器件（四）：一文搞懂开关管器件选型

mo鱼就摸大鲨鱼

已于 2024-10-27 15:40:22 修改

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分类专栏：器件文章标签：嵌入式硬件单片机学习智能硬件

于 2024-10-27 12:05:04 首次发布

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不出意料的话，这是这段时间器件专栏的最后一篇，主要内容来自前三篇的总结和我自己的思考，参考了大量论文和企业芯片手册。如果只是想了解器件选型的朋友，可以直接看这篇，也欢迎大家一起交流

考虑参数

最大电压（Vdss）：这是开关管能够承受的最大漏源电压。由于开关管最大电压来自于雪崩效应，这个值取的都是最大瞬时值。通常情况下，这个值要是应用中的最大电压1.5倍。
最大电流（Id）：这是开关管能够承受的最大连续漏极电流。由于开关管最大电流来自于开关管工作过程中的发热，这个值取的都是平均值。通常情况下，这个值要是应用中的平均电流的1.2~1.3倍。
导通电阻（RDS(on)）：这是开关管导通时的电阻。较低的RDS(on)可以减少导通时的功率损耗。
最大功耗（Pd）：这是开关管能够承受的最大功耗。确保这个值高于应用中的最大功耗。
开关延迟时间（ton/toff）：这是开关管开通和关断所需时间，包括延迟时间和上升时间。这个值决定了开关管的开关速度，在高频应用中非常重要。
栅源电压（Vgs）：这是控制开关管开关的电压。确保这个值与驱动电路兼容。
最大频率（fT）：这是开关管能够工作的最高频率。确保这个值高于应用中的开关频率。
热阻（RθJC）：这是开关管从结到环境的热阻。较低的热阻有助于更好的散热。
最大结温（Tj）：这是开关管能够承受的最高温度。确保这个值高于应用中的最高工作温度。
封装类型：根据应用的空间限制选择合适的封装类型，比如排插/贴片。
雪崩能量（EAS）：这是开关管能够承受的最大雪崩能量，对于可能承受电压尖峰的应用非常重要。
Ciss（输入电容）、Coss（输出电容）和Crss（反向传输电容）：这些参数影响开关速度和噪声，而噪声在一些对不失真要求较高的部分显得尤为重要。
栅极驱动电压（Vgs(th)）：这是开关管从关闭状态到开启状态所需的最小栅极电压。
最大漏极电流（Idm）：这是开关管能够承受的脉冲漏极电流。
最大漏源电压（Vdss）：这是开关管能够承受的最大漏源电压。
最大栅源电压（Vgs）：这是开关管能够承受的最大栅源电压。
最大漏极-源极电压（Vds）：这是开关管能够承受的最大漏极-源极电压。
最大栅漏电压（Vgl）：这是开关管能够承受的最大栅漏电压。
封装尺寸和引脚配置：确保封装适合PCB布局和空间要求。
环保要求：确保开关管符合RoHS等环保标准。

选型步骤

开关管器件选型是一项重要的任务，因为它直接影响到电路的性能、可靠性以及成本。以下是一些基本步骤和考虑因素来帮助您选择合适的开关管器件：

1. 定义应用需求

工作电压: 确定应用所需的最高电压等级，按1.5倍取。
电流能力: 计算所需的连续电流以及峰值电流，按1.3倍取。
频率要求: 开关频率决定了器件的工作模式（硬开关/软开关）及其损耗。
温度范围: 应用的工作环境温度范围。
封装类型: 根据安装方式（表面贴装/SMD vs. 通孔插装/THT）、散热需求及空间限制来选择。

2. 评估器件特性

导通电阻(Rds(on)): 在导通状态下，器件两端的电压降。越小越好，因为这会减少功耗。
开关速度: 对于高频应用，需要较快的开关速度来减少开关损耗。
热性能: 结温（Tj）和热阻（RθJA）是衡量器件散热能力和在高温下工作的关键参数。
可靠性: MTBF（平均故障间隔时间）、寿命测试数据等信息。

3. 材料与技术选择

硅(Si): 成本较低，成熟技术，适用于中低频应用。
碳化硅(SiC): 高效、耐高压、耐高温，适用于高频、高压应用。
氮化镓(GaN): 高频应用的理想选择，具有快速开关速度和高功率密度。

4. 经济性分析

成本: 不同技术的成本差异很大，需综合考虑长期运营成本。
可用性: 器件的供应链情况，确保器件可以稳定供货。

5. 设计与测试

仿真: 使用软件进行仿真，验证器件在预期负载下的行为。
原型测试: 实际搭建电路并测试，确保满足所有性能指标。

6. 其他考虑因素

认证与标准: 符合相关的行业标准和安全认证。
技术支持: 制造商的支持服务，如文档资料、设计指南和技术支持。

参数对比

应用领域

CoolMOS：CoolMOS 主要用于中低压应用，特别是在消费电子设备中，如笔记本电脑的电源适配器、显示器电源供应、照明驱动电路以及一般的工业电源转换系统等。由于其成本效益和成熟的制造工艺，主要用在需要平衡性能和成本的应用中。
SiC MOSFET：SiC MOSFET 在高压和高温环境中表现出色，被广泛应用于需要高效率和可靠性的场合。比如电动汽车的电机驱动和车载充电系统、太阳能逆变器、风力发电系统、不间断电源系统（UPS）工业电机控制等领域。通常在涉及到高压（>600V）和大电流环境的应用中，SiC MOSFET能够提供较低的导通电阻和较高的热稳定性。
GaN HEMT：由于其能够在高频条件下保持较低的导通电阻，并且拥有快速的开关速度这一特性，GaN HEMT特别适合高频应用，该器件多用于高频DC-DC转换器、无线充电设备、雷达系统、卫星通讯、以及5G基站电源等。此外，因为具有高功率密度，GaN HEMT也应用在一些中压范围内（如48V至650V）的应用中，尤其是在需要小型化和高效能的情况下，如便携式设备充电器和数据中心的电源管理系统。