硬件学习--MOS管

MOS管，全称金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称为金属-绝缘体(insulator)-半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件。以下是对MOS管的详细介绍：

一、定义与特性

• 定义：MOS管通过改变栅极（G）与源极（S）之间的电压来控制漏极（D）与源极之间的电流。它具有高输入阻抗、低噪声、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。
• 对称性：在多数情况下，MOS管的源极和漏极是对称的，可以互换，而不影响器件的性能。这种对称性使得MOS管在电路设计中更加灵活。

二、主要参数

• 开启电压（阈值电压）VT：使得源极和漏极之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。标准的N沟道MOS管VT约为36V，通过工艺改进可以降低到23V。
• 直流输入电阻RGS：栅源极之间加的电压与栅极电流之比，MOS管的RGS可以很容易地超过10¹⁰Ω。
• 漏源击穿电压BVDS：在栅源电压为零的条件下，使漏极电流开始剧增时的漏源电压。
• 低频跨导gm：反映栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的重要参数。
• 导通电阻RON：说明漏源电压对漏极电流的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数。

 

三、开关导通条件

 某P沟道MOS管为例

箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

 

 G栅极，S源极，D漏极

 查看它参考手册 

 VGS导通电压VG-VS,ID为D到S的电流值，手册上ID为负值即实际MOS管导通时电流流向是S到D

 P沟道Ug<Us导通，N沟道相反。截至条件都为Ug=Us。

 

 VGS(th)阈值电压，当VGS为-3时MOS管完全打开，未达到此值可想象未全拧开的水阀。

我们使用时还需注意RDS（on），MOS管导通时DS间的内阻，此值关系着MOS管导通时的发热程度，P沟道MOS管的RDS(on)远小于N沟道，所以我们选用MOS管作开关时更倾向于P沟道MOS管。