全景解析SSD IO QoS性能优化

一、NAND基本原理

目前NAND已经从SLC发展到PLC，但是PLC离大规模上市还有一段距离，我们暂时先略过。市面上主要流通的就是4种NAND类型：SLC、MLC、TLC、QLC。随着每个寿命从高到低依次是SLC>MLC>TLC>QLC.

随着单个cell含有的bit数越多，NAND的可靠性也会有所降低。同时写延迟也在不断地增加。SLC写延迟在0.5ms级别，到QLC写延迟达到10-20ms，40倍的差距。这也导致QLC SSD性能出现很大的下降。

介绍完NAND cell的状态，再来show一下NAND的基本操作(以最简单的SLC为例)。

读(Read)：

如上图所示，这是对单一cell进行read的基本操作。在控制栅极（CG, 也是WL）加上0V的电压，源极（Source)端加上0V以及漏极（Drain, 也是BL)加上1V，然后通过源极与漏极之间电流Icell的大小来判断cell的状态（0或者1）。

A点的状态代表存在Icell，所以Cell处于“开态”（ON），称为Erased；

B点的状态代表不存在Icell或者Icell很小且可忽略，所以Cell处于“关态”（OFF），称为Programmed。

如果对NAND cell阵列操作，原理图如下：

如果Cell C处于Erased, 对应BL的Sense电路会感应到有电流；

在需要read的target Page的WL上面加一个R1（一个较小的电压），其他WL的加VpassR, BL方向加1V,

如果Cell C处于Programmed, 对应BL的Sense电路不会感应到有电流。

写(Program):

在控制栅CG加上一个高压20V，基底接0V, 由于电场的存在以及隧穿效应，电子会被俘获在浮栅FG，也就完成了单个Cell的Program操作。Program之后cell的状态为“0”。

擦除(Erase):

在控制栅CG接0V，基底加上一个高压20V, 由于电场的存在以及隧穿效应，电子逃离浮栅FG，也就完成了单个Cell的Erase操作。Erase之后cell的状态为“1”。

需要注意的是，Read、Program都是以Page为最小基本操作单位，而Erase以Block为最小基本操作单位。

二、SSD基本原理

目前主流SSD主控架构如下图：

主要由三大部分组成：与Host对接的界面(Host interface), 闪存转换层FTL以及闪存对接界面(Flash interface)。

• Host interface采用的协议（protocol）包括SATA，PCIe/NVMe SSD协议。

• 闪存转换层FTL是主控的核心部分，主要实现磨损平衡（Wear-leveling）, 垃圾数据回收（Garbage Collection), 坏块管理（Bad Block Management）和数据纠错处理（ECC, Error Correction Code）。

Flash interface包括了SSD主控的flash controller，用来控制主控与NAND闪存之间的数据传输。

SSD IO数据写入的过程：

写入过程中，host写入数据给到缓存，再由缓存下刷到NAND存储，需要注意的是写入数据后的垃圾回收GC。

SSD IO数据读取的过程：

读取过程中，host发送数据读取请求，数据从NAND读取，这个过程可能会有因为NAND读取异常发送Read Retry。

三、SSD QoS性能优化

SSD性能评估中，QoS(Quality of Service, 服务质量)是重中之重，代表SSD性能的稳定性的指标。QoS评价参数中，有平均延迟、99% QoS，99.9% QoS，99.99% QoS，99.999% QoS等，9越多，说明对延迟的稳定性要求就越高。影响QoS的主要因素总结如下：

1.Host端的影响因素

Host端CPU/缓存的资源对IO质量QoS也有比较大的影响，这块通常不是瓶颈，在部分特殊场景，比如CPU soft lockup，内存资源溢出OOM等，系统的IO响应也会出现很大的波动。

同时内核block层的IO调度器的设定，决定IO的响应策略差异：

• NOOP算法，是内核IO调度算法中最简单的一种，也被称作电梯算法，这些 FIFO先进先出策略，这个过程会适当对连续的IO进行简单的合并。

• CFQ算法，全称Completely Fair Queuing，最大的特点就是尽可能把每个IO进程响应做到公平。从内核2.6.18也成为了linux默认的算法。

• Deadline算法，主要的特别是确保每个IO进程在一段时间内被处理完，防止单个IO被等待太久没有影响。