器件（二）：一文读懂SiC MOSFET

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已于 2024-10-27 13:25:03 修改

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分类专栏：器件文章标签：单片机嵌入式硬件学习

于 2024-10-22 12:11:05 首次发布

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一直想琢磨开关管的器件选型，但一直不知道从哪里下手。最近有幸获得了一些启发，就决定先从材料方面入手，好好聊聊不同材料开关管的器件选型。

概念

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET是一种基于碳化硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET由于其使用材料的物理特性，具有许多优越的性能特点，使其在高功率和高温应用中非常受欢迎。

和前文的CoolMOS不同（参见我上一篇文章）SiC MOSFET的主要优势在于其材料本身，因此在讲它的结构之前，我们需要先认识一下碳化硅

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种由硅和碳组成的化合物，具有许多独特的物理和化学性质，使其在多个高科技领域中得到广泛应用。它宽禁带、高热导率、高击穿电场、低热膨胀系数的特征使其广泛应用于功率半导体领域，其主要特征如下所示：

高硬度：碳化硅的莫氏硬度为9.5，仅次于金刚石，这使得它非常耐磨。
宽禁带半导体：宽禁带指的是被束缚的电子为成为自由电子或者空穴，从价带跃迁到导带所需的最小能量。半导体中，当被束缚的电子变成自由电子，半导体就失去了其单向导电性。SiC的禁带宽度约为3.26 eV，远高于硅（Si）的1.12 eV，这意味着它可以承受更高的温度而不失去其半导体性能。
高热导率：SiC的热导率大约为490W/(mk)，硅是149W/(mk)，SiC是硅的三倍，有助于高效散热。
高击穿电场：由于强共价键、高离子化能、本征缺陷密度低的原因，SiC可以承受比硅更高的电场强度，为2.8×10^6 V/cm（约是硅的10倍），因此可以制造出更薄、更小且能耐受更高电压的器件。且虽然SiC的电子迁移率略低于硅，但因其耐压特性，在相同的电压下相比于硅而言需要的漂移区更薄，这使其在相同的功率密度下体积更小，导通电阻更小。
化学稳定性：碳化硅在高温下对大多数酸和碱都表现出良好的化学稳定性，这也使SiC MOSFET的导通电阻不容易随温度的变化而变化。
低热膨胀系数：与金属相比，SiC的热膨胀系数较低，这使得它在温度变化时不易变形。

本部分主要参考硕士论文《基于SiC MOSFET的全桥直流变换器扩容功率均分方法研究》

图上的过程表示为经过第一次脉冲后，二极管已经在续流情况下的分析。实际上，通常情况下我们需要第一次脉冲来让二极管能进入续流状态。

t0时给g极加一个电信号，给Cgs充电。t1时开关管饱和导通，电感电流线性上升，电流从二极管转移至MOS管，二极管两端压差Vd＜0.7V时二极管关断，Cdh充电，也就是二极管的反向恢复效应，使电流在t2时有最大值。
t2时开关管导通，过程中因为米勒效应而存在开断延时，Cgs上有米勒电压，一直到t3开关管才完全导通，这个过程中流经Lload的电流完全从续流二极管转移到开关管上，Cdh为续流二极管自带电容。
t5给开关管关断信号，电压开始下降，到t6开始关断。t6开始，Cdh放电，id略微下降，t7后进入完全关断状态，这个过程中流经Lload的电流逐渐从开关管转移到续流二极管上，此时因为Cdh上电压的叠加，有个小的电压尖峰。

我们可以通过双脉冲测试得到两者的二极管的反向恢复时间，开关管上升时间，下降时间等

这一部分参考西安理工大学硕士论文《半包裹屏蔽层槽栅SiC MOSFET的机理与特性研究》

开关管结构和电流导通路径如上图所示

这个结构因为是对称的，本身很好分析。当G极上加正电压时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子都被往中间赶，加宽导电沟道，使耗尽层变窄；G极上加负电压时，耗尽层变宽，之间形成电场，而SiC的宽禁带和高击穿电场使SiC MOSFET相较于同样结构的Si MOSFET能承受更高的击穿电压。

但是，我想借这个结构分析一个问题：为什么好像目前开关管的材料结构都是N+、N-、P-、P+这种结构组合呢？

这就要从接触电阻和击穿电压这两个方面说起了。

从接触电阻的角度上来说，N+和P+区域为重掺杂区，含有高浓度的杂质原子，用于形成欧姆接触，使电流更容易导通，降低金属-半导体界面的接触电阻，有助于减少器件的总电阻，提高效率，并确保良好的电流传导。

从击穿电压的角度上来说，N-和P-区域为轻掺杂区，含有较低浓度的杂质原子，用作漂移区，提供一个较长的路径来承受高电压。这一段中，载流子较少，和材料分子的碰撞难度较大，因此能提高开关管两端的击穿电压。

开关管结构和电流导通路径如上图所示

槽栅结构指的是通过在SiC衬底上刻蚀出沟槽，并在沟槽内形成栅极的一种开关管结构。图中，ILD代表绝缘层间介质，在栅极和源极之间，用于提供栅、源间的隔离。

可以看到，它拥有更快的开关速度，更高的电流密度和更分散的热量。但同时，它也存在着蚀刻工艺更加复杂、栅极边缘电场集中导致击穿电压更小、成本更高等问题。

而针对其电场集中的问题，业界通常选择在器件设计时引入屏蔽层结构以保障槽栅底部栅氧化层峰值电场小于 3MV/cm 这一安全阈值。目前常见的屏蔽层按照结构不同可分为直接屏蔽结构、间接屏蔽结构、非对称屏蔽结构以及三维屏蔽结构。

直接屏蔽结构：直接让加进来的屏蔽层在集中电场之间，硬抗电场。主要工艺是通过直接在沟槽栅氧化层底部添加 P 型屏蔽层，从而对栅氧化层形成保护。该结构在栅极沟槽刻蚀完成后,通过离子注入形成与沟槽底部自对准的高掺杂 P 型屏蔽层，器件在阻断状态下的高电场由该屏蔽层与漂移区（N- drift）形成的PN结来承担，缓解了器件栅氧化层的电场聚集。
间接屏蔽结构：利用电场分布特性，加装P阱，把电场吸到两边去。主要工艺是通过在栅极沟槽两侧引入深 P 阱,当器件处于阻断状态时 P 阱会吸引大量电场线中止于此,从而实现对栅氧化层的保护。
非对称屏蔽及三维屏蔽结构：这种结构较为多样且复杂，通常结合了前面二者的优点，还会考虑加入屏蔽层对开关管通态特性的影响，并对此进行补偿。

综上所述，二者的使用情况如下所示：

平面栅结构更适合那些对成本敏感且不要求极高性能的应用。它在较低电压范围内表现良好，制造工艺相对简单，常用于中低压应用，如某些电动汽车充电器、工业电源转换器等。
槽栅结构则适用于要求高性能、低导通电阻和快速开关速度的应用。尽管制造成本较高，但其优越的电气性能使其成为高压、大功率应用的理想选择，广泛应用于高压电力电子领域，如高压逆变器、风力发电系统、太阳能光伏逆变器以及高性能电动汽车驱动系统等