，电感的损耗越小，效率越高。
DCR（直流电阻）：是电感在直流电流下的电阻值，其大小与发热和功率损耗相关。
磁珠选型关键参数
阻抗：磁珠阻抗是在特定条件下（如100MHz时）测得的。常见的表示为如“1000Ω@100MHz”，即在100MHz的频率下，磁珠的阻抗为1000Ω。阻抗越大，抑制噪声的效果越好。噪声通过磁珠时会以热量形式散出，最终达到抑制噪声的效果。
直流电阻（DCR）：指直流电流通过磁珠时，磁珠的电阻值。DCR越小分压值越小，即对有用信号的衰减也越小。
额定电流：指磁珠正常工作时允许通过的最大电流。
电感用处
π型滤波电路
BOOST电源电路:
BUCK电源电路:
磁珠用处
磁珠用来吸收高频干扰，一般用在电源之间或者信号线上。
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