测试两款集成功率MOS芯片： 4606、8205A

两款功率MOS芯片

 

01 MOS芯片

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• 8205A : https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/1152898/KIA/8205A.html
• 4606 : https://html.alldatasheet.com/html-pdf/1223173/VBSEMI/4606/248/1/4606.html

一、前言

  这两个集成芯片实际上是两款功率 MOS 管。  为了今后使用方便， 下面对它们进行初步测试。 SOP6 封装的是 4606， 其中集成了一个 N沟道 和一个 P 沟道的MOSFET。  TSSOP8 封装的是 8205A， 其中封装了两个N 沟道的 MOSFET。

二、制作转接板

  设计一个转接电路板，  将标贴封装芯片引脚引出， 这样便于在面包板上进行测试。  利用热转印方法，  一分钟之后得到转接板。  切割转接板，  形成几个独立的芯片转接小板。  下面焊接芯片和插针， 进行后面的测试。

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三、测试波形

  把待测 MOS 芯片焊接在转接板上，  利用100mil 排针， 可以在面包板上进行测试。  首先测试 4606。  将N沟道和P沟道MOS 组成推挽电路， 在两个栅极输入一个1kHz， 幅度为 5V 的方波，  测量漏极信号。  可以看到输出反向方波信号。 蓝色是输入信号， 青色是输出信号 。   这是输入信号上升过渡过程。 输出信号与输入信号之间几乎没有延迟。  下降沿对应的情况也类似。

▲ 图1.3.1 测试电路

  这是前面测试电路的原理图，  两个MOS管构成了推挽功率输出。

  下面测试 8205A。 其中集成了两个 N 沟道的MOS管。  在面包板上搭建测试电路。 输入仍然是1kHz 的方波信号。  这是 MOS 管的栅极和漏极波形。  它们之间呈现反向关系。  施加三角波信号，  可以看到 MOS 管导通电压在 0.7V 左右。 这几乎和普通的 三极管的驱动电压相同了。

 

※ 总  结 ※

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  本文对于两款MOS 芯片进行了测试，  这两款MOS管的驱动电压都非常低，  适合用于低压功率电路中。

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■ 相关文献链接:

• 8205A
• 4606

● 相关图表链接:

• 图1.3.1 测试电路